[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件和用于半導(dǎo)體器件的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810523453.0
• 申請(qǐng)日: 2018-05-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108933144A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 津田是文
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/11568
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/11568;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 李輝;董典紅

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件和用于半導(dǎo)體器件的制造方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括：元件隔離部分，其被布置在鰭之間并且其高度低于每個(gè)鰭的高度；存儲(chǔ)柵極電極，其被放置在鰭和元件隔離部分之上，在存儲(chǔ)柵極電極與鰭和元件隔離部分之間具有含電荷存儲(chǔ)部分的存儲(chǔ)柵極絕緣膜；以及控制柵極電極，其被布置成與存儲(chǔ)柵極電極成直線(xiàn)。存儲(chǔ)柵極電極下方的元件隔離部分的高度高于控制柵極電極下方的元件隔離部分的高度。通過(guò)如上所述使存儲(chǔ)柵極電極下方的元件隔離部分的高度高于控制柵極電極下方的元件隔離部分的高度，電子注入和空穴注入之間的失配得到改善、重寫(xiě)操作速度加快、并且可靠性增強(qiáng)。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

包括說(shuō)明書(shū)、附圖和摘要在內(nèi)的2017年5月26日提交的日本專(zhuān)利申請(qǐng)第2017-104342號(hào)的公開(kāi)內(nèi)容在此通過(guò)引用被整體并入。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及用于半導(dǎo)體器件的制造方法，并且適用于例如包括FIN結(jié)構(gòu)的非易失性存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

在使用硅的LSI(大規(guī)模集成電路)領(lǐng)域中，近年來(lái)，MISFET(金屬絕緣體半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的維度，它們中的一個(gè)部件——特別是柵極電極的柵極長(zhǎng)度日益減小。MISFET的這種小型化已經(jīng)按照縮放規(guī)則被推進(jìn)。然而，隨著器件的更新?lián)Q代，各種問(wèn)題本身都呈現(xiàn)了出來(lái)，并且已難以抑制MISFET中的短溝道效應(yīng)并且同時(shí)保證電流驅(qū)動(dòng)力。出于這個(gè)原因，針對(duì)替代現(xiàn)有技術(shù)中的平面型(平板型)MISFET的新型結(jié)構(gòu)的器件已經(jīng)在積極地尋求研究和開(kāi)發(fā)。

FINFET是上述的新穎結(jié)構(gòu)的器件之一，并且旨在通過(guò)利用FIN的側(cè)面作為溝道來(lái)增強(qiáng)電流驅(qū)動(dòng)力。

作為一種非易失性存儲(chǔ)器，存在包括使用MONOS(金屬氧化物氮化物氧化物半導(dǎo)體)膜的分離柵極型單元的存儲(chǔ)器單元。該存儲(chǔ)器單元由兩個(gè)MISFET構(gòu)成：具有控制柵極電極的控制晶體管和具有存儲(chǔ)柵極電極的存儲(chǔ)晶體管。通過(guò)將FIN結(jié)構(gòu)應(yīng)用于這些晶體管，還可以增強(qiáng)存儲(chǔ)器的特性。

日本未審專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No.2006-41354(專(zhuān)利文獻(xiàn)1)公開(kāi)了一種技術(shù)，其中在分離柵極結(jié)構(gòu)的非易失性半導(dǎo)體器件中，將存儲(chǔ)柵極形成在凸起襯底之上，并且利用其側(cè)面作為溝道。

[相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)]

[專(zhuān)利文件]

[專(zhuān)利文獻(xiàn)1]日本未審專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No.2006-41354

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明人涉及如上所述的具有非易失性存儲(chǔ)器單元的這種半導(dǎo)體器件的研究和開(kāi)發(fā)，并且正在考慮采用上述FIN結(jié)構(gòu)來(lái)進(jìn)一步增強(qiáng)存儲(chǔ)器單元的特性。在研究和開(kāi)發(fā)過(guò)程中，結(jié)果表明在非易失性存儲(chǔ)器單元中采用FIN結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)和制造方法還有進(jìn)一步改進(jìn)的余地。

從本說(shuō)明書(shū)和附圖中的描述中，其他問(wèn)題和新穎特征將是顯而易見(jiàn)的。

以下是對(duì)本申請(qǐng)中所公開(kāi)的那些實(shí)施例之中的代表性實(shí)施例的概述的簡(jiǎn)要描述：

作為本申請(qǐng)中所公開(kāi)的實(shí)施例來(lái)描述的半導(dǎo)體器件包括：第一鰭、第二鰭以及被放置在這些鰭之間并且高度低于第一鰭和第二鰭的元件隔離部分。所述半導(dǎo)體器件還包括：放置在所述第一鰭、所述元件隔離部分和所述第二鰭之上的第一柵極電極，在其間具有含電荷存儲(chǔ)部分的第一柵極絕緣膜；以及放置在所述第一鰭、所述元件隔離部分和所述第二鰭之上的第二柵極電極，在其間具有第二柵極絕緣膜并且與所述第一柵極電極成直線(xiàn)。所述第一柵極電極下方的所述元件隔離部分的高度高于所述第二柵極電極下方的所述元件隔離部分的高度。