[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810524721.0 | 申請日: | 2018-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN108520884B | 公開(公告)日: | 2020-09-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 楊昆 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G06F3/041 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 鐘子敏 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本申請公開了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置,該陣列基板包括襯底基板;多膜層結構,形成于襯底基板上,多膜層結構至少包括層間絕緣層,層間絕緣層上設置有開孔,用以釋放膜層間的應力;觸控信號線層,形成于多膜層結構上。通過上述方式,本申請能夠?qū)崿F(xiàn)有效釋放陣列基板上各膜層間的應力,防止切裂制程中導致框膠處覆蓋的膜層發(fā)生斷裂的問題。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,特別是涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
具有高像素密度(PPI,Pixels Per Inch)的內(nèi)嵌式觸控面板,其觸控TP trace一般采用獨立層進行設計,以實現(xiàn)TP信號的傳輸。隨著面板設計朝著超窄邊框方向發(fā)展,對框膠寬度和cell切割技術有更高的要求。
在陣列基板的制作過程中,不同膜層沉積方式存在“張應力”或者“拉應力”,以絕緣層為例來說,一般采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx),其中,氮化硅膜層一般呈現(xiàn)“拉應力”,氧化硅膜層一般呈現(xiàn)“張應力”,且不貼膜層間的搭配容易導致陣列基板內(nèi)部膜層應力不均的問題。
因陣列基板內(nèi)部膜層存在應力不均的問題,在其成盒制程的框膠固化過程,容易加劇陣列基板膜層的應力不均。且對于窄邊框的切割(cut on seal)技術,其裂片制程易導致框膠覆蓋處膜層發(fā)生斷裂。面板端子側框膠邊緣的膜層斷裂易導致觸控走線的斷裂,導致觸控功能的失效。
發(fā)明內(nèi)容
本申請?zhí)峁┮环N陣列基板及其制備方法、顯示裝置,能夠?qū)崿F(xiàn)有效釋放陣列基板上各膜層間的應力,防止切裂制程中導致框膠處覆蓋的膜層發(fā)生斷裂的問題。
為解決上述技術問題,本申請采用的一個技術方案是:提供一種陣列基板,所述陣列基板包括:襯底基板;多膜層結構,形成于所述襯底基板上,所述多膜層結構至少包括層間絕緣層,所述層間絕緣層上設置有開孔,用以釋放膜層間的應力;觸控信號線層,形成于所述多膜層結構上。
為解決上述技術問題,本申請采用的另一個技術方案是:提供一種陣列基板的制備方法,所述制備方法包括:在襯底基板上制備多膜層結構,其中,所述多膜層結構至少包括層間絕緣層,所述層間絕緣層上設置有開孔,用以釋放膜層間的應力;在所述多膜層結構上形成觸控信號線層。
為解決上述技術問題,本申請采用的又一個技術方案是:提供一種顯示裝置,所述顯示裝置包括上述任一所述的陣列基板。
本申請的有益效果是:提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置,通過在層間絕緣層上設置開孔,能夠?qū)崿F(xiàn)有效釋放陣列基板上各膜層間的應力,防止切裂制程中導致框膠處覆蓋的膜層發(fā)生斷裂的問題。
附圖說明
圖1是本申請陣列基板第一實施方式的結構示意圖;
圖2是本申請層間絕緣層上開孔第一實施方式的示意圖;
圖3是本申請層間絕緣層上開孔第二實施方式的示意圖;
圖4是本申請陣列基板制備方法一實施方式的流程示意圖;
圖5是本申請顯示裝置一實施方式的結構示意圖。
具體實施方式
下面將結合本申請實施例中的附圖,對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅是本申請的一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本申請中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本申請保護的范圍。
請參閱圖1,圖1是本申請陣列基板第一實施方式的結構示意圖,如圖1,本申請?zhí)峁┑年嚵谢?0包括襯底基板11、多膜層結構12以及觸控信號線層13。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





