[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201810523022.4
• 申請日: 2018-05-28
• 公開（公告）號: CN109585292A
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 詹佳玲;劉孟岳;林瑋耿
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;張福根

1.一種半導體裝置的制造方法，包括：

形成一第一鰭片于一基底的一第一區上及一第二鰭片于該基底的一第二區上；

形成一第一柵極堆疊于該第一鰭片上及一第二柵極堆疊于該第二鰭片上；

形成一間隙物層于該第一鰭片、該第二鰭片、該第一柵極堆疊及該第二柵極堆疊上；

形成一第一掩模于該第二區的該間隙物層上，且該第一掩模覆蓋該第二鰭片；

形成該第一掩模后，將具有一第一摻雜型態的一第一摻雜質注入該第一鰭片上方的該間隙物層內；

移除該第一掩模；

執行一第一退火工藝，以將該第一摻雜質導入該第一鰭片；以及

外延成長一第一源極/漏極區于該第一鰭片內。

2.如權利要求1所述的方法，其中將具有該第一摻雜型態的該第一摻雜質注入該間隙物層內包括：

在一等離子體摻雜工藝的一第一脈沖的期間，形成一第一摻雜質層于該間隙物層及該第一掩模上；以及

在該等離子體摻雜工藝的一第二脈沖的期間，將該第一摻雜質注入該間隙物層內。

3.如權利要求2所述的方法，其中移除該第一掩模包括：

在該等離子體摻雜工藝后，通過一濕蝕刻工藝移除該第一摻雜質層及該第一掩模。

4.如權利要求3所述的方法，其中執行該第一退火工藝時，將該第一摻雜質導入該第一鰭片及該第一柵極堆疊。

5.如權利要求3所述的方法，其中執行該濕蝕刻工藝時，使用一硫酸過氧化氫混合物溶液。

6.如權利要求1所述的方法，其中執行該第一退火工藝時，將該第一摻雜質導入該第一柵極堆疊下方及該第一鰭片內。

7.一種半導體裝置的制造方法，包括：

形成由一基底凸出的一半導體鰭片；

沉積一間隙物層于該半導體鰭片上；

沉積該間隙物層于該半導體鰭片上后，以交替重復的步驟將一第一摻雜質注入該間隙物層，且沉積該第一摻雜質的一摻雜質層于該間隙物層上；

移除該摻雜質層；以及

執行一熱退火工藝，將該第一摻雜質從該間隙物層導入該半導體鰭片。

8.如權利要求7所述的方法，其中執行該等離子體摻雜工藝時使用一氣體源，其包括一第一前驅物氣體、一第二前驅物氣體及一惰性氣體，且該第一前驅物氣體包括該第一摻雜質。

9.一種半導體裝置，包括：

一鰭片，從一基底延伸；

一隔離區，圍繞該鰭片，且該隔離區被摻雜一第一摻雜型態的一第一摻雜質；

一柵極堆疊，位于該鰭片上；

一柵極間隙物，位于該鰭片上且與該柵極堆疊相鄰，該柵極間隙物被摻雜該第一摻雜質；

一輕摻雜區，位于該鰭片內，且位于該柵極間隙物下方，該輕摻雜區被摻雜該第一摻雜質；以及

一外延源極/漏極區，位于該鰭片內，該外延源極/漏極區延伸穿過該輕摻雜區，該外延源極/漏極區具有該第一摻雜型態。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，其中位于該輕摻雜區內的該第一摻雜質的一濃度，由該輕摻雜區的一頂部朝向該輕摻雜區的一底部的一方向逐漸減少，且位于該隔離區內的該第一摻雜質的一濃度，由該隔離區的一頂部朝向該隔離區的一底部的一方向逐漸減少。