[發(fā)明專利]OLED基板及制作方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810490766.0 | 申請日: | 2018-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN108695370B | 公開(公告)日: | 2021-10-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳奕昊;辛燕霞;于名印;包征;李博;李雪萍 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | oled 制作方法 顯示裝置 | ||
本發(fā)明實施例公開一種OLED基板及制作方法、顯示裝置,涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,用于解決OLED顯示裝置中的OLED色偏問題。所述OLED基板包括襯底基板,所述襯底基板的表面形成有圖案化的金屬走線,所述襯底基板未被所述金屬走線覆蓋的表面形成有平整度調(diào)整層;所述平整度調(diào)整層背向所述襯底基板的表面和所述金屬走線背向所述襯底基板的表面形成有平坦化層,所述平坦化層背向所述襯底基板的表面形成有OLED陽極。所述金屬走線和所述平整度調(diào)整層分別通過相同的掩膜版形成。本發(fā)明實施例提供的OLED基板用于AMOLED顯示。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種OLED基板及制作方法、顯示裝置。
背景技術(shù)
有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體(Active-matrix organic light emitting diode,簡稱為AMOLED)面板因具有高亮度、全視角、響應(yīng)速度快以及可柔性顯示等優(yōu)點,而被廣泛應(yīng)用于顯示領(lǐng)域。
目前,在制作小尺寸的AMOLED面板的過程中,多采用精細(xì)金屬光罩(Fine MetalMask,簡稱FFM)工藝來制作AMOLED面板中低溫多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,簡稱LTPS)背板上的金屬走線。但是,采用FFM工藝制作的AMOLED面板在長期使用后,該AMOLED面板顯示的圖像特別容易出現(xiàn)色偏現(xiàn)象,比如顯示圖像發(fā)紅,導(dǎo)致AMOLED面板的顯示效果不佳。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例的目的在于提供一種OLED基板及制作方法、顯示裝置,以改善OLED顯示裝置的OLED色偏現(xiàn)象。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明實施例提供如下技術(shù)方案:
本發(fā)明實施例的第一方面提供一種OLED基板,包括襯底基板,襯底基板的表面形成有圖案化的金屬走線,襯底基板未被金屬走線覆蓋的表面形成有平整度調(diào)整層;平整度調(diào)整層背向襯底基板的表面和金屬走線背向襯底基板的表面形成有平坦化層,平坦化層背向襯底基板的表面形成有OLED陽極。
本發(fā)明實施例提供的OLED基板,在襯底基板未被金屬走線覆蓋的表面設(shè)置平整度調(diào)整層,可以利用該平整度調(diào)整層對金屬走線所在平面的平整度進(jìn)行調(diào)整,以確保形成在平整度調(diào)整層背向襯底基板的表面和金屬走線背向襯底基板的表面的平坦化層具有較高的平整度,進(jìn)而確保形成在平坦化層背向襯底基板的表面的OLED陽極也具有較高的平整度,這也就是說,本發(fā)明實施例提供的OLED基板中的OLED陽極不會因其底部對應(yīng)金屬走線的存在而呈現(xiàn)出不平整狀態(tài),因此,OLED基板的各像素也就不會因其底部對應(yīng)OLED陽極的不平整而出現(xiàn)像素出光亮度不均勻?qū)ΨQ的問題,這樣OLED基板的各像素在進(jìn)行RGB混色以后,OLED基板也就不會因其中某一像素的像素出光亮度不均勻?qū)ΨQ而產(chǎn)生OLED色偏??梢?,本發(fā)明實施例提供的OLED基板,能夠有效改善OLED基板所在OLED顯示裝置的OLED色偏,確保OLED裝置的顯示效果。
基于上述OLED基板,本發(fā)明實施例的第二方面提供一種OLED基板的制作方法,所述OLED基板的制作方法包括:提供一襯底基板;在襯底基板的表面形成圖案化的金屬走線;在襯底基板未被金屬走線覆蓋的表面形成平整度調(diào)整層;在平整度調(diào)整層背向襯底基板的表面以及金屬走線背向襯底基板的表面形成平坦化層;在平坦化層背向襯底基板的表面形成OLED陽極。本發(fā)明實施例提供的OLED基板的制作方法所能實現(xiàn)的有益效果,與上述技術(shù)方案提供的OLED基板所能達(dá)到的有益效果相同,在此不做贅述。
基于上述OLED基板的技術(shù)方案,本發(fā)明實施例的第三方面提供一種顯示裝置,所述顯示裝置包括上述技術(shù)方案所提供的OLED基板。本發(fā)明實施例提供的顯示裝置所能實現(xiàn)的有益效果,與上述技術(shù)方案提供的OLED基板所能達(dá)到的有益效果相同,在此不做贅述。
附圖說明
此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明實施例的進(jìn)一步理解,構(gòu)成本發(fā)明實施例的一部分,本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明,并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





