[發明專利]半導體封裝件的制造方法在審
| 申請號: | 201810495265.1 | 申請日: | 2018-05-22 |
| 公開(公告)號: | CN109979830A | 公開(公告)日: | 2019-07-05 |
| 發明(設計)人: | 孫鐘明 | 申請(專利權)人: | 巴倫電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/552 |
| 代理公司: | 北京鍾維聯合知識產權代理有限公司 11579 | 代理人: | 羅銀燕 |
| 地址: | 韓國京畿道華*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板 注塑 填充 半導體封裝件 半導體器件 電磁波屏蔽 電磁波屏蔽材料 電磁波屏蔽層 表面保護膜 槽部 切割 表面涂敷 附著表面 保護膜 附著 隔開 去除 制造 分割 | ||
1.一種半導體封裝件的制造方法,其特征在于,
包括:
半導體器件安裝步驟,在基板的一面上以相互隔開的方式安裝多個半導體器件;
注塑部形成步驟,對上述多個半導體器件及基板的上部進行注塑來形成注塑部;
第一次切割步驟,對上述多個半導體器件之間的注塑部進行第一次切割來形成槽部;
電磁波屏蔽填充部形成步驟,利用第一電磁波屏蔽材料填充上述槽部來形成電磁波屏蔽填充部;
表面保護膜附著步驟,在上述基板的另一面附著表面保護膜;
電磁波屏蔽層形成步驟,向上述注塑部的表面及電磁波屏蔽填充部的表面涂敷第二電磁波屏蔽材料來形成電磁波屏蔽層;
表面保護膜去除步驟,從上述基板的另一面分離并去除表面保護膜;以及
第二次切割步驟,對上述電磁波屏蔽填充部及基板進行第二次切割來以半導體封裝件單位進行分割,
上述表面保護膜附著步驟在電磁波屏蔽層形成步驟之前執行。
2.根據權利要求1所述的半導體封裝件的制造方法,其特征在于,上述表面保護膜附著步驟在半導體器件安裝步驟和電磁波屏蔽填充部形成步驟中的一個步驟之后執行。
3.根據權利要求2所述的半導體封裝件的制造方法,其特征在于,上述表面保護膜附著步驟在注塑部形成步驟之后且在第一次切割步驟之前執行。
4.根據權利要求1所述的半導體封裝件的制造方法,其特征在于,在上述半導體器件安裝步驟之后且在注塑部形成步驟之前還包括在上述多個半導體器件之間的隔開區域配置導電性部件的步驟。
5.根據權利要求1所述的半導體封裝件的制造方法,其特征在于,上述第二次切割的寬度(W2)小于上述第一次切割的寬度(W1)。
6.根據權利要求1所述的半導體封裝件的制造方法,其特征在于,在上述表面保護膜去除步驟之后且在第二次切割步驟之前還包括在上述保護膜被去除的基板的表面配置多個外部端子的步驟。
7.根據權利要求1所述的半導體封裝件的制造方法,其特征在于,在上述第二次切割步驟后所分割的半導體封裝件包括:
基板;
半導體器件,安裝于上述基板的中央上部;
焊接金屬線,用于連接上述半導體器件和基板;
注塑部,用于密封上述基板的上部、半導體器件及焊接金屬線;
第二電磁波屏蔽層,配置于上述注塑部的所有面;以及
第一電磁波屏蔽層,配置于上述注塑部的上部面及第二電磁波屏蔽層的上端部來與第二電磁波屏蔽層的上端部相結合。
8.根據權利要求7所述的半導體封裝件的制造方法,其特征在于,
在上述第二次切割步驟后所分割的半導體封裝件還包括與上述焊接金屬線隔開配置來被上述密封部密封的接地部,
上述接地部的一端部固定于基板的上部,另一端部與第二電磁波屏蔽層物理連接、電連接。
9.根據權利要求7或8所述的半導體封裝件的制造方法,其特征在于,在上述第二次切割步驟后所分割的半導體封裝件還包括配置于上述基板的下部的外部端子。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





