[發明專利]一種高純無氧銦的制備方法有效
| 申請號: | 201810494125.2 | 申請日: | 2018-05-22 |
| 公開(公告)號: | CN108588448B | 公開(公告)日: | 2021-04-27 |
| 發明(設計)人: | 王澤乾;王東偉;鄧向榮 | 申請(專利權)人: | 韶關市錦源實業有限公司 |
| 主分類號: | C22B58/00 | 分類號: | C22B58/00;C22B9/05;C22B9/04;C22B15/14;C22B25/08 |
| 代理公司: | 廣州駿思知識產權代理有限公司 44425 | 代理人: | 潘雯瑛 |
| 地址: | 512000 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高純 無氧銦 制備 方法 | ||
1.一種高純無氧銦的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
(1)將經過電解、化學除雜得到的高純金屬銦放入底部開設有通氣口的坩堝中,再將裝好金屬銦的坩堝送入真空爐內,然后對真空爐抽真空至壓強達到10-5~10-1Pa;所述坩堝的材料為氧化鋁、氧化鋯或氧化硅,其材料的純度為99.99%以上;
(2)在真空狀態下將坩堝中的金屬銦加熱至500~800℃,從坩堝底部的通氣口往坩堝內受熱熔化的液態金屬銦中通入純度為99.9999%以上的氫氣,控制往坩堝內通入氫氣的速度,使坩堝中的液態金屬銦保持沸騰狀態,并保溫4~8小時;
(3)停止通入氫氣,將真空爐內的氫氣抽走并重新抽真空至壓強達到10-5~10-1Pa,然后在真空狀態下將坩堝中的金屬銦加熱至1000~1200℃,再保溫1~8小時;
(4)將坩堝中的金屬銦冷卻至室溫,得到氧含量達到1ppb以下的高純無氧銦。
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