[發明專利]蒸鍍裝置及蒸鍍方法有效
| 申請號: | 201810524337.0 | 申請日: | 2018-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN108728801B | 公開(公告)日: | 2019-11-12 |
| 發明(設計)人: | 匡友元 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/26 | 分類號: | C23C14/26;C23C14/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂;鞠驍 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 坩堝 蒸鍍裝置 坩堝蓋 內側壁 外側壁 移動部 第一區域 蒸鍍材料 加熱源 蒸鍍 支架 受熱均勻度 坩堝外側壁 第二區域 徑向溫差 電熱絲 底面 頂面 豎直 投影 | ||
本發明提供一種蒸鍍裝置及蒸鍍方法。所述蒸鍍裝置包括加熱源、坩堝蓋、第一坩堝、第二坩堝、移動部以及支架,第一坩堝、第二坩堝及移動部均設于坩堝蓋的下方,第一坩堝固定在支架上,且第一坩堝及第二坩堝均包括內側壁、設于內側壁外的外側壁及連接內側壁與外側壁遠離坩堝蓋一端的底面,坩堝蓋安裝于第一坩堝的外側壁上,第二坩堝固定于移動部的頂面,第一坩堝的內側壁在豎直方向的投影位于第二坩堝外側壁以外,加熱源的電熱絲在與坩堝蓋及第一坩堝所在位置對應的第一區域的密度大于第一區域下方的第二區域的密度。該蒸鍍裝置能夠有效提高蒸鍍材料的利用率,并可以有效降低蒸鍍裝置內的徑向溫差,提高蒸鍍裝置內蒸鍍材料的受熱均勻度。
技術領域
本發明涉及顯示裝置制造技術領域,尤其涉及一種蒸鍍裝置及蒸鍍方法。
背景技術
平板顯示器件具有機身薄、省電、無輻射等眾多優點,得到了廣泛的應用。現有的平板顯示器件主要包括液晶顯示器件(Liquid Crystal Display,LCD)及有機電致發光顯示器件(Organic Light Emitting Display,OLED)。其中,OLED顯示器件相較于LCD,不僅具有十分優異的顯示性能,還具有全固態、自發光、結構簡單、超輕薄、響應速度快、寬視角、室溫工作、低功耗及易于實現柔性顯示和3D顯示等優點,被譽為“夢幻顯示器”,一致被公認為是下一代顯示的主流技術,得到了各大顯示器廠家的青睞。
OLED顯示器件通常由陽極、陰極、以及夾在陽極和陰極之間的有機電致發光材料層構成,有機電致發光材料層又包括空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、及電子注入層。OLED顯示器件的發光機理是從陰、陽兩級分別注入電子和空穴,被注入的電子和空穴經傳輸在發光層內復合,從而激發發光層分子產生單態激子,單態激子輻射衰減而發光。
目前,制備OLED顯示器件主流的主要方式是真空加熱鍍膜,即在真空腔體內使用坩堝加熱OLED材料,使其在一定溫度下升華或者熔融汽化成蒸汽,透過金屬掩膜板上的開孔沉積在基板上。
請參閱圖1及圖2,現有的一種蒸鍍用坩堝包括坩堝本體100、套設于坩堝本體100外側的電熱絲200,坩堝本體100頂部設有開孔110。使用時,利用電熱絲200對坩堝本體100進行加熱,使得坩堝本體100內的蒸鍍材料蒸發并從開孔110排出。由于蒸鍍材料一般為熱的非良導體,加熱時坩堝本體100在其徑向上具有溫度差,越靠近坩堝本體100軸心的區域溫度越低,會導致位于坩堝本體100內的蒸鍍材料受熱不均,使開孔堵塞。與此同時,由于需要維持坩堝本體100頂部的開口110排出蒸鍍材料的速率穩定,需要優先保證開孔110處的溫度,因此,坩堝本體100在軸向的方向也會產生溫度差,坩堝本體100的頂部溫度要高于底部溫度,這就使得坩堝本體100內位于底部的蒸鍍材料在達到蒸發溫度后,在經過坩堝本體100頂部區域的時候其溫度會超過材料裂解溫度而裂解,導致該部分蒸鍍材料被浪費掉。
發明內容
本發明的目的在于提供一種蒸鍍裝置,能夠提高蒸鍍材料的利用率,降低蒸鍍裝置內的徑向溫差,提高蒸鍍裝置內蒸鍍材料的受熱均勻度。
本發明的另一目的在于提供一種蒸鍍方法,能夠提高蒸鍍材料的利用率,降低蒸鍍裝置內的徑向溫差,提高蒸鍍裝置內蒸鍍材料的受熱均勻度。
為實現上述目的,本發明首先提供一種蒸鍍裝置,包括筒狀的加熱源、容置在加熱源內的坩堝蓋、第一坩堝、第二坩堝及移動部以及支架;
所述第一坩堝、第二坩堝及移動部均設于坩堝蓋的下方;所述第一坩堝固定在所述支架上;所述第一坩堝及第二坩堝均包括內側壁、設于內側壁外的外側壁及連接內側壁與外側壁遠離所述坩堝蓋一端的底面;所述坩堝蓋安裝于第一坩堝的外側壁上,所述坩堝蓋中心設有開孔,所述第一坩堝的內側壁靠近坩堝蓋的一端與坩堝蓋之間在豎直方向存在間隔;所第一坩堝的外側壁的高度大于或等于其內側壁的高度;所述第二坩堝固定于移動部的頂面;所述第一坩堝的內側壁在豎直方向的投影位于所述第二坩堝外側壁以外;
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