[發(fā)明專利]TFT陣列基板的制作方法及TFT陣列基板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810488942.7
• 申請(qǐng)日: 2018-05-21
• 公開（公告）號(hào): CN108630711A
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張瑞軍;王松
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/268;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂;鞠驍

1.一種TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底基板(10)；

在所述襯底基板(10)上形成第一緩沖層(20)；所述第一緩沖層(20)上設(shè)有多個(gè)弧形凸起(21)或多個(gè)弧形凹陷(22)；

在所述第一緩沖層(20)上形成第二緩沖層(30)；在所述第二緩沖層(30)上形成非晶硅層(41)，對(duì)所述非晶硅層(41)進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火，形成多晶硅層(42)；對(duì)所述多晶硅層(42)進(jìn)行圖案化，形成分別位于多個(gè)弧形凸起(21)或多個(gè)弧形凹陷(22)上方的多個(gè)有源層(43)。

2.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一緩沖層(20)的材料為氮化硅或氧化硅；所述第一緩沖層(20)的厚度為

3.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述襯底基板(10)上形成第一緩沖層(20)具體包括：

在所述襯底基板(10)上形成緩沖材料層(29)；

在緩沖材料層(29)上涂布正性光阻材料，形成光阻材料層(90)；

提供一半色調(diào)光罩(100)，所述半色調(diào)光罩(100)包括多個(gè)間隔的半透光區(qū)(110)及位于半透光區(qū)(110)以外的全透光區(qū)(120)；所述半透光區(qū)(110)中，透光率沿由半透光區(qū)(110)的中心至邊緣的方向逐漸增大，且透光率增大的幅度沿由半透光區(qū)(110)的中心至邊緣的方向逐漸增大；

利用所述半色調(diào)光罩(100)對(duì)光阻材料層(90)進(jìn)行曝光顯影制程，形成多個(gè)光阻圖案(91)，所述光阻圖案(91)的頂面為弧形；

利用干蝕刻氣體對(duì)多個(gè)光阻圖案(91)及緩沖材料層(29)進(jìn)行干蝕刻，形成所述第一緩沖層(20)；所述第一緩沖層(20)上設(shè)有多個(gè)弧形凸起(21)。

4.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述襯底基板(10)上形成第一緩沖層(20)具體包括：

在所述襯底基板(10)上形成緩沖材料層(29)；

在緩沖材料層(29)上涂布正性光阻材料，形成光阻材料層(90’)；

提供一半色調(diào)光罩(100’)，所述半色調(diào)光罩(100’)包括多個(gè)間隔的半透光區(qū)(110’)及位于半透光區(qū)(110’)以外的遮光區(qū)(120’)；所述半透光區(qū)(110’)中，透光率沿由半透光區(qū)(110’)的中心至邊緣的方向逐漸減小，且透光率減小的幅度沿由半透光區(qū)(110’)的中心至邊緣的方向逐漸減小；

利用所述半色調(diào)光罩(100’)對(duì)光阻材料層(90’)進(jìn)行曝光顯影制程，在光阻材料層(90’)上形成多個(gè)弧形的凹坑(92)；

利用干蝕刻氣體對(duì)形成有凹坑(92)的光阻材料層(90’)以及緩沖材料層(29)進(jìn)行干蝕刻，形成所述第一緩沖層(20)；所述第一緩沖層(20)上設(shè)有多個(gè)弧形凹陷(22)。

5.如權(quán)利要求3或4所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述干蝕刻氣體為氧氣加六氟化硫。

6.如權(quán)利要求5所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述干蝕刻氣體中，氧氣與六氟化硫的比例為10:1。

7.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第二緩沖層(30)的材料為氧化硅；所述第二緩沖層(30)的厚度為