[發明專利]一種通過貼膜改變SOI邊緣STIR的方法

有效

• 申請號: 201810521000.4
• 申請日: 2018-05-28
• 公開（公告）號: CN110544668B
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發明（設計）人: 劉洋
• 申請（專利權）人: 沈陽硅基科技有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種通過貼膜改變SOI邊緣STIR的方法，其特征在于：以硅片為原材料，首先依次通過氧化、注入、鍵合、裂片、貼膜處理；其中：貼膜的技術要求是：使用貼膜設備貼膜過程中不能對SOI片正背面劃傷，設備吸附硅片時，不能掉落；使用藍膜，所需藍膜厚度在0-0.5mm；把膜貼在硅片背面，此時硅片背面存在膜；然后使用濃氫氟酸去掉硅片正面邊緣氧化層；此時硅片背面存在膜，故此不會對SOI背面造成損傷；再經過濃SC1去掉SOI背面膜，再經過SC1和SC2清洗，通過設備測試SOI邊緣STIR，此時的STIR小于0.3μm。

2.按照權利要求1所述通過貼膜改變SOI邊緣STIR的方法，其特征在于：所述氧化工藝步驟具體為：將所述硅片的一側表面上進行氧化，獲得帶有氧化層的硅片；然后進行清洗去除表面污染物，然后使用測試設備測試該帶有氧化層的硅片表面顆粒情況、氧化層的厚度及其他各項參數，選擇符合要求的硅片備用。

3.按照權利要求2所述通過貼膜改變SOI邊緣STIR的方法，其特征在于：所述注入工藝步驟具體為：將帶有氧化層的硅片，進行注入H+，注入到產品所需深度；按照具體的注入條件即能量、劑量、束流大小、角度要求進行，注入后按照下述要求進行清洗：使用濃硫酸，SC1,SC2清洗；以便去除表面污染物，然后使用測試設備測試該帶有注入氫離子的硅片表面顆粒、幾何參數及其他各項參數，選擇符合條件的硅片備用。

4.按照權利要求3所述通過貼膜改變SOI邊緣STIR的方法，其特征在于：所述鍵合工藝步驟具體為：再準備一個硅片，該具體為氧化片或光片，且其電阻率和晶向根據需求選取，對這一新硅片進行表面清洗去除表面自然氧化層及表層污染物后，使用測試設備測試硅片表面顆粒情況，將符合要求的硅片與注入的硅片進行鍵合，所得到的鍵合片進行100-350℃的低溫退火，即獲得帶有注入的鍵合片。

5.按照權利要求4所述通過貼膜改變SOI邊緣STIR的方法，其特征在于：所述裂片過程為：將鍵合片放入裂片機內，使用如下的裂片工藝處理：硅片在腔室中升溫到100-200℃，保溫10-30min；開啟微波磁控頭，進行裂片，時間為1-10min，裂片后可得到SOI產品。

6.按照權利要求5所述通過貼膜改變SOI邊緣STIR的方法，其特征在于：所述低溫退火的具體要求是：是在鍵合后與裂片前進行低溫退火，低溫退火溫度在100-300℃2-5小時。