[發(fā)明專利]一種新型的ALD設(shè)備前驅(qū)體源載氣加熱方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810523386.2 | 申請日: | 2018-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN108677165A | 公開(公告)日: | 2018-10-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張洪國;鄭委;雷曼;夏樹勝;馬軍濤 | 申請(專利權(quán))人: | 滁州國凱電子科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 江蘇斐多律師事務(wù)所 32332 | 代理人: | 袁敏 |
| 地址: | 239000 安徽省滁州市世*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氣源瓶 前驅(qū)體源 出氣管路 進氣管路 飽和蒸汽壓 載氣 加熱 反應(yīng)前驅(qū)體 有效地減少 質(zhì)量流量計 反應(yīng)前驅(qū) 加熱方式 氣體殘余 氣源溫度 溫度設(shè)定 一端連接 準(zhǔn)確控制 出氣管 出氣口 反應(yīng)腔 加熱帶 氣管路 有效地 伴熱 外設(shè) 熱帶 擴散 | ||
本發(fā)明一種新型的ALD設(shè)備前驅(qū)體源載氣加熱方法,包括:帶伴熱的質(zhì)量流量計、氣管路、出氣管路以及氣源瓶,所述進氣管路與所述出氣管路均與氣源瓶連接,所述出氣管遠(yuǎn)離氣源瓶的一端連接反應(yīng)腔,其中,使所述氣源瓶中注入反應(yīng)前驅(qū)氣體,所述進氣管路連接氣源瓶的一端,使進氣管路的出氣口位于所述反應(yīng)低飽和蒸汽壓前驅(qū)體源之上,所述出氣管路連接氣源瓶的一端,位于所述反應(yīng)前驅(qū)體的上部,所述出氣管路外設(shè)有加熱帶。通過使用本發(fā)明一種新型的ALD設(shè)備低飽和蒸汽壓前驅(qū)體源加熱方式,有效地通過準(zhǔn)確控制氣源溫度,以及提高加熱帶溫度設(shè)定,有效的加速前驅(qū)體源擴散,有效地減少氣體殘余,從而達(dá)到提高反應(yīng)速率,提高了設(shè)備的利用率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于ALD(原子層沉積)設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域,具體涉及一種新型的ALD設(shè)備前驅(qū)體源載氣加熱方法
背景技術(shù)
原子層沉積(Atom layer deposition,簡稱ALD)工藝由于其優(yōu)異的臺階覆蓋率,精確的厚度控制,較低的反應(yīng)溫度,良好的薄膜性能等,而被認(rèn)為是一種較大潛力的薄膜制備工藝。但現(xiàn)有ALD設(shè)備結(jié)構(gòu)中載氣加熱形式為加熱帶纏繞在管路上對管路加熱,從而對流經(jīng)管路中的氣體加熱。這就存在幾個問題:①管道較細(xì),加熱帶纏繞工序復(fù)雜不方便②加熱帶直接與金屬接觸,存在安全隱患③加熱帶多層覆蓋纏繞,局部溫度高,易燒毀④由于載氣持續(xù)流動,經(jīng)過管路后的溫度呈現(xiàn)不規(guī)律形式不能保證持續(xù)一致,這就導(dǎo)致前軀體活性降低,影響反應(yīng)效率。前驅(qū)體源這種加熱方法需要其反復(fù)的進行反應(yīng)氣體的開關(guān)(如要生成10納米的薄膜,大約需要反復(fù)開關(guān)100次)和使用前驅(qū)體氣源,容易形成管路的氣體殘余和聚積(特別是在管路上低溫的點上)。而且傳統(tǒng)的方法只對前驅(qū)體加熱,由于反應(yīng)重復(fù)速度快,氣源的溫度沒有辦法保證,從而造成降低前驅(qū)體活性,并且易造成管道的堆積,會周期性的產(chǎn)生顆粒問題。管路中高溫載氣分子少,不能很好的帶出低飽和蒸汽壓前驅(qū)體源分子,且易在管道上沉積顆粒,造成堵塞。另外,目前在薄膜沉積中,經(jīng)過一定反應(yīng)周期,需要進行氣源更換和管路清洗。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明公開了一種新型的ALD設(shè)備前驅(qū)體源載氣加熱方法,用以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于對傳輸管道加熱帶進行加熱方式,其反復(fù)的進行反應(yīng)氣體的開關(guān),使反應(yīng)氣體溫度降低不可控,隨著反應(yīng)的進行造成前驅(qū)體活性降低影響反應(yīng)進程,并且易造成管道顆粒堆積問題。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種新型的ALD設(shè)備前驅(qū)體源載氣加熱方法,包括質(zhì)量流量計、進氣管路、前驅(qū)體體源瓶、反應(yīng)前軀體、出氣管路、反應(yīng)腔,所述的前驅(qū)體源載氣加熱方法還包括快速響應(yīng)閥、熱交換器。
進一步的,所述的快速響應(yīng)閥一個設(shè)置于進氣管路上,另一個設(shè)置于出氣口管路。
進一步的,所述的進氣載氣加熱組件設(shè)置在質(zhì)量流量計與快速響應(yīng)閥之間,并與口氣管路連接;所述的出氣載氣加熱組件設(shè)置在進氣管路與出氣管路接口處的上端。
進一步的,所述的熱交換器(8)與熱交換器(9)為LINTEC HX-0100C。
進一步的,所述出氣管路(5)與進氣管路(2)在前驅(qū)體體源瓶(3)的上部連接;出氣管路(5)一端通入前軀體源瓶(3)中;另一端經(jīng)過熱交換器(9)經(jīng)過快速響應(yīng)閥(7)通向反應(yīng)腔(6)。
進一步的,所述的出氣管路(5)通入前軀體源瓶(3)的長度為距瓶口1/3。
進一步的,所述熱交換器(8)設(shè)定溫度為170度。
進一步的,所述熱交換器(9)設(shè)定溫度為170度。
進一步的,所述管路各處的連接均為密封方式連接,管路各處使用焊接密封,源瓶處采用VCR墊片與管道鎖死密閉連接,防止其他的氣體進入氣源瓶。。
進一步的,所述進氣管路(2)中通入的載氣為惰性氣體(N2)。
本發(fā)明有益效果:
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





