[發(fā)明專利]TFT陣列基板的制作方法及TFT陣列基板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810488942.7
• 申請(qǐng)日: 2018-05-21
• 公開（公告）號(hào): CN108630711A
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張瑞軍;王松
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/268;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂;鞠驍

本發(fā)明提供一種TFT陣列基板的制作方法及TFT陣列基板。該TFT陣列基板的制作方法中在襯底基板上形成第一緩沖層，該第一緩沖層上設(shè)有多個(gè)弧形凸起或多個(gè)弧形凹陷，而后在形成于第一緩沖層上的第二緩沖層上形成非晶硅層，在對(duì)非晶硅層進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火以形成多晶硅層的過(guò)程中，弧形凸起或弧形凹陷能夠?qū)φ丈浞蔷Ч鑼拥募す獾墓饴愤M(jìn)行改變，從而在非晶硅層中形成能量梯度，使得形成的多晶硅層中的晶粒尺寸增加，晶界數(shù)量減少，提高TFT器件的載流子遷移率，提升TFT器件的電性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT陣列基板的制作方法及TFT陣列基板。

背景技術(shù)

在顯示技術(shù)領(lǐng)域，液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，LCD)、有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)顯示器等平板顯示裝置已經(jīng)逐步取代陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)顯示裝置。液晶顯示裝置具有機(jī)身薄、省電、無(wú)輻射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用。

現(xiàn)有的顯示裝置中一般設(shè)有薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)陣列基板作為驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，TFT陣列基板中包括陣列排布的多個(gè)TFT器件。TFT陣列基板的性能很大程度上影響了顯示裝置的品質(zhì)。隨著平面顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，高分辨率且低能耗的顯示裝置越來(lái)越受到消費(fèi)者的青睞。低溫多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)因能夠在低溫下制作，且擁有較高的電子遷移率，使得采用低溫多晶硅制作的TFT陣列基板常應(yīng)用于顯示裝置中，達(dá)到顯示裝置具有高分辨率及低能耗的需求。

現(xiàn)有的制作低溫多晶硅的方法包括：固相結(jié)晶(SPC)、金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)及準(zhǔn)分子激光退火(ELA)，其中，準(zhǔn)分子激光退火是目前使用最廣泛的方法。現(xiàn)有的采用準(zhǔn)分子激光退火的方法制作低溫多晶硅時(shí)，一般先在襯底上形成一層緩沖層，之后在緩沖層上形成一層非晶硅層，接著對(duì)非晶硅層進(jìn)行高溫去氫，再利用準(zhǔn)分子激光退火設(shè)備對(duì)非晶硅層進(jìn)行激光掃描，非晶硅層接收激光的能量升溫后熔融后重結(jié)晶形成多晶硅層，在重結(jié)晶過(guò)程中，結(jié)晶的方向是由低能量向高能量的方向，也即是由低溫向高溫的方向，因而現(xiàn)有的非晶硅層中結(jié)晶的起點(diǎn)及方向是混亂無(wú)序的，導(dǎo)致重結(jié)晶形成的多晶硅層中，晶粒尺寸偏小，晶粒間的晶界偏多，影響多晶硅層的載流子遷移率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種TFT陣列基板的制作方法，能夠提升有源層中晶粒的尺寸，減少晶界數(shù)量，提高TFT器件的載流子遷移率，提升TFT器件的電性。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種TFT陣列基板，有源層中的晶粒尺寸大，晶界數(shù)量少，TFT器件的載流子遷移率高，電性好。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種TFT陣列基板的制作方法，包括：

提供襯底基板；

在所述襯底基板上形成第一緩沖層；所述第一緩沖層上設(shè)有多個(gè)弧形凸起或多個(gè)弧形凹陷；

在所述第一緩沖層上形成第二緩沖層；在所述第二緩沖層上形成非晶硅層，對(duì)所述非晶硅層進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火，形成多晶硅層；對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行圖案化，形成分別位于多個(gè)弧形凸起或多個(gè)弧形凹陷上方的多個(gè)有源層。

所述第一緩沖層的材料為氮化硅或氧化硅；所述第一緩沖層的厚度為

可選地，在所述襯底基板上形成第一緩沖層具體包括：

在所述襯底基板上形成緩沖材料層；

在緩沖材料層上涂布正性光阻材料，形成光阻材料層；

提供一半色調(diào)光罩，所述半色調(diào)光罩包括多個(gè)間隔的半透光區(qū)及位于半透光區(qū)以外的全透光區(qū)；所述半透光區(qū)中，透光率沿由半透光區(qū)的中心至邊緣的方向逐漸增大，且透光率增大的幅度沿由半透光區(qū)的中心至邊緣的方向逐漸增大；