[發明專利]微光刻投射曝光設備

有效

• 申請號: 201810527742.8
• 申請日: 2009-09-17
• 公開（公告）號: CN108803249B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 薩沙.布萊迪斯特爾;關彥彬;弗洛里安.巴赫;丹尼爾.本茲;塞韋林.沃爾迪斯;阿明.沃伯
• 申請（專利權）人: 卡爾蔡司SMT有限責任公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G02B26/08;G02B7/182
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王蕊瑞

微光刻投射曝光設備具有反射鏡陣列，反射鏡陣列具有基體和多個反射鏡單元，每個反射鏡單元包括反射鏡和固態關節，固態關節至少具有一個關節部件，該至少一個關節部件將反射鏡連接到基體。控制裝置使得可以改變各反射鏡相對于基體的排列。反射鏡與基體或連接到基體的反射鏡支撐體的相對表面被設計為滑動支撐的相應滑動表面。

本申請是申請日為2009年9月17日且發明名稱為“微光刻投射曝光設備”的中國專利申請No.201510003073.0的分案申請。

技術領域

本發明涉及微光刻投射曝光設備，特別是涉及具有反射鏡陣列的這樣的裝置的照明系統和投射物鏡，該反射鏡陣列具有基體和布置在基體上的多個反射鏡，并且該多個反射鏡可以相對于基體傾斜或在它們的排列上以其他方式改變。

背景技術

集成電路和其他微結構元件通常通過將多個結構層施加到合適的基板(例如，可以是硅晶片)上來制造。為了構造這些層，它們首先以對特定波長范圍的光(例如，深紫外(DUV)或極紫外(EUV)光譜范圍的光)敏感的光致抗蝕劑覆蓋。目前，用于DUV系統的常規光波長為248nm、193nm，并且有時為157nm；EUV投射曝光設備目前使用波長約為13.5nm的X-射線光。

接著，以此方式被覆蓋的晶片在投射曝光設備中被曝光。布置在掩模上的結構圖案由此在投射物鏡的幫助下被成像到光致抗蝕劑上。因為成像比例通常小于1，這種投射物鏡也通常被稱為縮小物鏡。

在光致抗蝕劑已經被顯影后，對晶片進行蝕刻工藝從而層根據掩模上的圖案而被結構化。然后，仍然保留的光致抗蝕劑從層的其他部分去除。該工藝被重復，直到所有層被施加到晶片上。

所使用的投射曝光設備的性能不僅由投影物鏡的成像屬性決定，而且還由對掩模進行照明的照明系統決定。對于這方面，照明系統包含光源，例如以脈沖模式操作的激光器(DUV)或等離子體源(EUV)；以及多個光學元件，該多個光學元件由光源產生的光產生光束，并會聚在場點處的掩模上。各光束必須具有特定屬性，該特定屬性通常適用于投射物鏡和要被成像的掩模。

為了能夠更加自由地改變到達掩模的光束的屬性或掩模上被照明的區域的形狀，已經提出在照明系統中使用一個或多個反射鏡陣列，每個反射鏡陣列具有多個可調節反射鏡。這些反射鏡的排列通常通過繞一個或兩個旋轉軸的旋轉運動來進行。因此，這些旋轉的反射鏡必須安裝到具有一個或兩個運動自由度的懸架。例如，這可以以固態關節或萬能懸架來實現。

每個都具有多個可調節反射鏡的反射鏡陣列還可以用在投射物鏡中。例如，可以設想投射物鏡的光瞳面中的陣列以糾正特定的場不依賴成像誤差(field-independentimaging errors)。

施加到可調節反射鏡的支架上的反射層系統吸收(雖然很小)部分入射光，甚至在DUV投射曝光設備中；在EUV投射曝光設備中，由于吸收引起的損失約為30％。由反射鏡吸收的光將它們加熱，如果散熱不能得到保證，則可以導致反射層系統或反射鏡單元的其他部件的毀壞。

發明內容

因此，本發明的目標是提供一種投射曝光設備，該投射曝光設備具有反射鏡陣列，在該反射鏡陣列中，由反射鏡產生的熱量被特別好地散發以使得能夠可靠地避免過熱。

細分的固態關節(subdivided solid-state articulation)

根據本發明的第一方面，該目標由具有反射鏡陣列的微光刻投射曝光設備實現，該反射鏡陣列具有基體和多個反射鏡單元。每個反射鏡單元包括反射鏡和固態關節，固態關節具有至少一個關節部件，該至少一個關節部件將反射鏡連接到基體并且能夠在彎曲面中彎曲。控制裝置使得可以改變各反射鏡相對于基體的排列。根據本發明的第一方面，關節部件被細分為在彎曲面上彼此分開的多個關節元件，以減少關節部件的彎曲剛度。