[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和用于半導(dǎo)體器件的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810523453.0
• 申請(qǐng)日: 2018-05-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108933144A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 津田是文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/11568
• 分類號(hào): H01L27/11568;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 李輝;董典紅

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一鰭，以長(zhǎng)方體形狀在第一方向上延伸；

第二鰭，以長(zhǎng)方體形狀在所述第一方向上延伸并且被放置在距所述第一鰭一定距離處；

元件隔離部分，被放置在所述第一鰭和所述第二鰭之間，并且所述元件隔離部分的高度低于所述第一鰭和所述第二鰭中的每個(gè)鰭的高度；

第一柵極電極，被放置在所述第一鰭、所述元件隔離部分和所述第二鰭之上，在所述第一柵極電極與所述第一鰭、所述元件隔離部分和所述第二鰭之間具有含電荷存儲(chǔ)部分的第一柵極絕緣膜，并且所述第一柵極電極在與所述第一方向相交的第二方向上延伸；和

第二柵極電極，被放置在所述第一鰭、所述元件隔離部分和所述第二鰭之上，在所述第二柵極電極與所述第一鰭、所述元件隔離部分和所述第二鰭之間具有第二柵極絕緣膜，所述第二柵極電極在與所述第一方向相交的所述第二方向上延伸并且被布置成與所述第一柵極電極成直線，

其中所述第一柵極電極下方的所述元件隔離部分的高度高于所述第二柵極電極下方的所述元件隔離部分的高度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第一柵極絕緣膜包括：形成在所述第一鰭之上的第一膜，形成在所述第一膜之上的將成為所述電荷存儲(chǔ)部分的第二膜，以及形成在所述第二膜之上的第三膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第一柵極電極下方的所述元件隔離部分的高度與所述第二柵極電極下方的所述元件隔離部分的高度之間的差不小于5nm且不大于10nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第一柵極電極和所述第二柵極電極由硅形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第一膜是熱氧化膜并且所述元件隔離部分由CVD膜構(gòu)成。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第二柵極電極由金屬膜構(gòu)成，并且所述第二柵極絕緣膜由介電常數(shù)高于氮化硅的高介電常數(shù)構(gòu)成。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第一柵極電極下方的所述元件隔離部分的高度對(duì)應(yīng)于所述第一膜和所述元件隔離部分的第一合成部分中的、其中所述第一合成部分的膜厚度開(kāi)始增加的部分的高度，以及

其中所述第二柵極電極下方的所述元件隔離部分的高度對(duì)應(yīng)于所述第二柵極絕緣膜和所述元件隔離部分的第二合成部分中的、其中所述第二合成部分的膜厚度開(kāi)始增加的部分的高度。

8.一種用于半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟：

(a)在半導(dǎo)體襯底中形成隔離溝槽，所述半導(dǎo)體襯底具有在第一方向上延伸的第一鰭形成區(qū)域和布置在與所述第一鰭形成區(qū)域相距一定距離處并在所述第一方向上延伸的第二鰭形成區(qū)域，所述隔離溝槽位于所述第一鰭形成區(qū)域和所述第二鰭形成區(qū)域之間并且進(jìn)一步形成第一鰭和第二鰭；

(b)在所述隔離溝槽中掩埋隔離絕緣膜以形成元件隔離部分；

(c)使所述元件隔離部分的表面凹陷；

(d)在所述半導(dǎo)體襯底之上形成具有電荷存儲(chǔ)部分的第一絕緣膜，并且在所述第一絕緣膜之上形成第一導(dǎo)電膜并處理所述第一導(dǎo)電膜，以在所述第一鰭、所述元件隔離部分和所述第二鰭上方形成在與所述第一方向相交的所述第二方向上延伸的第一柵極電極；以及

(e)在所述半導(dǎo)體襯底之上形成第二絕緣膜，并且在所述第二絕緣膜之上形成第二導(dǎo)電膜并處理所述第二導(dǎo)電膜，以在所述第一鰭、所述元件隔離部分和所述第二鰭上方形成在與所述第一方向相交的所述第二方向上延伸的第二柵極電極，

其中步驟(e)在步驟(d)之后執(zhí)行，并且

其中在步驟(d)之后，所述第一柵極電極下方的所述元件隔離部分的高度高于所述第二柵極電極下方的所述元件隔離部分的高度。