[發明專利]一種折射率可調的SiO2 有效
| 申請號： | 201810513311.6 | 申請日： | 2018-05-25 |
| 公開（公告）號： | CN108761581B | 公開（公告）日： | 2020-05-12 |
| 發明（設計）人： | 陶朝友;張林;鄒鑫書;嚴鴻維;袁曉東 | 申請（專利權）人： | 中國工程物理研究院激光聚變研究中心 |
| 主分類號： | G02B1/113 | 分類號： | G02B1/113;C03C17/25 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 李倩 |
| 地址： | 621999 四川省綿*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 折射率 可調 sio base sub | ||
1.一種折射率可調的SiO2減反射膜的制備方法，其特征在于：該制備方法將六甲基二硅胺烷與正硅酸乙酯同時作為原料加入反應液中合成SiO2溶膠，再采用浸漬提拉法在基底上鍍堿催化的SiO2膜；
上述方法具體包括如下步驟：
步驟1，按一定摩爾比將含Si原料加入至無水乙醇、氨水和水的混合液中，于室溫下攪拌均勻后靜置20天，得到堿催化的SiO2溶膠；其中，所述含Si原料為正硅酸乙酯和六甲基二硅胺烷的混合物，SiO2溶膠中，六甲基二硅胺烷與正硅酸乙酯的摩爾比為0.1～0.4或0.8～0.9；正硅酸乙酯和六甲基二硅胺烷混合物中的Si總量、水、無水乙醇和氨水的加入摩爾比為1∶3.25∶37.6∶0.17；
步驟2，在相對濕度環境＜50％的環境下，將經過預處理的基底浸入步驟1的SiO2溶膠中，采用浸漬提拉法在基底上鍍堿催化的SiO2膜，其中，提拉速度為80mm.min-1。
2.根據權利要求1所述的折射率可調的SiO2減反射膜的制備方法，其特征在于：步驟1中，所述SiO2溶膠的質量百分濃度為3％。
3.根據權利要求1所述的折射率可調的SiO2減反射膜的制備方法，其特征在于：步驟1中，所述氨水的質量百分濃度為28％。
4.根據權利要求1所述的折射率可調的SiO2減反射膜的制備方法，其特征在于：步驟2中，所述基底為硅片、K9玻璃基片、熔石英或普通玻璃中的任意一種。
5.根據權利要求1所述的折射率可調的SiO2減反射膜的制備方法，其特征在于：步驟2中，所述基底的預處理是指將基底放入洗液中充分洗滌后，再分別用無水乙醇和去離子水經超聲波充分清洗，然后用氮氣吹干。
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