[發(fā)明專利]并行測(cè)試結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810494223.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-05-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109427603B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-05-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈添;A·庫(kù)馬爾;宋云成;K·B·耶普;R·G·小菲利皮;曹琳珺;S·喬伊;C·J·克里斯琴森;P·R·朱斯蒂孫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 格芯(美國(guó))集成電路科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽(yáng) |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 并行 測(cè)試 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種用于并行測(cè)試在集成電路芯片上的半導(dǎo)體裝置的裝置,包括:
電壓源,與包含被測(cè)裝置的集成電路連接,該電壓源通過(guò)在該被測(cè)裝置上執(zhí)行時(shí)間相關(guān)介電擊穿測(cè)試以向包含該被測(cè)裝置的該集成電路提供測(cè)試電壓;
電流測(cè)量裝置,測(cè)量該被測(cè)裝置的漏電流;
解碼器,與該被測(cè)裝置連接,該解碼器選擇性將各被測(cè)裝置連接至該電流測(cè)量裝置;
電子熔絲,各該電子熔絲與該被測(cè)裝置中不同的一個(gè)連接,當(dāng)相應(yīng)被測(cè)裝置失效時(shí),該電子熔絲將各該被測(cè)裝置與該電壓源單獨(dú)電性斷開(kāi);
電阻器,各該電阻器與該電子熔絲中不同的一個(gè)連接,在該時(shí)間相關(guān)介電擊穿測(cè)試的應(yīng)力條件下,該電阻器提供至地的低電阻路徑;以及
保護(hù)電路,連接于該電子熔絲與接地之間,當(dāng)該被測(cè)裝置失效時(shí),各保護(hù)電路在該解碼器周圍提供至地的電性路徑,其中,該電性路徑引導(dǎo)電流離開(kāi)該電壓源以保護(hù)該電壓源。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置,其中,該解碼器與該被測(cè)裝置位于相同集成電路芯片上。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置,其中,該解碼器順序選擇各被測(cè)裝置以測(cè)量漏電流且該電流測(cè)量裝置單獨(dú)測(cè)量各被測(cè)裝置的漏電流。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置,其中,該電子熔絲及該電阻器的至少其中之一與該被測(cè)裝置位于相同集成電路芯片上。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置,還包括:
通道晶體管,連接于該電子熔絲與該電流測(cè)量裝置之間,其中,該解碼器通過(guò)開(kāi)啟各通道晶體管順序選擇各被測(cè)裝置以測(cè)量漏電流,以及其中,當(dāng)開(kāi)啟該通道晶體管時(shí),該電阻器經(jīng)設(shè)置以迫使電流流經(jīng)該電流測(cè)量裝置。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置,該保護(hù)電路還包括靜電放電二極管。
7.一種用于并行測(cè)試在集成電路芯片上的半導(dǎo)體裝置的電路,包括:
電壓源;
電流測(cè)量裝置;
被測(cè)裝置,與該電壓源連接;
通道晶體管,連接于各被測(cè)裝置與該電流測(cè)量裝置之間;
解碼器,向各通道晶體管選擇性提供通過(guò)信號(hào),該解碼器選擇一供測(cè)試的裝置,其中,該解碼器通過(guò)開(kāi)啟各通道晶體管順序選擇各供測(cè)試的裝置以利用該電流測(cè)量裝置測(cè)量漏電流;
電子熔絲,各該電子熔絲在被測(cè)裝置與相應(yīng)通道晶體管之間與該被測(cè)裝置中不同的一個(gè)連接,當(dāng)相應(yīng)被測(cè)裝置失效時(shí),該電子熔絲將該被測(cè)裝置的電路與該電壓源斷開(kāi);
電阻器,各該電阻器與該電子熔絲中不同的一個(gè)連接,該電阻器在時(shí)間相關(guān)介電擊穿測(cè)試的應(yīng)力條件下提供至地的低電阻路徑并在開(kāi)啟該通道晶體管時(shí)迫使電流流經(jīng)該電流測(cè)量裝置;以及
保護(hù)電路,連接于該電子熔絲與接地之間,當(dāng)該被測(cè)裝置失效時(shí),各保護(hù)電路將該解碼器與該被測(cè)裝置電性隔離。
8.如權(quán)利要求7所述的電路,其中,該解碼器與該被測(cè)裝置位于相同集成電路芯片上。
9.如權(quán)利要求7所述的電路,其中,該解碼器產(chǎn)生信號(hào)以單獨(dú)選擇各被測(cè)裝置。
10.如權(quán)利要求9所述的電路,其中,該解碼器順序選擇各供測(cè)試的裝置以測(cè)量漏電流并略過(guò)已知的失效裝置。
11.如權(quán)利要求7所述的電路,其中,該電子熔絲及該電阻器的至少其中之一與該被測(cè)裝置位于相同集成電路芯片上。
12.如權(quán)利要求7所述的電路,該電流測(cè)量裝置測(cè)量該被測(cè)裝置的漏電流。
13.如權(quán)利要求7所述的電路,該保護(hù)電路還包括靜電放電二極管。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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