[發明專利]帶異物檢測功能的基板吸附設備及異物檢測方法有效
| 申請號: | 201810515415.0 | 申請日: | 2018-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN108630586B | 公開(公告)日: | 2021-03-02 |
| 發明(設計)人: | 高攀 | 申請(專利權)人: | TCL華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/66 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂;王中華 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 異物 檢測 功能 吸附 設備 方法 | ||
本發明提供了一種帶異物檢測功能的基板吸附設備及異物檢測方法。所述帶異物檢測功能的基板吸附設備通過在對應基板中心點的第一頂針上安裝信號收發裝置,通過信號收發裝置發射檢測信號,并根據檢測信號的反射情況,判斷基板的背面是否存在異物,從而在真空吸附之前對基板的背面進行異物檢測,防止因異物導致制程不良或破片。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種帶異物檢測功能的基板吸附設備及異物檢測方法。
背景技術
隨著顯示技術的發展,液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)和有機發光二極管顯示器(Organic Light-Emitting Diode,OLED)等平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄及應用范圍廣等優點,而被廣泛的應用于手機、電視、個人數字助理、數字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產品,成為顯示裝置中的主流。
以液晶顯示面板為例,通常液晶顯示面板由彩膜基板(CF,Color Filter)、薄膜晶體管基板(TFT,Thin Film Transistor)、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封膠框(Sealant)組成,其成型工藝一般包括:前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅動IC與印刷電路板壓合)。其中,前段Array制程主要是形成TFT基板,以便于控制液晶分子的運動;中段Cell制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶;后段模組組裝制程主要是驅動IC壓合與印刷電路板的整合,進而驅動液晶分子轉動,顯示圖像。
在液晶顯示器和有機發光二極管顯示器的制作過程中,均包括光阻涂布和基板曝光等制程,這些制程在進行時,均需要將基板通過真空吸附固定在真空吸附平臺上,使得基板在制程過程中保持在準確的固定位置,保證光阻涂布或曝光時圖形轉印的完整性和精確性,避免基板在制程過程中發生移位。
現有技術在進行光阻涂布和基板曝光前通常都會通過光電傳感器對基板的正面進行異物檢測,以防止異物影響制程良率,而對基板的背面可能存在的異物卻缺少檢測,但實際上基板的背面的異物也會對制程良率造成負面影響,具體表現在基板真空吸附時,由于基板的背面異物的影響,可能會導致真空吸附失敗或真空吸附程度不一致,使得基板各部分高度存在差異,影響涂布和曝光精度,當異物粒徑較大時,由于吸真空時基板的區域受力不均還可能會發生破片,從而造成機臺機構損傷,影響產能推進。
發明內容
本發明的目的在于提供一種帶異物檢測功能的基板吸附設備,能夠在真空吸附之前對基板的背面進行異物檢測,防止因異物導致制程不良或破片。
本發明的目的還在于提供一種異物檢測方法,能夠在真空吸附之前對基板的背面進行異物檢測,防止因異物導致制程不良或破片。
為實現上述目的,本發明提供了一種帶異物檢測功能的基板吸附設備,包括:真空吸附平臺、設于所述真空吸附平臺上的一個第一頂針、設于所述真空吸附平臺上的均勻分布于所述第一頂針四周的多個第二頂針、安裝于所述第一頂針上的能圍繞第一頂針旋轉的信號收發裝置以及與所述第一頂針、第二頂針及信號收發裝置電性連接的控制模塊,所述第一頂針和第二頂針均能沿垂直于所述真空吸附平臺的方向進行升降。
所述信號收發裝置為電磁信號收發裝置、光電信號收發裝置或脈沖信號收發裝置。
所述第一頂針和第二頂針的材料均為特氟龍或環氧樹脂。
所述第二頂針的數量為24個,所述24個第二頂針與第一頂針共同排列成5行5列且所述第一頂針位于第3行第3列。
本發明還提供一種異物檢測方法,應用于上述的帶異物檢測功能的基板吸附設備,包括如下步驟:
提供一基板,所述控制模塊控制所述第一頂針和第二頂針升起,將基板放置到所述第一頂針和第二頂針上,且所述基板的中心點對應位于所述第一頂針上;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





