[發明專利]聚電解質雜化中空二氧化硅納米顆粒及其制備方法與應用

有效

• 申請號: 201810503456.8
• 申請日: 2018-05-23
• 公開（公告）號: CN108434122B
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 朱錦濤;劉倩倩;周雅捷;陶娟;張連斌;李鈺策;殷小燕
• 申請（專利權）人: 華中科技大學;華中科技大學同濟醫學院附屬協和醫院
• 主分類號: A61K9/51
• 分類號: A61K9/51;A61K47/34;A61K47/04;A61K39/39;A61P35/00;A61P31/12
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 曹葆青;李智

1.一種聚電解質雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒，其特征在于，所述聚電解質雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒內部為中空結構，外部殼層為聚電解質與二氧化硅的雜化結構；所述聚電解質與二氧化硅通過靜電和氫鍵相互作用形成所述雜化結構；所述殼層分布有介孔；

所述聚電解質雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒的制備方法，包含以下步驟：

(1)硅源發生水解縮聚反應，所得產物與表面活性劑在實心二氧化硅納米顆粒表面自組裝形成殼層結構，得到具有核殼結構的二氧化硅納米顆粒；

(2)將步驟(1)得到的核殼結構的二氧化硅納米顆粒分散于堿性溶液中，在20℃-80℃條件下攪拌，所述核殼結構的二氧化硅納米顆粒內核的實心二氧化硅部分水解，形成多孔二氧化硅；離心后取沉淀，洗去所述殼層結構的表面活性劑，得到具有核殼結構的介孔二氧化硅納米顆粒；

(3)向步驟(2)得到的具有核殼結構的介孔二氧化硅納米顆粒中加入聚電解質，使聚電解質與所述具有核殼結構的介孔二氧化硅納米顆粒充分混勻；然后在25℃-98℃條件下刻蝕0.1h-72h，即得到聚電解質雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒。

2.如權利要求1所述的聚電解質雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒，其特征在于，所述聚電解質雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒的直徑為20nm-1000nm；所述殼層的厚度為2nm-250nm；所述介孔的直徑為0.5nm-50nm；所述聚電解質雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒的聚電解質的重量百分比為0.1wt％-50wt％。

3.如權利要求1所述的聚電解質雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒，其特征在于，所述聚電解質為聚乙烯亞胺及其衍生物、聚賴氨酸及其衍生物、聚二烯丙基二甲基氯化銨及其衍生物、二乙氨乙基葡聚糖及其衍生物、聚乙烯胺及其衍生物、聚乙烯吡咯烷酮及其衍生物、聚烯丙基胺及其衍生物、殼聚糖及其衍生物、聚(β-氨基酯)及其衍生物或聚乙烯吡啶及其衍生物。

4.一種聚電解質雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒的制備方法，其特征在于，包含以下步驟：

(1)硅源發生水解縮聚反應，所得產物與表面活性劑在實心二氧化硅納米顆粒表面自組裝形成殼層結構，得到具有核殼結構的二氧化硅納米顆粒；

(2)將步驟(1)得到的核殼結構的二氧化硅納米顆粒分散于堿性溶液中，在20℃-80℃條件下攪拌，所述核殼結構的二氧化硅納米顆粒內核的實心二氧化硅部分水解，形成多孔二氧化硅；離心后取沉淀，洗去所述殼層結構的表面活性劑，得到具有核殼結構的介孔二氧化硅納米顆粒；

(3)向步驟(2)得到的具有核殼結構的介孔二氧化硅納米顆粒中加入聚電解質，使聚電解質與所述具有核殼結構的介孔二氧化硅納米顆粒充分混勻；然后在25℃-98℃條件下刻蝕0.1h-72h，即得到聚電解質雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒。

5.如權利要求4所述的聚電解質雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒的制備方法，其特征在于，步驟(3)中所述聚電解質為聚乙烯亞胺及其衍生物、聚賴氨酸及其衍生物、聚二烯丙基二甲基氯化銨及其衍生物、二乙氨乙基葡聚糖及其衍生物、聚乙烯胺及其衍生物、聚乙烯吡咯烷酮及其衍生物、聚烯丙基胺及其衍生物、殼聚糖及其衍生物、聚(β-氨基酯)及其衍生物或聚乙烯吡啶及其衍生物。

6.如權利要求5所述的聚電解質雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述聚乙烯亞胺為支鏈聚乙烯亞胺或直鏈聚乙烯亞胺；所述聚乙烯亞胺的分子量為0.2kDa-200kDa；所述聚乙烯亞胺的濃度為0.01mg/mL-30mg/mL。

7.如權利要求4所述的聚電解質雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述硅源為正硅酸乙酯、正硅酸甲酯、三甲基乙氧基硅烷或硅酸鈉；步驟(2)中所述堿性溶液的濃度為0.1mol/L-0.8mol/L，攪拌的時間為0.1h-24h。

8.如權利要求4所述的聚電解質雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒的制備方法，其特征在于，步驟(3)中所述刻蝕之后，還包括離心并洗去游離的聚電解質的步驟。