[發(fā)明專利]蒸鍍裝置及蒸鍍方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810524337.0 | 申請日: | 2018-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN108728801B | 公開(公告)日: | 2019-11-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 匡友元 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/26 | 分類號: | C23C14/26;C23C14/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265 | 代理人: | 林才桂;鞠驍 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 坩堝 蒸鍍裝置 坩堝蓋 內(nèi)側(cè)壁 外側(cè)壁 移動部 第一區(qū)域 蒸鍍材料 加熱源 蒸鍍 支架 受熱均勻度 坩堝外側(cè)壁 第二區(qū)域 徑向溫差 電熱絲 底面 頂面 豎直 投影 | ||
1.一種蒸鍍裝置,其特征在于,包括筒狀的加熱源(10)、容置在加熱源(10)內(nèi)的坩堝蓋(20)、第一坩堝(30)、第二坩堝(40)及移動部(50)以及支架(80);
所述第一坩堝(30)、第二坩堝(40)及移動部(50)均設(shè)于坩堝蓋(20)的下方;所述第一坩堝(30)固定在所述支架(80)上;所述第一坩堝(30)及第二坩堝(40)均包括內(nèi)側(cè)壁、設(shè)于內(nèi)側(cè)壁外的外側(cè)壁及連接內(nèi)側(cè)壁與外側(cè)壁遠離坩堝蓋(20)一端的底面;所述坩堝蓋(20)安裝于第一坩堝(30)的外側(cè)壁上,所述坩堝蓋(20)中心設(shè)有開孔(21),所述第一坩堝(30)的內(nèi)側(cè)壁靠近坩堝蓋(20)的一端與坩堝蓋(20)之間在豎直方向存在間隔;所述第一坩堝(30)的外側(cè)壁的高度大于或等于其內(nèi)側(cè)壁的高度;所述第二坩堝(40)固定于移動部(50)的頂面;所述第一坩堝(30)的內(nèi)側(cè)壁在豎直方向的投影位于所述第二坩堝(40)外側(cè)壁以外;
所述加熱源(10)包括筒狀的殼體(11)及套設(shè)于殼體(11)上的電熱絲(12),所述殼體(11)具有與坩堝蓋(20)及第一坩堝(30)所在位置對應(yīng)的第一區(qū)域(111)以及位于第一區(qū)域(111)下方的第二區(qū)域(112);電熱絲(12)在第一區(qū)域(111)的密度大于電熱絲(12)在第二區(qū)域(112)的密度;
還包括容置在加熱源(10)內(nèi)的第三坩堝(60);
所述第三坩堝(60)設(shè)于坩堝蓋(20)的下方;所述第三坩堝(60)包括內(nèi)側(cè)壁、設(shè)于內(nèi)側(cè)壁外的外側(cè)壁及連接內(nèi)側(cè)壁與外側(cè)壁遠離坩堝蓋(20)一端的底面;所述第一坩堝(30)的內(nèi)側(cè)壁在豎直方向的投影位于所述第三坩堝(60)外側(cè)壁以外;所述第三坩堝(60)的內(nèi)側(cè)壁在豎直方向的投影位于所述第二坩堝(40)外側(cè)壁以外;所述第一坩堝(30)的內(nèi)側(cè)壁的內(nèi)表面底部設(shè)有第一限位部(31),所述第三坩堝(60)外側(cè)壁的外表面頂部設(shè)有第二限位部(61),所述第一限位部(31)在豎直方向的投影與所述第二限位部(61)在豎直方向的投影至少部分重疊,所述第一限位部(31)位于第二限位部(61)下方;所述第三坩堝(60)的內(nèi)側(cè)壁的內(nèi)表面底部設(shè)有彈性限位單元(62),所述彈性限位單元(62)在豎直方向上的投影與所述第二坩堝(40)的外側(cè)壁在豎直方向上的投影至少部分重疊;當所述第三坩堝(60)靠近坩堝蓋(20)的一端與坩堝蓋(20)之間存在間隔且第二坩堝(40)外側(cè)壁位于彈性限位單元(62)下方時,向上移動移動部(50),第二坩堝(40)的外側(cè)壁對第三坩堝(60)的彈性限位單元(62)進行推動使第三坩堝(60)上升;當所述第三坩堝(60)靠近坩堝蓋(20)的一端與坩堝蓋(20)接觸且第二坩堝(40)外側(cè)壁位于彈性限位單元(62)下方時,向上移動移動部(50),第二坩堝(40)的外側(cè)壁壓縮彈性限位單元(62)而移動至第三坩堝(60)的內(nèi)側(cè)壁內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置,其特征在于,所述第一坩堝(30)及第二坩堝(40)的內(nèi)側(cè)壁及外側(cè)壁均為圓筒狀;所述第二坩堝(40)的內(nèi)側(cè)壁及外側(cè)壁的軸線與所述第一坩堝(30)的內(nèi)側(cè)壁及外側(cè)壁的軸線均重合。
3.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置,其特征在于,所述第一坩堝(30)、第二坩堝(40)及第三坩堝(60)的內(nèi)側(cè)壁及外側(cè)壁均為圓筒狀;所述第二坩堝(40)的內(nèi)側(cè)壁及外側(cè)壁的軸線、所述第一坩堝(30)的內(nèi)側(cè)壁及外側(cè)壁的軸線以及所述第三坩堝(60)的內(nèi)側(cè)壁及外側(cè)壁的軸線均重合。
4.如權(quán)利要求2或3所述的蒸鍍裝置,其特征在于,所述坩堝蓋(20)的形狀為圓形。
5.如權(quán)利要求2或3所述的蒸鍍裝置,其特征在于,所述殼體(11)為圓筒狀;所述殼體(11)的軸線與第一坩堝(30)內(nèi)側(cè)壁的軸線重合。
6.如權(quán)利要求5所述的蒸鍍裝置,其特征在于,所述開孔(21)對應(yīng)第一坩堝(30)內(nèi)側(cè)壁的軸線設(shè)置。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





