[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810508938.2
• 申請(qǐng)日: 2018-05-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108933117A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭朝元;黃天建
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/528
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/528
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

一種半導(dǎo)體裝置包括形成在襯底上的第一層級(jí)、第二層級(jí)、及第三層級(jí)。所述第一層級(jí)形成在所述襯底上，所述第二層級(jí)形成在所述第一層級(jí)上，且所述第三層級(jí)形成在所述第二層級(jí)上。所述第二層級(jí)包括被配置成傳送信號(hào)的第一內(nèi)連線。所述第一層級(jí)設(shè)置在所述第二層級(jí)的所述第一內(nèi)連線正下方的一部分缺少(lack)內(nèi)連線，且所述第三層級(jí)設(shè)置在所述第二層級(jí)的所述第一內(nèi)連線正上方的一部分缺少內(nèi)連線。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體裝置。更具體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明實(shí)施例涉及一種包括通過(guò)至少一個(gè)層級(jí)與其他內(nèi)連線間隔開(kāi)的至少一內(nèi)連線的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

通常，在集成電路(integrated circuit，IC)中，使用設(shè)置在集成電路的有源裝置上的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)連線(其中的每一者形成在相應(yīng)層級(jí)中)來(lái)將信號(hào)接點(diǎn)、電源接點(diǎn)及/或接地接點(diǎn)布線到其相應(yīng)的所需位置，并且也將相應(yīng)所耦合的有源裝置內(nèi)連以形成功能電路系統(tǒng)。隨著集成電路已根據(jù)集成電路的幾何尺寸的減小而變得更強(qiáng)大，內(nèi)連線已相應(yīng)地變得彼此更靠近。具體來(lái)說(shuō)，位于相鄰的層級(jí)中或位于同一層級(jí)中的內(nèi)連線通常在內(nèi)連線彼此足夠靠近時(shí)通過(guò)電磁耦合效應(yīng)而彼此耦合，且這會(huì)有效地形成耦合在內(nèi)連線之間的一個(gè)或多個(gè)寄生電容器。寄生電容器中的每一者具有相應(yīng)的寄生電容。

此種寄生電容會(huì)不利地對(duì)對(duì)應(yīng)的集成電路造成各種問(wèn)題。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)沿著集成電路的內(nèi)連線傳送關(guān)鍵信號(hào)(例如，電源信號(hào)、時(shí)脈信號(hào)(clock signal)等)時(shí)，此種在內(nèi)連線與一個(gè)或多個(gè)其他內(nèi)連線之間形成的寄生電容可使關(guān)鍵信號(hào)被目的地節(jié)點(diǎn)或裝置不合時(shí)宜地接收，即，延遲。繼而，集成電路的整體性能會(huì)受到不利影響。因此，傳統(tǒng)的用于在集成電路中形成內(nèi)連線的方法并非完全令人滿意。

發(fā)明內(nèi)容

一種半導(dǎo)體裝置包括形成在襯底上的第一層級(jí)、第二層級(jí)、及第三層級(jí)。所述第一層級(jí)形成在所述襯底上，所述第二層級(jí)形成在所述第一層級(jí)上，且所述第三層級(jí)形成在所述第二層級(jí)上。所述第二層級(jí)包括被配置成傳送信號(hào)的第一內(nèi)連線。所述第一層級(jí)設(shè)置在所述第二層級(jí)的所述第一內(nèi)連線正下方的一部分缺少(lack)內(nèi)連線，且所述第三層級(jí)設(shè)置在所述第二層級(jí)的所述第一內(nèi)連線正上方的一部分缺少內(nèi)連線。

附圖說(shuō)明

結(jié)合附圖閱讀以下詳細(xì)說(shuō)明，會(huì)最佳地理解本公開(kāi)的各方面。應(yīng)注意，各種特征未必是按比例繪制。事實(shí)上，為使論述清晰起見(jiàn)，可任意增大或減小各種特征的尺寸及幾何形狀。

圖1是根據(jù)一些實(shí)施例用于形成半導(dǎo)體裝置的示例性方法的流程圖。

圖2A、圖2C、圖2E、圖2G、及圖2I是根據(jù)一些實(shí)施例通過(guò)圖1所示方法制作的示例性半導(dǎo)體裝置在各種制作階段期間的俯視圖。

圖2B、圖2D、圖2F、圖2H、及圖2J是根據(jù)一些實(shí)施例沿著線所截取的圖2A、圖2C、圖2E、圖2G、及圖2I的對(duì)應(yīng)剖視圖。

圖3A是根據(jù)一些實(shí)施例通過(guò)圖1所示方法制作的示例性半導(dǎo)體裝置的俯視圖。

圖3B是根據(jù)一些實(shí)施例的圖3A的對(duì)應(yīng)剖視圖。

附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明

100：方法

102、104、106、108、110：操作

200、300：半導(dǎo)體裝置

202：襯底

204-1、204-2、204-3、204-4、204-5、204-6、204-7、204-8：導(dǎo)電特征