[發(fā)明專利]一種帶凹坑的波導低通諧波抑制器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810494670.1
• 申請日: 2018-05-22
• 公開（公告）號: CN108550968B
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發(fā)明（設計）人: 陳又鮮;王清源;徐立;劉亮元
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學中山學院
• 主分類號: H01P1/212
• 分類號: H01P1/212
• 代理公司: 北京商專潤文專利代理事務所(普通合伙) 11317
• 代理人: 朱艷虎

本發(fā)明公開了一種帶凹坑的波導低通諧波抑制器，包括諧振腔，輸入輸出波導和橫向2排或以上，縱向2列或以上的只在底部與諧振腔連接的金屬柱A。帶凹坑的波導低通諧波抑制器還包括與每一個金屬柱A相對應的且只在頂部與諧振腔連接的金屬柱B。金屬柱B的橫截面與金屬柱A的橫截面不同。在諧振腔的頂部與每一個金屬柱A對應設置有一個金屬凹坑。每一個金屬柱A嵌入與之對應設置的金屬凹坑內(nèi)。上述設計可以在不減小對應的金屬柱A和金屬柱B之間的間隙，因而不顯著降低器件的功率容量的條件下，有效地增大對應的金屬柱A和金屬柱B之間的電容，從而加深濾波器的阻帶抑制深度并展開濾波器的阻帶帶寬。可以廣泛應用于雷達、導彈制導和各種那個移動通信系統(tǒng)中。

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及一種微波器件,具體地說，是涉及一類緊湊型高功率諧波抑制濾波器。

背景技術(shù)

由于電磁兼容國際國內(nèi)標準實施的日益強化，通信和軍事電子系統(tǒng)的諧波抑制日益成為一個關鍵技術(shù)問題。華夫模(Waffle Iron)波導低通濾波器具有低插損、高功率容量和寬阻帶特性，是大功率通信系統(tǒng)和中遠程雷達中諧波抑制的主要選擇。傳統(tǒng)的華夫模波導低通濾波器由上下對稱的沿橫向和縱向周期排列的金屬柱陣列構(gòu)成。為了加深其諧波抑制深度和展寬其阻帶寬度，需要減小上下對應的金屬柱之間的間隙，從而導致濾波器的功率容量的急劇下降。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種緊湊型一種帶凹坑的波導低通諧波抑制器，在加深其阻帶抑制深度、展寬其阻帶帶寬的同時，提高諧波抑制濾波器的功率容量。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：

一種帶凹坑的波導低通諧波抑制器，包括諧振腔，輸入輸出波導和橫向2排或以上，縱向2列或以上的只在底部與所述諧振腔連接的金屬柱A。帶凹坑的波導低通諧波抑制器還包括與每一個金屬柱A相對應的只在頂部與所述諧振腔連接的金屬柱B；金屬柱B的橫截面與所述金屬柱A的橫截面不同。為了進一步增大每一個金屬柱A與諧振腔的上表面之間的電容，在所述諧振腔的頂部與每一個金屬柱A對應設置有一個金屬凹坑；每一個金屬柱A嵌入與之對應設置的所述金屬凹坑內(nèi)。這種設計可以在不減小對應的金屬柱A和金屬柱B之間的間隙，因而不顯著降低器件的功率容量的條件下，有效地增大對應的金屬柱A和金屬柱B之間的電容，從而加深濾波器的阻帶抑制深度并展開濾波器的阻帶帶寬。

為了更好的實現(xiàn)發(fā)明目的，本發(fā)明還具有以下更優(yōu)的技術(shù)方案：

在一些實施方式中，所述金屬柱A為圓柱體，所述金屬柱B為金屬筒；所述金屬柱A嵌入所述金屬柱B內(nèi)部。

在一些實施方式中，所述金屬柱A為矩形體與所述每一根金屬柱A對應有兩根矩形金屬柱B；所述每一根所述金屬柱A嵌入與之對應的兩根所述矩形金屬柱B之間。

本發(fā)明利用上下不同的金屬柱和金屬凹坑結(jié)構(gòu)，在不減小上下導體之間的間隙的前提下，有效地增大上下導體之間的電容，從而達到加深諧波抑制濾波器的抑制深度，展寬其阻帶帶寬的目的。與已有技術(shù)相比，本發(fā)明具有：結(jié)構(gòu)緊湊、重量輕、節(jié)省材料、結(jié)構(gòu)簡單等優(yōu)點。

附圖說明

圖1為本發(fā)明及其實施實例1的示意圖。

圖2為圖1A--A的截面圖。

圖3為本發(fā)明實施實例2的示意圖。

圖中的標號為：1、諧振腔；2、金屬柱A；3、金屬柱B；4、金屬凹坑；5、輸入輸出波導。

具體實施方式

下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作進一步地詳細說明。

實施實例1