[發明專利]一種通過貼膜改變SOI邊緣STIR的方法

有效

• 申請號: 201810521000.4
• 申請日: 2018-05-28
• 公開（公告）號: CN110544668B
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發明（設計）人: 劉洋
• 申請（專利權）人: 沈陽硅基科技有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

一種通過貼膜改變SOI邊緣STIR的方法，其以硅片為原材料，依次通過氧化、注入、鍵合、裂片、貼膜處理；貼膜要求是：使用貼膜設備貼膜過程中不能對SOI片正背面劃傷，設備吸附硅片時，不能掉落；使用藍膜，所需藍膜厚度在0?0.5mm；把膜貼在硅片背面，此時硅片背面存在膜；然后使用濃氫氟酸去掉硅片正面邊緣氧化層；再經過濃SC1去掉SOI背面膜，再經過SC1和SC2清洗，測試SOI邊緣STIR，此時的STIR小于0.3μm。本發明使用貼藍膜方式去掉邊緣氧化層，SITR較小；其替代了倒角工序，且得到SOI的STIR更好。本發明更適合工業化生產，可批量產出。其具有可預期的較為巨大的經濟價值和社會價值。

技術領域：

本發明涉及SOI(Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅；該技術是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層)的制造領域，特別提供了一種通過貼膜改變SOI邊緣STIR(局部平坦度)的方法。

背景技術：

現有技術中，近年來，隨著我國硅材料加工技術的不斷發展，人們對晶片加工過程中的加工質量及檢測方法已愈來愈引起重視。加工過程中的質量檢測已變得十分重要了。其中表征晶片加工參數的幾個重要幾何參數：彎曲度、厚度和總厚度變化的檢測及檢測方法尤為硅片生產廠家、器件生產廠家所關注。自動化程度很高的晶片檢測系統已經不斷問世。如美國ADE公司、TENCOR公司、TROPEL公司和SILTEC公司等均研制出了能滿足用戶對晶片檢測要求的自動檢測系統。例如ADE公司的700型晶片檢測系統。該系統是一種積木式結構,它除了可以檢晶片的彎曲度、厚度、總厚度變化以外,還能測量彎曲度(TIR)、厚度(FPD)、總厚度變化(LSL)等多種參數。還可進行電阻率、參雜類型、表面焦亮檢查等多種檢測。其自動化程度很高，片子的處理能力為60片/小時。還有像TROPEL公司的900型AutoSort晶片檢測系統,據稱它是目前唯一的檢測功能最全的自動晶片檢測系統。在晶片的加工過程中,由于晶片檢測的需要和應用程度是隨每個生產廠家的不同而有差異的。

因此，人們期望獲得一種具有操作性能夠靈活改變SOI邊緣STIR的方法。

發明內容：

本發明的目的是提供一種通過貼膜改變SOI邊緣STIR的方法。

本發明提供了一種通過貼膜改變SOI邊緣STIR的方法，其特征在于：以硅片為原材料，首先依次通過氧化、注入、鍵合、裂片、貼膜處理；其中：貼膜的技術要求是：使用貼膜設備貼膜過程中不能對SOI片正背面劃傷，設備吸附硅片時，不能掉落；所需藍膜厚度在0-0.5mm，半導體行業所用藍膜即可；把膜貼在硅片背面，此時硅片背面存在膜；然后使用濃氫氟酸去掉硅片正面邊緣氧化層(此時硅片背面存在膜，不會對SOI背面造成損傷)，再經過濃SC1去掉SOI背面膜，再經過SC1和SC2清洗(SC1和SC2為行業標準進行清洗)，通過9600設備測試SOI邊緣STIR，此時的STIR小于0.3μm。硅片原材料的電阻率和晶向根據實際需求選擇。

所述通過貼膜改變SOI邊緣STIR的方法，優選的技術要求是：

所述氧化工藝步驟具體為：將所述硅片原材料的一側表面上進行氧化，獲得帶有氧化層的硅片；然后進行清洗去除表面污染物，然后使用測試設備測試該帶有氧化層的硅片表面顆粒情況、氧化層的厚度及其他各項參數，選擇符合要求的硅片備用。

所述注入工藝步奏具體為：將帶有氧化層的硅片，進行注入H⁺，注入到產品所需深度；按照具體的注入條件即能量、劑量、束流大小、角度要求進行，注入后按照下述要求進行清洗：使用濃硫酸，SC1,SC2清洗；以便去除表面污染物，然后使用測試設備測試該帶有注入氧化層的硅片表面顆粒、幾何參數及其他各項參數，選擇符合條件(產品不同，不能統一)的硅片備用。