[發明專利]一種化學氣相淀積機臺及處理機臺報警的方法

有效

• 申請號: 201810503740.5
• 申請日: 2018-05-23
• 公開（公告）號: CN108754458B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 謝素蘭
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: C23C16/52
• 分類號: C23C16/52;C23C16/458;H01L21/67
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

本發明公開了一種化學氣相淀積機臺及處理機臺報警的方法，涉及半導體制造工藝技術領域。所述化學氣相淀積機臺包括基座和傳送裝置，所述傳送裝置用于帶動一晶圓朝靠近或遠離所述基座的方向運動，以使所述晶圓靠近所述基座并在所述基座上進行成膜反應，或使所述晶圓遠離所述基座。當機臺觸發報警時，所述化學氣相淀積機臺暫停工作，所述傳送裝置將晶圓抬起，使晶圓和基座保持分離；解除報警，所述傳送裝置將晶圓傳回基座上，化學氣相淀積機臺恢復工作。所述化學氣相淀積機臺及處理機臺報警的方法可防止機臺觸發報警后，高溫基座繼續加熱晶圓，防止反應腔內的殘留氣體在晶圓表面進行成核反應，逐漸形成缺陷，最終導致晶圓報廢。

技術領域

本發明涉及半導體制造工藝技術領域，尤其是一種化學氣相淀積機臺及處理機臺報警的方法。

背景技術

化學氣相淀積(CVD)是利用氣相反應，在高溫、等離子或激光輔助等條件下控制反應氣壓、氣流速率、基片材料溫度等因素，從而控制納米微粒薄膜的成核生長過程；或者通過薄膜后處理，控制非晶薄膜的晶化過程，從而獲得納米結構的薄膜材料的方法。目前，在芯片制造過程中，大部分所需的薄膜材料，不論是導體、半導體，或是介電材料，都可以用化學氣相淀積來制備，如二氧化硅膜、氮化硅膜、多晶硅膜等。它具有淀積溫度低，薄膜成分和厚度易控，薄膜厚度與淀積時間成正比，均勻性與重復性好，臺階覆蓋好，操作方便等優點。其中淀積溫度低和臺階覆蓋好對超大規模集成電路的制造十分有利。化學氣相淀積法在半導體工業中應用廣泛的，是目前集成電路生產過程中最重要的薄膜淀積方法。

化學氣相淀積工藝是半導體工藝中非常重要的一個環節，導電薄膜層和絕緣薄膜層對能否在硅襯底上成功制作出半導體器件而言至關重要。Vector機臺是化學氣相淀積工藝的一種主流機臺，幾乎可以用于淀積各種性質的導電薄膜層和絕緣薄膜層，應用非常廣泛。在晶圓傳送或淀積過程中，機臺發生異常報警，程式停止，晶圓停留在反應腔內的基座上，基座繼續加熱晶圓，反應腔內的殘留氣體在晶圓表面進行成核反應，逐漸形成缺陷，晶圓在反應腔內停留的時間越久，形成缺陷的幾率越高，最終導致晶圓報廢。

發明內容

本發明的目的在于提供一種化學氣相淀積機臺及方法，防止在淀積過程中，化學氣相淀積機臺發生異常報警后，程式停止，晶圓停留在反應腔內的基座上，反應腔內的殘留氣體在晶圓表面進行成核反應，逐漸形成缺陷，最終導致晶圓報廢。

為了達到上述目的，本發明提供了一種化學氣相淀積機臺，其特征在于，包括基座和傳送裝置，所述傳送裝置用于帶動一晶圓朝靠近或遠離所述基座的方向運動，以使所述晶圓靠近所述基座并在所述基座上進行成膜反應，或使所述晶圓遠離所述基座。

可選的，所述傳送裝置包括支架和承載部件，所述承載部件與所述支架的一端連接，所述承載部件用于承載所述晶圓，所述支架能夠沿其延伸方向直線運動以帶動所述承載部件朝靠近或遠離所述基座的方向運動。

可選的，所述基座數量為多個，所述傳送裝置還用于帶動所述晶圓運動，以使所述晶圓從其中一個基座上方運動至另一個基座上方。

可選的，所述傳送裝置包括支架和承載部件，所述承載部件與所述支架的一端連接，所述承載部件用于承載所述晶圓，所述支架能夠沿其延伸方向直線運動以帶動所述承載部件朝靠近或遠離所述基座的方向運動，并且所述支架能夠自轉以帶動所述承載部件所述承載部件從其中一個基座上方運動至另一個基座上方。

可選的，所述承載部件的數量為多個，每個所述承載部件均與所述支架的一端連接，所述支架自轉時帶動所述多個承載部件同步轉動。

可選的，所述承載部件的數量為4個，所述基座的數量為4個，4個所述承載部件關于所述支架對稱分布，且4個所述基座關于所述支架對稱分布。

可選的，所述承載裝置為托盤。

本發明還提供一種處理機臺報警的方法，所述機臺為本節前文所述的化學氣相淀積機臺，所述處理機臺報警的方法包括以下步驟：