[發(fā)明專(zhuān)利]聚電解質(zhì)雜化中空二氧化硅納米顆粒及其制備方法與應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810503456.8
• 申請(qǐng)日: 2018-05-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108434122B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱錦濤;劉倩倩;周雅捷;陶娟;張連斌;李鈺策;殷小燕
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 華中科技大學(xué);華中科技大學(xué)同濟(jì)醫(yī)學(xué)院附屬協(xié)和醫(yī)院
• 主分類(lèi)號(hào): A61K9/51
• 分類(lèi)號(hào): A61K9/51;A61K47/34;A61K47/04;A61K39/39;A61P35/00;A61P31/12
• 代理公司: 華中科技大學(xué)專(zhuān)利中心 42201
• 代理人: 曹葆青;李智

1.一種聚電解質(zhì)雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒，其特征在于，所述聚電解質(zhì)雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒內(nèi)部為中空結(jié)構(gòu)，外部殼層為聚電解質(zhì)與二氧化硅的雜化結(jié)構(gòu)；所述聚電解質(zhì)與二氧化硅通過(guò)靜電和氫鍵相互作用形成所述雜化結(jié)構(gòu)；所述殼層分布有介孔；

所述聚電解質(zhì)雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒的制備方法，包含以下步驟：

(1)硅源發(fā)生水解縮聚反應(yīng)，所得產(chǎn)物與表面活性劑在實(shí)心二氧化硅納米顆粒表面自組裝形成殼層結(jié)構(gòu)，得到具有核殼結(jié)構(gòu)的二氧化硅納米顆粒；

(2)將步驟(1)得到的核殼結(jié)構(gòu)的二氧化硅納米顆粒分散于堿性溶液中，在20℃-80℃條件下攪拌，所述核殼結(jié)構(gòu)的二氧化硅納米顆粒內(nèi)核的實(shí)心二氧化硅部分水解，形成多孔二氧化硅；離心后取沉淀，洗去所述殼層結(jié)構(gòu)的表面活性劑，得到具有核殼結(jié)構(gòu)的介孔二氧化硅納米顆粒；

(3)向步驟(2)得到的具有核殼結(jié)構(gòu)的介孔二氧化硅納米顆粒中加入聚電解質(zhì)，使聚電解質(zhì)與所述具有核殼結(jié)構(gòu)的介孔二氧化硅納米顆粒充分混勻；然后在25℃-98℃條件下刻蝕0.1h-72h，即得到聚電解質(zhì)雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒。

2.如權(quán)利要求1所述的聚電解質(zhì)雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒，其特征在于，所述聚電解質(zhì)雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒的直徑為20nm-1000nm；所述殼層的厚度為2nm-250nm；所述介孔的直徑為0.5nm-50nm；所述聚電解質(zhì)雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒的聚電解質(zhì)的重量百分比為0.1wt％-50wt％。

3.如權(quán)利要求1所述的聚電解質(zhì)雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒，其特征在于，所述聚電解質(zhì)為聚乙烯亞胺及其衍生物、聚賴(lài)氨酸及其衍生物、聚二烯丙基二甲基氯化銨及其衍生物、二乙氨乙基葡聚糖及其衍生物、聚乙烯胺及其衍生物、聚乙烯吡咯烷酮及其衍生物、聚烯丙基胺及其衍生物、殼聚糖及其衍生物、聚(β-氨基酯)及其衍生物或聚乙烯吡啶及其衍生物。

4.一種聚電解質(zhì)雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒的制備方法，其特征在于，包含以下步驟：

(1)硅源發(fā)生水解縮聚反應(yīng)，所得產(chǎn)物與表面活性劑在實(shí)心二氧化硅納米顆粒表面自組裝形成殼層結(jié)構(gòu)，得到具有核殼結(jié)構(gòu)的二氧化硅納米顆粒；

(2)將步驟(1)得到的核殼結(jié)構(gòu)的二氧化硅納米顆粒分散于堿性溶液中，在20℃-80℃條件下攪拌，所述核殼結(jié)構(gòu)的二氧化硅納米顆粒內(nèi)核的實(shí)心二氧化硅部分水解，形成多孔二氧化硅；離心后取沉淀，洗去所述殼層結(jié)構(gòu)的表面活性劑，得到具有核殼結(jié)構(gòu)的介孔二氧化硅納米顆粒；

(3)向步驟(2)得到的具有核殼結(jié)構(gòu)的介孔二氧化硅納米顆粒中加入聚電解質(zhì)，使聚電解質(zhì)與所述具有核殼結(jié)構(gòu)的介孔二氧化硅納米顆粒充分混勻；然后在25℃-98℃條件下刻蝕0.1h-72h，即得到聚電解質(zhì)雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒。

5.如權(quán)利要求4所述的聚電解質(zhì)雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒的制備方法，其特征在于，步驟(3)中所述聚電解質(zhì)為聚乙烯亞胺及其衍生物、聚賴(lài)氨酸及其衍生物、聚二烯丙基二甲基氯化銨及其衍生物、二乙氨乙基葡聚糖及其衍生物、聚乙烯胺及其衍生物、聚乙烯吡咯烷酮及其衍生物、聚烯丙基胺及其衍生物、殼聚糖及其衍生物、聚(β-氨基酯)及其衍生物或聚乙烯吡啶及其衍生物。

6.如權(quán)利要求5所述的聚電解質(zhì)雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述聚乙烯亞胺為支鏈聚乙烯亞胺或直鏈聚乙烯亞胺；所述聚乙烯亞胺的分子量為0.2kDa-200kDa；所述聚乙烯亞胺的濃度為0.01mg/mL-30mg/mL。

7.如權(quán)利要求4所述的聚電解質(zhì)雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述硅源為正硅酸乙酯、正硅酸甲酯、三甲基乙氧基硅烷或硅酸鈉；步驟(2)中所述堿性溶液的濃度為0.1mol/L-0.8mol/L，攪拌的時(shí)間為0.1h-24h。

8.如權(quán)利要求4所述的聚電解質(zhì)雜化中空介孔二氧化硅納米顆粒的制備方法，其特征在于，步驟(3)中所述刻蝕之后，還包括離心并洗去游離的聚電解質(zhì)的步驟。