[發明專利]一種硅晶圓刻蝕裝置有效
| 申請號: | 201810493977.X | 申請日: | 2018-05-22 |
| 公開(公告)號: | CN108682640B | 公開(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發明(設計)人: | 徐亞琴;李保振 | 申請(專利權)人: | 蘇州因知成新能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京華仁聯合知識產權代理有限公司 11588 | 代理人: | 國紅 |
| 地址: | 215125 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅晶圓 刻蝕 裝置 | ||
1.一種硅晶圓刻蝕裝置,包括電機(1)、轉盤(2)、殼體(3)和激勵線圈(4),其特征在于:還包括晶圓固定模塊(5)和氣體注入模塊(6),所述的電機(1)安裝在殼體(3)的正上方;所述的轉盤(2)安裝在電機(1)的電機軸上;所述的激勵線圈(4)環繞在殼體(3)的外圈;所述的晶圓固定模塊(5)安裝在轉盤(2)的下方,晶圓固定模塊(5)用于固定晶圓和通入干燥的熱空氣;所述的氣體注入模塊(6)安裝在殼體(3)的底部,氣體注入模塊(6)用于向殼體(3)內通入刻蝕氣體;
所述的轉盤(2)內開設有通道,通道數量為四,轉盤(2)內還開設有圓柱形空心腔室,圓柱形空心腔室數量為四,轉盤(2)還開設有凹槽一和圓柱形空心腔室相通,轉盤(2)上還安裝有T型插銷(21),T型插銷(21)上設有凸起。
2.根據權利要求1所述的一種硅晶圓刻蝕裝置,其特征在于:所述的晶圓固定模塊(5)包括固定頭(51)、彈簧(52)、滑塊(53)、固定板(54)、扇形齒輪一(55)、扇形齒輪二(56)、壓緊塊(57)和夾緊塊一(58),所述的固定頭(51)內開設有通道,固定頭(51)安裝在轉盤(2)的圓柱形空心腔室內,固定頭(51)的通道和轉盤(2)內的通道相通,固定頭(51)開設有凹槽二;所述的彈簧(52)的一端固定安裝在凹槽二上;所述的滑塊(53)固定連接在彈簧(52)的另一端上;所述的固定板(54)安裝在固定頭(51)上,固定板(54)上開設有通道,固定板(54)上的通道和固定頭(51)上的通道相通,固定板(54)上還開設有凹槽三,固定板(54)上還安裝有夾緊塊二(59);所述的扇形齒輪一(55)安裝在凹槽三內;所述的扇形齒輪二(56)安裝在凹槽三內,扇形齒輪二(56)和扇形齒輪一(55)嚙合,扇形齒輪二(56)內安裝有扭簧;所述的壓緊塊(57)安裝在扇形齒輪一(55)上;所述的夾緊塊一(58)安裝在扇形齒輪二(56)上。
3.根據權利要求2所述的一種硅晶圓刻蝕裝置,其特征在于:所述的固定板(54)內置有加熱電阻絲,對通道內的干燥熱空氣進一步加熱,固定板(54)上還開設有通孔,通孔和固定板(54)上的通道相連,該通孔為階梯孔(60)。
4.根據權利要求1所述的一種硅晶圓刻蝕裝置,其特征在于:所述的氣體注入模塊(6)包括氣體注入管(61)、半球形殼罩(62)和扇葉(63),所述的氣體注入管(61)位于殼體(3)的底部;所述的半球形殼罩(62)通過軸承轉動安裝在氣體注入管(61)的上端,半球形殼罩(62)上均勻開設有開孔;所述的扇葉(63)通過支桿(66)安裝在半球形殼罩(62)上。
5.根據權利要求4所述的一種硅晶圓刻蝕裝置,其特征在于:所述的扇葉(63)內開設有圓柱形空心腔室二(64),扇葉(63)上還開設有圓形通孔,圓形通孔和圓柱形空心腔室二(64)相通;所述的圓柱形空心腔室二(64)內安裝有圓蓋(65)、支桿(66)、轉盤二(67)和電機二,所述的圓蓋(65)蓋在圓形通孔上;所述的轉盤二(67)安裝在圓柱形空心腔室二(64)內;所述的支桿(66)連接轉盤二(67)和圓蓋(65);所述的電機二和轉盤二(67)固定連接。
6.根據權利要求4所述的一種硅晶圓刻蝕裝置,其特征在于:所述的半球形殼罩(62)上還安裝有半圓錐板(68)、圓銷、繩子(69)和微型電機(70),所述的半圓錐板(68)圓銷鉸接在半球形殼罩(62)上,半圓錐板(68)上安裝有磁塊;所述的圓銷內設有扭簧;所述的繩子(69)一端和半圓錐板(68)連接;所述的微型電機(70)安裝在半球形殼罩(62)上,微型電機(70)的電機軸和繩子(69)的另一端固定連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





