[發(fā)明專利]發(fā)光二極管及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810533315.0
• 申請(qǐng)日: 2018-05-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110544746B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張珈銘;曹蔚然
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 李艷麗

1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，包括相對(duì)設(shè)置的陽(yáng)極和陰極，以及設(shè)置在所述陽(yáng)極和所述陰極之間的雙層發(fā)光層，所述雙層發(fā)光層包括鄰近所述陽(yáng)極設(shè)置的第一發(fā)光層和鄰近所述陰極設(shè)置的第二發(fā)光層，其中，所述第一發(fā)光層為雙異質(zhì)結(jié)納米棒材料層，所述第二發(fā)光層為量子點(diǎn)發(fā)光層；所述雙異質(zhì)結(jié)納米棒材料層的厚度低于所述雙異質(zhì)結(jié)納米棒的平均長(zhǎng)度，且所述雙異質(zhì)結(jié)納米棒材料層的厚度為20nm～30nm。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述雙異質(zhì)結(jié)納米棒材料層中含有雙異質(zhì)結(jié)納米棒，或

所述雙異質(zhì)結(jié)納米棒材料層由雙異質(zhì)結(jié)納米棒組成。

3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述雙異質(zhì)結(jié)納米棒包括納米棒體以及連接所述納米棒體兩端的納米棒端，且所述納米棒端為核殼結(jié)構(gòu)，所述核殼結(jié)構(gòu)包括納米棒端核和包覆在所述納米棒端核表面的納米棒端殼層。

4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述雙異質(zhì)結(jié)納米棒中，納米棒體材料的帶隙比納米棒端核材料的帶隙至少高0.5eV，納米棒端殼層材料的帶隙比納米棒端核材料的帶隙至少高0.5eV，所述納米棒體材料和所述納米棒端殼層材料相同或不同。

5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述納米棒體材料選自II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族單質(zhì)中的至少一種；和/或

所述納米棒端殼層材料選自II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族單質(zhì)中的至少一種；和/或

所述納米棒端核材料選自II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族單質(zhì)中的至少一種。

6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述量子點(diǎn)發(fā)光層中的量子點(diǎn)選自II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族單質(zhì)中的至少一種。

7.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述雙異質(zhì)結(jié)納米棒材料層的發(fā)光光譜波峰在520nm～630nm范圍內(nèi)，所述量子點(diǎn)發(fā)光層的發(fā)光光譜波峰在420nm～520nm范圍內(nèi)。

8.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述量子點(diǎn)發(fā)光層的厚度為25nm～45nm。

9.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括設(shè)置在所述量子點(diǎn)發(fā)光層和所述陰極之間的電子功能層；和/或

所述發(fā)光二極管還包括設(shè)置在所述雙異質(zhì)結(jié)納米棒材料層和所述陽(yáng)極之間的空穴功能層。

10.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述雙異質(zhì)結(jié)納米棒材料層發(fā)射的光和所述量子點(diǎn)發(fā)光層發(fā)射的光復(fù)合形成白光。

11.一種發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

提供基板，在所述基板上制備陽(yáng)極；

在所述陽(yáng)極上沉積雙異質(zhì)結(jié)納米棒材料，制備第一發(fā)光層；在所述第一發(fā)光層上沉積量子點(diǎn)發(fā)光材料，制備第二發(fā)光層；其中，所述第一發(fā)光層為雙異質(zhì)結(jié)納米棒材料層，所述第二發(fā)光層為量子點(diǎn)發(fā)光層，所述雙異質(zhì)結(jié)納米棒材料層的厚度低于所述雙異質(zhì)結(jié)納米棒的平均長(zhǎng)度，且所述雙異質(zhì)結(jié)納米棒材料層的厚度為20nm～30nm；

在所述第二發(fā)光層上制備陰極；或

所述制備方法包括以下步驟：

提供基板，在所述基板上制備陰極；

在所述陰極上沉積量子點(diǎn)發(fā)光材料，制備第二發(fā)光層；在所述第二發(fā)光層上沉積雙異質(zhì)結(jié)納米棒材料，制備第一發(fā)光層；其中，所述第一發(fā)光層為雙異質(zhì)結(jié)納米棒材料層，所述第二發(fā)光層為量子點(diǎn)發(fā)光層，所述雙異質(zhì)結(jié)納米棒材料層的厚度低于所述雙異質(zhì)結(jié)納米棒的平均長(zhǎng)度，且所述雙異質(zhì)結(jié)納米棒材料層的厚度為20nm～30nm；

在所述第一發(fā)光層上制備陽(yáng)極。