[發(fā)明專利]一種太陽能電池組件及其封裝方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810517317.0 | 申請日: | 2018-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN108767058A | 公開(公告)日: | 2018-11-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張娟;李兆女 | 申請(專利權)人: | 北京漢能光伏投資有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/048 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 陳丹;張奎燕 |
| 地址: | 101400 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池組件 次層 封裝 熱壓 生產周期 裝飾材料層 材料運用 層壓工藝 裝飾材料 組件封裝 耐高溫 阻水膜 產能 內膠 貼合 粘貼 芯片 鋪設 局限 | ||
一種太陽能電池組件及其封裝方法,所述封裝方法包括:在芯片的第一面和第二面上均依次鋪設內膠膜和阻水膜,進行單次層壓,得到單次層壓組件;將所述單次層壓組件與裝飾材料層通過熱壓或粘貼的方式進行貼合,得到所述太陽能電池組件;其中,所述熱壓的溫度為100℃~260℃,時間為2秒~60秒。所述方法簡化了工藝,縮短了生產周期,提升了產能,而且打破了采用層壓工藝時必須選用長時間耐高溫裝飾材料的局限,可將多種材料運用于組件封裝中,滿足產品多樣化的需求。
技術領域
本申請涉及但不限于太陽能電池領域,具體地,涉及但不限于一種太陽能電池組件及其封裝方法。
背景技術
隨著太陽能電池技術的快速發(fā)展,人們對太陽能電池產品運用的需求越來越多,且不再僅僅滿足于太陽能電池的發(fā)電需求,更需要其滿足方便攜帶、可折疊或者可與現有產品直接融合的性能,柔性太陽能電池組件應運而生。
現有柔性組件封裝,特別是可折疊柔性組件多采用多次層壓的方式進行封裝,第一次層壓完成子串的封裝,以達到降低水汽侵蝕和提高組件可靠性的效果。第一次層壓封裝得到的子串結構如圖1所示,為阻水膜3/膠膜2/芯片1/膠膜2/阻水膜3的結構。然后進行二次至多次層壓以完成子串串接、窗口材料及底層材料的封裝,二次至多次層壓后得到的結構如圖2所示,可包括乙烯-聚四氟乙烯(ethylene-tetra-fluoro-ethylene,ETFE)層7/膠膜2/窗口材料5/膠膜2/串接的子串4/膠膜2/底層材料6等層,以達到抗老化、可折疊及美觀的目的。
發(fā)明內容
以下是對本文詳細描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權利要求的保護范圍。
現有的太陽能電池組件在封裝時,多采用ETFE作為封裝材料以提高電池組件的抗老化能力,該封裝方法可以達到組件柔性好、可折疊等需求,但是本申請的發(fā)明人發(fā)現其也存在以下缺點:由于ETFE材料的使用,封裝時層壓工藝的溫度達到120℃~180℃,時間長達30min~120min,這就需要材料能長時間的經受高溫,對材料的要求比較高,局限了窗口材料和底層材料等裝飾材料的選擇范圍;同時,ETFE材料價格高,不利于生產成本的降低;并且,使用ETFE材料的電池組件厚度大,不利于電池組件的小型化、柔性化;此外,多次層壓工藝的應用,需進行多次定位,工藝復雜,生產周期長。
為了解決上述問題,本申請?zhí)峁┝艘环N太陽能電池組件的封裝方法,所述方法包括:在芯片的第一面和第二面上均依次鋪設內膠膜和阻水膜,進行單次層壓,得到單次層壓組件;將單次層壓組件與裝飾材料層通過熱壓或粘貼的方式進行貼合,得到太陽能電池組件;其中,所述熱壓的溫度為100℃~260℃,時間為2秒~60秒。
在一些實施方式中,該封裝方法還可以包括:在芯片的第一面和第二面上均依次鋪設內膠膜和阻水膜之后,在進行單次層壓之前,在芯片的第一面和/或第二面的阻水膜上鋪設外膠膜。
在一些實施方式中,該封裝方法還可以包括:在得到單次層壓組件之后,將單次層壓組件與裝飾材料層貼合之前,在單次層壓組件的第一面和/或第二面上鋪設外膠膜。
在一些實施方式中,單次層壓的溫度可以為100℃~160℃,時間可以為10分鐘~45分鐘,壓力可以為10kPa~90kPa。
在一些實施方式中,芯片可以為單體芯片,或由復數個單體芯片串聯和/或并聯形成。
在一些實施方式中,單體芯片可以為柔性襯底芯片、單晶硅太陽能電池芯片或多晶硅太陽能電池芯片;其中柔性襯底芯片可以為銅銦鎵硒薄膜太陽能電池(CuInxGa(1-x)Se2,CIGS)芯片、砷化鎵(GaAs)薄膜太陽能電池芯片或硅基薄膜太陽能電池芯片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





