[發明專利]一種多晶硅表面的修復方法在審
| 申請號： | 201810530830.3 | 申請日： | 2018-05-25 |
| 公開（公告）號： | CN108735589A | 公開（公告）日： | 2018-11-02 |
| 發明（設計）人： | 王湘海 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶硅表面 多晶硅層 沉積 堿性溶液處理 酸性溶液 受損 修復 粗糙 半導體結構 邊界問題 平坦化 氧化膜 去除 清洗 | ||
【權利要求書】：
1.一種多晶硅表面的修復方法，適用于修復受損的多晶硅表面的過程中，其特征在于，提供一具有受損的多晶硅表面的半導體結構，還包括以下步驟：
步驟S1、以一酸性溶液清洗所述多晶硅表面，以去除所述多晶硅表面上的氧化膜；
步驟S2、以一堿性溶液處理所述多晶硅表面，以使所述多晶硅表面粗糙；
步驟S3、于粗糙的所述多晶硅表面上沉積一多晶硅層；
步驟S4、平坦化所述多晶硅層。
2.根據權利要求1所述的修復方法，其特征在于，于所述步驟S1中，所述酸性溶液為氫氟酸與水的稀釋溶液。
3.根據權利要求2所述的修復方法，其特征在于，所述水與所述氫氟酸的體積比為200:1。
4.根據權利要求1所述的修復方法，其特征在于，于所述步驟S2中，所述堿性溶液為氨水。
5.根據權利要求4所述的修復方法，其特征在于，所述氨水的體積比為50:1。
6.根據權利要求1所述的修復方法，其特征在于，于所述步驟S2之后，所述堿性溶液修復平整粗糙的所述多晶硅表面的邊緣區域。
7.根據權利要求1所述的修復方法，其特征在于，于所述步驟S3中，利用化學氣相沉積方法以沉積所述多晶硅層。
8.根據權利要求1所述的修復方法，其特征在于，于所述步驟S4中，利用化學機械研磨方法平坦化所述多晶硅層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
