[發明專利]包括形成有鰭結構的多柵極晶體管的半導體器件

有效

• 申請號: 201810496326.6
• 申請日: 2018-05-22
• 公開（公告）號: CN108962973B
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 金成玟;金洞院;裵金鐘
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 劉培培;黃隸凡

1.一種半導體器件，包括：

襯底；

多個鰭，包括第一鰭、第二鰭、第三鰭、第四鰭及第五鰭，所述多個鰭中的每一個在第一方向上從所述襯底突出并在與所述第一方向交叉的第二方向上彼此間隔開；以及

多個溝槽，包括第一溝槽、第二溝槽、第三溝槽及第四溝槽，所述多個溝槽中的每一個形成在所述多個鰭中的相鄰的鰭之間，

其中所述第一溝槽的第一寬度及所述第三溝槽的第三寬度之間的變化小于第一變化，且所述第二溝槽的第二寬度及所述第四溝槽的第四寬度之間的變化小于第二變化，且

其中所述第二變化大于所述第一變化，

其中所述第一溝槽的第一深度及所述第三溝槽的第三深度之間的變化小于第三變化，且所述第二溝槽的第二深度及所述第四溝槽的第四深度之間的變化小于第四變化，且

其中所述第四變化大于所述第三變化。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一寬度及所述第三寬度小于所述第二寬度及所述第四寬度。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述第一深度及所述第三深度小于所述第二深度及所述第四深度。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述第一溝槽的第一側壁斜率及所述第三溝槽的第三側壁斜率大于所述第二溝槽的第二側壁斜率及所述第四溝槽的第四側壁斜率。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一溝槽的第一側壁斜率與所述第三溝槽的第三側壁斜率之間的變化小于第五變化，

其中所述第二溝槽的第二側壁斜率與所述第四溝槽的第四側壁斜率之間的變化小于第六變化，且

其中所述第六變化大于所述第五變化。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括在所述第二方向上在所述第一鰭到所述第五鰭上延伸的柵極電極。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第二鰭、所述第三鰭及所述第五鰭中的至少一者的高度低于所述第一鰭的高度。

8.一種半導體器件，包括：

襯底；

第一鰭結構、第二鰭結構及第三鰭結構，在第一方向上從所述襯底突出并在與所述第一方向交叉的第二方向上彼此間隔開；

第一溝槽，將所述第一鰭結構與所述第二鰭結構彼此間隔開；以及

第四溝槽，將所述第二鰭結構與所述第三鰭結構彼此間隔開，

其中所述第一鰭結構包括從所述襯底突出的第一基礎鰭、從所述第一基礎鰭突出并在所述第二方向上彼此間隔開的第一鰭與第二鰭以及將所述第一鰭與所述第二鰭彼此間隔開的第二溝槽，

其中所述第二鰭結構包括從所述襯底突出的第二基礎鰭、從所述第二基礎鰭突出并在所述第二方向上彼此間隔開的第三鰭與第四鰭以及將所述第三鰭與所述第四鰭彼此間隔開的第三溝槽，

其中所述第一溝槽的第一深度及所述第四溝槽的第四深度之間的變化小于第一變化，且所述第二溝槽的第二深度及所述第三溝槽的第三深度之間的變化小于第二變化，且

其中所述第一變化大于所述第二變化。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中所述第三鰭的第三高度及所述第四鰭的第四高度低于所述第一鰭的第一高度及所述第二鰭的第二高度。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中所述第三鰭的所述第三高度及所述第四鰭的所述第四高度彼此相同。

11.根據權利要求8所述的半導體器件，其中所述第二基礎鰭具有平的上表面。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中所述第二基礎鰭的所述平的上表面低于所述第一溝槽的底表面。

13.根據權利要求8所述的半導體器件，還包括從所述襯底突出的基礎，所述基礎具有形成在所述基礎的上表面上的所述第一鰭結構、所述第二鰭結構及所述第一溝槽。