[發(fā)明專(zhuān)利]包括形成有鰭結(jié)構(gòu)的多柵極晶體管的半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810496326.6
• 申請(qǐng)日: 2018-05-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108962973B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金成玟;金洞院;裵金鐘
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 劉培培;黃隸凡

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件。所述半導(dǎo)體器件包括：襯底；多個(gè)鰭，包括第一鰭、第二鰭、第三鰭、第四鰭及第五鰭，所述多個(gè)鰭中的每一個(gè)在第一方向上從所述襯底突出并在與所述第一方向交叉的第二方向上彼此間隔開(kāi)；以及多個(gè)溝槽，包括第一溝槽、第二溝槽、第三溝槽及第四溝槽，所述多個(gè)溝槽中的每一個(gè)形成在所述多個(gè)鰭中的相鄰的鰭之間，其中所述第一溝槽的第一寬度及所述第三溝槽的第三寬度的變化小于第一變化，其中所述第二溝槽的第二寬度及所述第四溝槽的第四寬度的變化小于第二變化，且其中所述第二變化大于所述第一變化。

[相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考]

本申請(qǐng)主張2017年5月24日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提出申請(qǐng)的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第10-2017-0063988號(hào)的優(yōu)先權(quán)以及從所述韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)衍生出的所有權(quán)利，所述韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的內(nèi)容全文并入本申請(qǐng)供參考。

技術(shù)領(lǐng)域

根據(jù)示例性實(shí)施例的方法及裝置關(guān)于一種半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

已提出多柵極晶體管作為用于增大半導(dǎo)體器件的密度的一種按比例縮放技術(shù)，根據(jù)所述按比例縮放技術(shù)，在襯底上形成呈鰭或納米線(xiàn)形狀的硅本體，接著在硅本體的表面上形成柵極。

此種多柵極晶體管使得易于按比例縮放，這是由于此種多柵極晶體管使用三維溝道。另外，多柵極晶體管的電流控制能力可得到提高而不會(huì)使多柵極晶體管的柵極長(zhǎng)度增大。另外，可有效地抑制短溝道效應(yīng)(short channel effect，SCE)，否則短溝道效應(yīng)會(huì)減小多柵極晶體管對(duì)納米級(jí)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的溝道區(qū)的控制能力。

發(fā)明內(nèi)容

以下公開(kāi)了一種操作性能得到改善的半導(dǎo)體器件。

根據(jù)示例性實(shí)施例的一方面，提供一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：襯底；多個(gè)鰭，包括第一鰭、第二鰭、第三鰭、第四鰭及第五鰭，所述多個(gè)鰭中的每一個(gè)在第一方向上從所述襯底突出并在與所述第一方向交叉的第二方向上彼此間隔開(kāi)；以及多個(gè)溝槽，包括第一溝槽、第二溝槽、第三溝槽及第四溝槽，所述多個(gè)溝槽中的每一個(gè)形成在所述多個(gè)鰭中的相鄰的鰭之間，其中所述第一溝槽的第一寬度及所述第三溝槽的第三寬度的變化小于第一變化且所述第二溝槽的第二寬度及所述第四溝槽的第四寬度的變化小于第二變化，且其中所述第二變化大于所述第一變化。

根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的一方面，提供一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：襯底；第一鰭結(jié)構(gòu)及第二鰭結(jié)構(gòu)，在第一方向上從所述襯底突出并在與所述第一方向交叉的第二方向上彼此間隔開(kāi)；以及第一溝槽，將所述第一鰭結(jié)構(gòu)與所述第二鰭結(jié)構(gòu)彼此間隔開(kāi)，其中所述第一鰭結(jié)構(gòu)包括從所述襯底突出的第一基礎(chǔ)鰭、從所述第一基礎(chǔ)鰭突出并在所述第二方向上彼此間隔開(kāi)的第一鰭與第二鰭以及將所述第一鰭與所述第二鰭彼此間隔開(kāi)的第二溝槽，且其中所述第二鰭結(jié)構(gòu)包括從所述襯底突出的第二基礎(chǔ)鰭。

根據(jù)再一個(gè)示例性實(shí)施例的一方面，提供一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：襯底；第一鰭結(jié)構(gòu)及第二鰭結(jié)構(gòu)，從所述襯底突出并在第一方向上延伸，且在與所述第一方向交叉的第二方向上彼此間隔開(kāi)；以及第一溝槽，將所述第一鰭結(jié)構(gòu)與所述第二鰭結(jié)構(gòu)彼此間隔開(kāi)，其中所述第一鰭結(jié)構(gòu)包括從所述襯底突出的第一基礎(chǔ)鰭、從所述第一基礎(chǔ)鰭突出并在所述第二方向上彼此間隔開(kāi)的第一鰭與第二鰭以及將所述第一鰭與所述第二鰭彼此間隔開(kāi)的第二溝槽，其中所述第二鰭結(jié)構(gòu)包括從所述襯底突出的第二基礎(chǔ)鰭、從所述第二基礎(chǔ)鰭突出的第三鰭及與第二溝槽一起界定所述第三鰭的第三溝槽，且其中所述第三溝槽形成在所述第二基礎(chǔ)鰭上。

附圖說(shuō)明

通過(guò)參照附圖詳細(xì)闡述本公開(kāi)的示例性實(shí)施例，對(duì)所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)本公開(kāi)的以上及其它目標(biāo)、特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更顯而易見(jiàn)，在附圖中：

圖1是為解釋根據(jù)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件而提供的布局圖。

圖2是沿圖1所示線(xiàn)A-A'截取的剖視圖。

圖3是沿圖1所示線(xiàn)B-B'截取的剖視圖。