[發(fā)明專利]OLED基板及制作方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810490766.0 | 申請日: | 2018-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN108695370B | 公開(公告)日: | 2021-10-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳奕昊;辛燕霞;于名印;包征;李博;李雪萍 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | oled 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種OLED基板,其特征在于,包括襯底基板,所述襯底基板的表面形成有圖案化的金屬走線,所述襯底基板未被所述金屬走線覆蓋的表面形成有平整度調(diào)整層;所述平整度調(diào)整層背向所述襯底基板的表面和所述金屬走線背向所述襯底基板的表面形成有平坦化層,所述平坦化層背向所述襯底基板的表面形成有OLED陽極;
所述襯底基板包括柔性背板,以及依次層疊形成在所述柔性背板上的緩沖層、有源層、柵絕緣層、柵極和層間介質(zhì)層;
所述金屬走線形成在所述層間介質(zhì)層背向所述柵極的表面;其中,一部分所述金屬走線與柵極電連接,構(gòu)成對應(yīng)OLED像素補(bǔ)償電路的信號線;
所述金屬走線和所述平整度調(diào)整層分別通過相同的掩膜版形成;
所述平坦化層背向所述襯底基板的表面還形成有像素界定層,所述像素界定層與所述OLED陽極相對的區(qū)域設(shè)有像素孔;所述平整度調(diào)整層至少形成在所述像素孔正投影至所述襯底基板的正投影區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED基板,其特征在于,在所述像素孔正投影至所述襯底基板的正投影區(qū)域,所述平整度調(diào)整層背向所述襯底基板的表面,與對應(yīng)接壤的所述金屬走線背向所述襯底基板的表面平齊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED基板,其特征在于,另一部分所述金屬走線與有源層電連接,構(gòu)成對應(yīng)薄膜晶體管的源漏極,所述源漏極包括源極和漏極;所述OLED陽極與對應(yīng)薄膜晶體管的漏極電連接。
4.一種OLED基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一襯底基板,在所述襯底基板的表面形成圖案化的金屬走線;
在所述襯底基板未被所述金屬走線覆蓋的表面形成平整度調(diào)整層;
在所述平整度調(diào)整層背向所述襯底基板的表面以及所述金屬走線背向所述襯底基板的表面形成平坦化層;
在所述平坦化層背向所述襯底基板的表面形成OLED陽極;
在所述平坦化層背向所述襯底基板的表面以及所述OLED陽極背向所述襯底基板的表面形成像素界定層;
在所述像素界定層與所述OLED陽極相對的區(qū)域形成像素孔;
所述在所述襯底基板未被所述金屬走線覆蓋的表面形成平整度調(diào)整層的步驟,還包括:至少在所述像素孔正投影至所述襯底基板的正投影區(qū)域,形成所述平整度調(diào)整層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的OLED基板的制作方法,其特征在于,所述在所述襯底基板的表面形成圖案化的金屬走線的步驟,包括:
在所述襯底基板的表面沉積金屬層;
在所述金屬層背向所述襯底基板的表面涂覆光刻膠,通過掩膜版對所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影;
刻蝕所述金屬層,獲得圖案化的金屬走線;
所述在所述襯底基板未被所述金屬走線覆蓋的表面形成平整度調(diào)整層的步驟,包括:
在所述襯底基板未被所述金屬走線覆蓋的表面以及所述金屬走線背向所述襯底基板的表面沉積平整度調(diào)整介質(zhì);
在所述平整度調(diào)整介質(zhì)背向所述襯底基板的表面涂覆光刻膠,通過與形成所述金屬走線時(shí)相同的掩膜版,對所述光刻膠進(jìn)行反向曝光和顯影;
刻蝕所述平整度調(diào)整介質(zhì),獲得所述平整度調(diào)整層。
6.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的OLED基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





