[發明專利]一種硅晶圓刻蝕裝置

有效

• 申請號: 201810493977.X
• 申請日: 2018-05-22
• 公開（公告）號: CN108682640B
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 徐亞琴;李保振
• 申請（專利權）人: 蘇州因知成新能源有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 北京華仁聯合知識產權代理有限公司 11588
• 代理人: 國紅

本發明屬于半導體技術領域，具體的說是一種硅晶圓刻蝕裝置，包括電機、轉盤、殼體和激勵線圈，還包括晶圓固定模塊和氣體注入模塊，所述的電機安裝在殼體的正上方；所述的轉盤安裝在電機的電機軸上；所述的激勵線圈環繞在殼體的外圈；所述的晶圓固定模塊安裝在轉盤的下方，晶圓固定模塊用于固定晶圓和通入干燥的熱空氣；所述的氣體注入模塊安裝在殼體的底部，氣體注入模塊用于向殼體內通入刻蝕氣體。本發明主要用于批量對晶圓進行刻蝕，本設備刻蝕的效率高，批量刻蝕速度快，對刻蝕氣體方向可調節，刻蝕的精度高，刻蝕的更加均勻，提高產品的質量。

技術領域

本發明屬于半導體技術領域，具體的說是一種硅晶圓刻蝕裝置。

背景技術

刻蝕技術(etching technique)，是在半導體工藝，按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術。刻蝕技術不僅是半導體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應用于薄膜電路、印刷電路和其他微細圖形的加工。刻蝕還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。干刻蝕基本上包括離子轟擊(ion-bombardment)與化學反應(chemical reaction)兩部份刻蝕機制。偏離子轟擊效應者使用氬氣(argon)，加工出來之邊緣側向侵蝕現象極微。而偏化學反應效應者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4)，經激發出來的電漿，即帶有氟或氯之離子團，可快速與芯片表面材質反應。

現有技術中也出現了一些晶圓刻蝕的技術方案，如申請號為201410356255.1的一項中國專利公開了一種刻蝕裝置及刻蝕方法。其中刻蝕裝置包括反應腔；晶圓固定裝置，晶圓固定裝置用于將晶圓固定在反應腔的頂部且晶圓的待刻蝕面朝向反應腔的底部；氣體注入口，氣體注入口設置在反應腔底部，用于向反應腔通入刻蝕氣體；激勵線圈，激勵線圈環繞反應腔設置，用于將刻蝕氣體激發成等離子體；以及偏壓提供裝置，偏壓提供裝置與晶圓固定裝置相連，用于對晶圓固定裝置中的晶圓施加偏壓。但技術方案對晶圓刻蝕的精度不高，對晶圓的刻蝕不均勻，影響產品的質量，不能實現批量刻蝕，刻蝕效率慢。

鑒于此，本發明所述的一種硅晶圓刻蝕裝置，可以提高晶圓刻蝕精度和均勻度，批量刻蝕，提高晶圓的刻蝕效率。

發明內容

為了彌補現有技術的不足，本發明提出了一種硅晶圓刻蝕裝置，本發明主要用于批量對晶圓進行刻蝕，本設備刻蝕的效率高，通過晶圓固定模塊實現批量刻蝕，刻蝕速度快，晶圓固定模塊還能通入干燥的熱空氣，進一步加快刻蝕效率，通過氣體注入模塊對刻蝕氣體方向可調節，刻蝕的精度高，刻蝕的更加均勻，提高產品的質量。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：本發明所述的一種硅晶圓刻蝕裝置，包括電機、轉盤、殼體和激勵線圈，還包括晶圓固定模塊和氣體注入模塊，所述的電機安裝在殼體的正上方；所述的轉盤安裝在電機的電機軸上；所述的激勵線圈環繞在殼體的外圈；所述的晶圓固定模塊安裝在轉盤的下方，晶圓固定模塊用于固定晶圓和通入干燥的熱空氣；所述的氣體注入模塊安裝在殼體的底部，氣體注入模塊用于向殼體內通入刻蝕氣體。

所述的轉盤內開設有通道，通道數量為四，轉盤內還開設有圓柱形空心腔室，圓柱形空心腔室數量為四，轉盤還開設有凹槽一和圓柱形空心腔室相通，轉盤上還安裝有T型插銷，T型插銷上設有凸起。當需要將固定頭取出時，將T型插銷向上推動，將滑塊頂出凹槽一內，即可取出固定頭。