[發(fā)明專利]一種帶凹坑的波導低通諧波抑制器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810494670.1 | 申請日： | 2018-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN108550968B | 公開（公告）日： | 2020-10-23 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳又鮮;王清源;徐立;劉亮元 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學中山學院 |
| 主分類號： | H01P1/212 | 分類號： | H01P1/212 |
| 代理公司： | 北京商專潤文專利代理事務所(普通合伙) 11317 | 代理人： | 朱艷虎 |
| 地址： | 528400 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 帶凹坑 波導 諧波 抑制器 | ||
1.一種帶凹坑的波導低通諧波抑制器，其特征在于，包括諧振腔(1)，輸入輸出波導(5)和橫向2排或以上，縱向2列或以上的只在底部與所述諧振腔(1)連接的金屬柱A(2)；在所述諧振腔(1)的頂部與每一個所述金屬柱A(2)對應設置有一個金屬凹坑(4)；每一個所述金屬柱A(2)嵌入與之對應設置的所述金屬凹坑(4)內。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種帶凹坑的波導低通諧波抑制器,其特征在于，還包括與每一個金屬柱A(2)相對應的，只在頂部與所述諧振腔(1)連接的金屬柱B(3)；所述金屬柱B(3)的橫截面與所述金屬柱A(2)的橫截面不同。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種帶凹坑的波導低通諧波抑制器,其特征在于，所述金屬柱A(2)為圓柱體。
4.根據(jù)權利要求2所述的一種帶凹坑的波導低通諧波抑制器,其特征在于，所述金屬柱B(3)為金屬筒。
5.根據(jù)權利要求2所述的一種帶凹坑的波導低通諧波抑制器,其特征在于，所述金屬柱A(2)嵌入所述金屬柱B(3)內部。
6.根據(jù)權利要求2所述的一種帶凹坑的波導低通諧波抑制器,其特征在于，所述金屬柱A(2)為矩形體。
7.根據(jù)權利要求2所述的一種帶凹坑的波導低通諧波抑制器,其特征在于，與所述每一根金屬柱A(2)對應有兩根矩形金屬柱B(3)。
8.根據(jù)權利要求7所述的一種帶凹坑的波導低通諧波抑制器,其特征在于，所述每一根所述金屬柱A(2)嵌入所述與之對應的兩根所述矩形金屬柱B(3)之間。
9.根據(jù)權利要求1-8所述的任意一種帶凹坑的波導低通諧波抑制器,其特征在于，所述帶凹坑的波導低通諧波抑制器相對于任意水平面上下都不對稱。
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