[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810524721.0 | 申請日: | 2018-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN108520884B | 公開(公告)日: | 2020-09-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊昆 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G06F3/041 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 鐘子敏 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括:
襯底基板;
多膜層結(jié)構(gòu),形成于所述襯底基板上,所述多膜層結(jié)構(gòu)至少包括層間絕緣層,所述層間絕緣層上側(cè)面設(shè)置有開孔,用以釋放膜層間的應(yīng)力;
觸控信號線層,形成于所述多膜層結(jié)構(gòu)上;
所述多膜層結(jié)構(gòu)還包括依次形成于所述襯底基板上的阻擋層、緩沖層、有源層以及柵極絕緣層;
所述陣列基板還包括形成于所述層間絕緣層及所述觸控信號線層之間的平坦化層;
所述陣列基板還包括形成于所述觸控信號線層上的第一絕緣層及膠框。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述開孔內(nèi)填充有金屬材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述金屬材料為銅、鋁或者鈦中的至少一種或組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述開孔的橫截面為圓形、橢圓形以及多邊形的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述開孔不同位置處的橫截面積不同。
6.一種陣列基板的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括:
在襯底基板上制備多膜層結(jié)構(gòu),其中,所述多膜層結(jié)構(gòu)至少包括層間絕緣層,所述層間絕緣層上側(cè)面設(shè)置有開孔,用以釋放膜層間的應(yīng)力;
在所述多膜層結(jié)構(gòu)上形成觸控信號線層;
所述多膜層結(jié)構(gòu)的所述襯底基板上依次形成有的阻擋層、緩沖層、有源層以及柵極絕緣層;
所述層間絕緣層及所述觸控信號線層之間形成有平坦化層;
所述觸控信號線層上形成有第一絕緣層及膠框。
7.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括如權(quán)利要求1-5中任一所述的陣列基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





