[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810495265.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-05-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109979830A | 公開(公告)日: | 2019-07-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫鐘明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 巴倫電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56;H01L23/552 |
| 代理公司: | 北京鍾維聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11579 | 代理人: | 羅銀燕 |
| 地址: | 韓國京畿道華*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基板 注塑 填充 半導(dǎo)體封裝件 半導(dǎo)體器件 電磁波屏蔽 電磁波屏蔽材料 電磁波屏蔽層 表面保護(hù)膜 槽部 切割 表面涂敷 附著表面 保護(hù)膜 附著 隔開 去除 制造 分割 | ||
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝件的制造方法,包括:在基板的一面上以相互隔開的方式安裝多個(gè)半導(dǎo)體器件的步驟;對(duì)上述多個(gè)半導(dǎo)體器件及基板的上部進(jìn)行注塑來形成注塑部的步驟;對(duì)上述多個(gè)半導(dǎo)體器件之間的注塑部進(jìn)行第一次切割來形成槽部的步驟;利用第一電磁波屏蔽材料填充上述槽部來形成電磁波屏蔽填充部的步驟;在上述基板的另一面附著表面保護(hù)膜的步驟;向上述注塑部的表面及電磁波屏蔽填充部的表面涂敷第二電磁波屏蔽材料來形成電磁波屏蔽層的步驟;從上述基板的另一面分離并去除表面保護(hù)膜的步驟;對(duì)上述電磁波屏蔽填充部及基板進(jìn)行第二次切割來以半導(dǎo)體封裝件單位進(jìn)行分割的步驟,附著上述表面保護(hù)膜步驟在形成電磁波屏蔽層的步驟之前執(zhí)行。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝件的制造方法,更詳細(xì)地,涉及具有在產(chǎn)生高頻的環(huán)境中對(duì)電磁波干擾的耐性強(qiáng)的屏蔽單元的半導(dǎo)體封裝件的制造方法。
背景技術(shù)
由于移動(dòng)設(shè)備的性能提高引起的數(shù)據(jù)傳輸速度的增加,電磁波的干擾影響正在增加。為解決上述問題,使用將金屬罐(Metal can)等套在電子產(chǎn)品來屏蔽電磁波的方法。但是,由于移動(dòng)設(shè)備的小型化及薄型化引起的空間上的制約,逐漸需要半導(dǎo)體封裝件水平的電磁波屏蔽方法。
作為上述半導(dǎo)體封裝件水平的電磁波屏蔽方法具有噴射(spray)法、電鍍(plating)法、濺射(sputtering)法等。其中,濺射法相比于其他方法具有優(yōu)秀的屏蔽效果,因此,相當(dāng)于目前最普遍批量生產(chǎn)的方法,但是,由于初始投資費(fèi)高,實(shí)際難以進(jìn)入商業(yè)(Biz)階段。尤其,基于濺射法的電磁波屏蔽方法必須投資用于進(jìn)行蒸鍍工序的一連串的蒸鍍?cè)O(shè)備和用于對(duì)以單元(unit)單位構(gòu)成的封裝件進(jìn)行裝載及卸載的操作系統(tǒng)的附加設(shè)備。并且,為了單元濺射,作為附著于環(huán)框(ring frame)上來放置半導(dǎo)體封裝件的夾具(Jig)作用來使用聚酰亞胺(PI)帶,但是,這種材料費(fèi)的消耗相對(duì)大。同時(shí),單元操作引起的每小時(shí)生產(chǎn)量(UPH)僅為10K水平。
因此,需要研發(fā)易于大量生產(chǎn)、經(jīng)濟(jì)且具有優(yōu)秀的電磁波屏蔽效果的半導(dǎo)體封裝件水平的新電磁波屏蔽方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于,提供具有可從電磁波的干擾中提高半導(dǎo)體封裝件工作的可靠性的電磁波屏蔽單元的半導(dǎo)體封裝件的制造方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供半導(dǎo)體封裝件的制造方法。
根據(jù)一例,半導(dǎo)體封裝件的制造方法包括:半導(dǎo)體器件安裝步驟,在基板的一面上以相互隔開的方式安裝多個(gè)半導(dǎo)體器件;注塑部形成步驟,對(duì)上述多個(gè)半導(dǎo)體器件及基板的上部進(jìn)行注塑來形成注塑部;第一次切割步驟,對(duì)上述多個(gè)半導(dǎo)體器件之間的注塑部進(jìn)行第一次切割來形成槽部;電磁波屏蔽填充部形成步驟,利用第一電磁波屏蔽材料填充上述槽部來形成電磁波屏蔽填充部;表面保護(hù)膜附著步驟,在上述基板的另一面附著表面保護(hù)膜;電磁波屏蔽層形成步驟,向上述注塑部的表面及電磁波屏蔽填充部的表面涂敷第二電磁波屏蔽材料來形成電磁波屏蔽層;表面保護(hù)膜去除步驟,從上述基板的另一面分離并去除表面保護(hù)膜;以及第二次切割步驟,對(duì)上述電磁波屏蔽填充部及基板進(jìn)行第二次切割來以半導(dǎo)體封裝件單位進(jìn)行分割,上述表面保護(hù)膜附著步驟在電磁波屏蔽層形成步驟之前執(zhí)行。
根據(jù)再一例,半導(dǎo)體封裝件的制造方法包括:半導(dǎo)體器件安裝步驟,在基板的一面上以相互隔開的方式安裝多個(gè)半導(dǎo)體器件;注塑部形成步驟,對(duì)上述多個(gè)半導(dǎo)體器件及基板的上部進(jìn)行注塑來形成注塑部;表面保護(hù)膜附著步驟,在上述基板的另一面附著表面保護(hù)膜;第一次切割步驟,對(duì)上述多個(gè)半導(dǎo)體器件之間的注塑部及基板進(jìn)行第一次切割來形成槽部;電磁波屏蔽填充部形成步驟,利用第一電磁波屏蔽材料填充上述槽部來形成電磁波屏蔽填充部;電磁波屏蔽層形成步驟,向上述注塑部的表面及電磁波屏蔽填充部的表面涂敷第二電磁波屏蔽材料來形成電磁波屏蔽層;表面保護(hù)膜去除步驟,從上述基板的另一面分離并去除表面保護(hù)膜;以及第二次切割步驟,對(duì)上述電磁波屏蔽填充部進(jìn)行第二次切割來以半導(dǎo)體封裝件單位進(jìn)行分割。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





