[發明專利]一種多晶硅表面的修復方法

在審

• 申請號: 201810530830.3
• 申請日: 2018-05-25
• 公開（公告）號: CN108735589A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 王湘海
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

本發明公開一種多晶硅表面的修復方法，適用于修復受損的多晶硅表面的過程中，其中，提供一具有受損的多晶硅表面的半導體結構，還包括以下步驟：步驟S1、以一酸性溶液清洗多晶硅表面，以去除多晶硅表面上的氧化膜；步驟S2、以一堿性溶液處理多晶硅表面，以使多晶硅表面粗糙；步驟S3、于粗糙的多晶硅表面上沉積一多晶硅層；步驟S4、平坦化多晶硅層。本發明的技術方案有益效果在于：通過酸性溶液與堿性溶液處理多晶硅表面，且在受損的多晶硅表面上重新沉積多晶硅層，以有效改善多晶硅表面與沉積的多晶硅層的之間的邊界問題，進一步提高了多晶硅表面的質量。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種多晶硅表面的修復方法。

背景技術

隨著大規模集成電路的發展，集成度的不斷提高，因器件的高密度、小尺寸引發的各種效應對半導體工藝制造結果的影響日益突出。

多晶硅柵極廣泛應用于集成電路中，在集成的過程中，存在如下問題：(1)在多晶硅長時間地裸露在空氣之中，多晶硅容易被氧化以產生氧化膜，對于被氧化的多晶硅，其輪廓已經發生改變，如圖2所示，目前還未找到修復方法，直接報廢掉；(2)在半導體工藝機臺發生警報時，如果多晶硅表面殘留有磷酸，且長時間地裸露在空氣之中，多晶硅極易被蝕刻，導致多晶硅被損傷，引起其表面輪廓發生改變，如圖2所示，如果直接在損傷的多晶硅上重新沉積多晶硅層，兩層多晶硅之間會出現界面粘結不好的問題，目前是采用酸來處理損傷的多晶硅，依然存在界面粘接不好的問題。

發明內容

針對現有技術中存在的上述問題，現提供一種多晶硅表面的修復方法。

具體技術方案如下：

一種多晶硅表面的修復方法，適用于修復受損的多晶硅表面的過程中，其中，提供一具有受損的多晶硅表面的半導體結構，還包括以下步驟：

步驟S1、以一酸性溶液清洗所述多晶硅表面，以去除所述多晶硅表面上的氧化膜；

步驟S2、以一堿性溶液處理所述多晶硅表面，以使所述多晶硅表面粗糙；

步驟S3、于粗糙的所述多晶硅表面上沉積一多晶硅層；

步驟S4、平坦化所述多晶硅層。

優選的，于所述步驟S1中，所述酸性溶液為氫氟酸與水的稀釋溶液。

優選的，所述水與所述氫氟酸的體積比為200:1。

優選的，于所述步驟S2中，所述堿性溶液為氨水。

優選的，所述氨水的體積比為50:1。

優選的，于所述步驟S2之后，所述堿性溶液修復平整粗糙的所述多晶硅表面的邊緣區域。

優選的，于所述步驟S3中，利用化學氣相沉積方法以沉積所述多晶硅層。

優選的，于所述步驟S4中，利用化學機械研磨方法以平坦化所述多晶硅層。

本發明的技術方案有益效果在于：通過酸性溶液與堿性溶液處理多晶硅表面，且在受損的多晶硅表面上重新沉積多晶硅層，以有效改善多晶硅表面與沉積的多晶硅層的之間的邊界問題，進一步提高了多晶硅表面的質量。

附圖說明

參考所附附圖，以更加充分的描述本發明的實施例。然而，所附附圖僅用于說明和闡述，并不構成對本發明范圍的限制。

圖1為本發明中，關于多晶硅表面的修復方法的流程圖；

圖2-6為本發明中，關于多晶硅表面的修復方法的工藝過程示意圖。

具體實施方式