[發明專利]一種半導體芯片生產工藝有效
| 申請號: | 201810532937.1 | 申請日: | 2018-05-29 |
| 公開(公告)號: | CN108766867B | 公開(公告)日: | 2021-01-15 |
| 發明(設計)人: | 蘭鳳;方明進 | 申請(專利權)人: | 深圳市動能世紀科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京成實知識產權代理有限公司 11724 | 代理人: | 陳永虔 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 芯片 生產工藝 | ||
本發明屬于半導體制造技術領域,具體的說是一種半導體芯片生產工藝,該工藝包括如下步驟:將晶圓放到研磨機上研磨成鏡面;將晶圓送入高溫擴散爐內進行氧化處理;將晶圓送入勻膠裝置上涂抹光刻膠;將晶圓送入光刻機中進行曝光、顯影;將晶圓送入刻蝕機中進行等離子刻蝕;將晶圓送入高溫爐中進行摻雜;本發明中的勻膠裝置通過在工作臺上方設置勻膠板,一號電機驅動勻膠板穩定的轉動,電缸帶動一號電機、勻膠板勻速向下移動,勻膠板均勻地把膠液平鋪到晶圓表面,實現了均勻、穩定的勻膠;通過一號滑塊和吹氣管的相互配合,實現了把工作臺表面的灰塵吹向四周,進而被吹氣槽噴射出向上的氣流帶出。
技術領域
本發明屬于半導體制造技術領域,具體的說是一種半導體芯片生產工藝。
背景技術
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅芯片,晶圓是生產集成電路所用的載體,一般意義晶圓多指單晶硅圓片,晶圓是最常用的半導體材料。光刻工藝總共包括晶片勻膠、前烘、曝光、顯影、堅膜、腐蝕、去膠等步驟,其中,勻膠是為了使分布于晶片上的光刻膠分布均勻并能達到一定厚度,以便曝光時晶片表面的光刻膠都能得到適當的感光;其中在勻膠時通常都是采用電機帶動吸附在真空吸盤上的晶片旋轉,從而在離心力的作用下使膠均勻分布在晶圓片上,膠膜涂敷厚度可根據電機旋轉軸的速度來進行控制。但是由于工作臺在安裝時可能不是處于水平狀態,如此真空吸盤便不是水平狀態,所以在電機旋轉時,吸盤產生的離心力便不在水平面方向上,從而會使涂覆膠分布的不均勻,導致晶片上的膠層的厚度不一,從而大大影響后續的光刻工藝,因此迫切需要一種其他方式實現的勻膠方案。
現有技術中也出現了一些半導體硅晶圓制造的技術方案,如申請號為201721240564.8的一項中國專利公開了一種光刻機用晶圓片勻膠裝置,包括工作臺、固定連接在工作臺上的電機,以及水平設于電機主軸上的真空吸盤,還包括一個L形的支撐板;所述工作臺的正面設有一根水平尺;所述工作臺的左側面通過鉸接軸轉動連接在支撐板的豎直板部內側面上;所述支撐板的豎直板部的內側面上還設有兩根水平設置的導軌和一根位于兩根導軌之間,且水平設置的螺紋桿,其中所述螺紋桿的一端通過軸承轉動連接在支撐板的豎直板部內側面上;
該技術方案中的勻膠工藝實現了通過調節螺紋桿使整個工作臺處于水平狀態,從而保證涂覆膠的厚度均勻,但是該方案中的工作臺上方的電機轉動會產生振動,進而使上方的吸盤抖動,影響勻膠層的均勻性;晶圓上方設置的風機只能保證晶圓上方的空氣是流動的,沒有從源頭把灰塵阻擋在外面;利用離心的方式勻膠,利用離心力把膠液甩出去,勻膠的表面無法百分百保證是一個光滑平面,也就不能百分百保證晶圓的質量。
發明內容
為了彌補現有技術的不足,本發明提出的一種半導體芯片生產工藝,該工藝中使用的勻膠裝置通過在工作臺上方設置勻膠板,一號電機驅動勻膠板穩定的轉動,電缸帶動一號電機、勻膠板勻速向下移動,勻膠板均勻地把膠液平鋪到晶圓表面,實現了均勻、穩定的勻膠;通過在工作臺頂板邊沿設置吹氣槽,吹氣槽吹出的高壓氣流噴射到氣動伸縮板上,實現了在工作臺上方形成由氣流組成的封閉空間,防止在勻膠的過程中有灰塵進入;通過一號滑塊和吹氣管的相互配合,實現了把工作臺表面的灰塵吹向四周,進而實現吹向吹氣槽噴射出的氣流的灰塵被向上的氣流帶出,吹向支撐板立板的灰塵沿著擋塵板吹到空氣中。
本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:本發明所述的一種半導體芯片生產工藝,該工藝包括如下步驟:
步驟一:將晶圓放到研磨機上研磨成鏡面;
步驟二:將步驟一中的晶圓送入高溫擴散爐內進行氧化處理;
步驟三:將步驟二中的晶圓送入勻膠裝置上涂抹光刻膠;
步驟四:將步驟三中的晶圓送入光刻機中進行曝光、顯影;
步驟五:將步驟四中的晶圓送入刻蝕機中進行等離子刻蝕;
步驟六:將步驟五中的晶圓送入高溫爐中進行摻雜;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





