[發(fā)明專利]一種直拉硅單晶的溫度控制方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810514747.7
• 申請日: 2018-05-25
• 公開（公告）號: CN110528067B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發(fā)明（設計）人: 王正遠;李僑;周銳;徐戰(zhàn)軍
• 申請（專利權）人: 隆基綠能科技股份有限公司
• 主分類號: C30B15/20
• 分類號: C30B15/20;C30B29/06
• 代理公司: 西安弘理專利事務所 61214
• 代理人: 鐘歡

1.一種直拉硅單晶的溫度控制方法，用于硅單晶等徑生長過程自動調(diào)節(jié)溫度，其特征在于，包括步驟：確定平均晶體生長速度V并輸出；設定目標晶體生長速度V_S，并計算平均晶體生長速度V和目標晶體生長速度V_S的偏差?V；依據(jù)?V，確定功率設定值Pr并輸出，進而調(diào)節(jié)溫度；

所述確定平均晶體生長速度V，包括步驟：設定目標晶體生長直徑D_S，測量實際晶體生長直徑D，計算實際晶體生長直徑D與目標晶體生長直徑D_S的偏差?D；

所述確定平均晶體生長速度V，還包括步驟：依據(jù)?D，采用PID算法，以等徑過程晶體拉速的調(diào)節(jié)周期t3為固定周期，計算晶體生長速度設定值V_d：

（1）；

公式（1）中，P、I、D代表調(diào)節(jié)參數(shù)；

所述確定平均晶體生長速度V，還包括步驟：設定晶體生長速度初始值V_i，以平均晶體生長速度計算周期t1為固定周期，計算平均晶體生長速度V并輸出，所述平均晶體生長速度V計算公式為：

。

2.根據(jù)權利要求1所述的直拉硅單晶的溫度控制方法，其特征在于，所述t3不大于10s。

3.根據(jù)權利要求1所述的直拉硅單晶的溫度控制方法，其特征在于，所述t1的范圍為100-3000s。

4.根據(jù)權利要求1所述的直拉硅單晶的溫度控制方法，其特征在于，所述確定功率設定值Pr，包括步驟：設定功率初始值P_i，計算所述功率設定值Pr，計算公式為：

Pr=P_i +?Power，

其中，?Power為功率調(diào)節(jié)量。

5.根據(jù)權利要求4所述的直拉硅單晶的溫度控制方法，其特征在于，所述確定功率設定值Pr，還包括步驟：依據(jù)?V，采用PID算法，以等徑過程功率調(diào)節(jié)周期t2為固定周期，計算?Power。

6.根據(jù)權利要求5所述的直拉硅單晶的溫度控制方法，其特征在于，所述確定功率設定值Pr，還包括步驟：以t2為固定周期，確定所述功率設定值Pr并輸出，進而調(diào)節(jié)溫度。

7.根據(jù)權利要求6所述的直拉硅單晶的溫度控制方法，其特征在于，所述t2的范圍為100-3000s。