[發明專利]測量芯片的曲率的方法和測量芯片的曲率的裝置

有效

• 申請號: 201810486422.2
• 申請日: 2018-05-21
• 公開（公告）號: CN108931203B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 松崎榮
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: G01B11/24
• 分類號: G01B11/24;G01B7/28
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 于靖帥;喬婉

提供測量芯片的曲率的方法和測量芯片的曲率的裝置，測量芯片破壞時的曲率。該方法對在芯片的彎折試驗中芯片被破壞時的芯片的曲率進行測量，具有：芯片保持步驟，將芯片的一端側的第一區域保持在第一保持單元的支承面上，將芯片的另一端側的第二區域保持在第二保持單元的支承面上；第一移動步驟，使第一保持單元與第二保持單元相對移動，以便使芯片的第一區域與第二區域之間的測量區域的剖面形狀成為圓弧狀，從而使第一保持單元的支承面與第二保持單元的支承面面對；第二移動步驟，使第一保持單元與第二保持單元向相互接近的方向相對移動；芯片破壞檢測步驟，檢測芯片被破壞的情況；和曲率檢測步驟，對檢測到芯片破壞時的測量區域的曲率進行檢測。

技術領域

本發明涉及對芯片的抗折強度進行評價時測量芯片的曲率的方法以及對芯片的抗折強度進行評價時測量芯片的曲率的裝置。

背景技術

在半導體晶片的正面上按照呈格子狀排列的方式設定有多條分割預定線，在由該分割預定線劃分的各區域分別形成有IC或LSI等器件。并且，當沿著該分割預定線對該半導體晶片進行分割時，形成具有器件的各個芯片。

當對半導體晶片或芯片施加較大的沖擊時，有時產生裂紋、碎裂等損傷而喪失器件的功能。因此，為了開發出具有規定的水準的抗折強度的芯片，對半導體晶片或試制的芯片的抗折強度進行測量。對抗折強度進行評價的方法例如有SEMI(SemiconductorEquipment and Materials International：國際半導體設備與材料產業協會)標準G86-0303中規定的三點彎曲(3-Point Bending)法。

例如在利用三點彎曲法對半導體晶片的抗折強度進行測量的情況下，將兩個圓柱狀的支承體放倒并相互平行地排列，將作為測量對象的半導體晶片相對于該支承體不固定地載置在該支承體的側面上。并且，將圓柱狀的壓頭配置在該兩個支承體之間的該半導體晶片的上方且與該兩個支承體平行。然后，通過該壓頭從上方對該半導體晶片進行按壓而將其破壞，將此時施加在該半導體晶片的載荷作為強度進行測量(參照專利文獻1)。

專利文獻1：日本特開2014-222714號公報

近年來，電子設備等的小型化和薄型化的趨勢顯著。與此相伴，搭載于該電子設備等的芯片的小型化和薄型化的趨勢也顯著，例如制造厚度為30μm以下的極薄芯片。當為了對該極薄芯片的抗折強度進行評價而想要利用三點彎曲法實施測量時，產生下述問題：測量時即使利用壓頭對芯片進行按壓，芯片也僅發生撓曲而無法將芯片破壞，從而無法對抗折強度進行測量。

發明內容

本發明是鑒于該問題而完成的，其目的在于提供對芯片的抗折強度進行評價時能夠測量該芯片破壞時的曲率的方法和能夠測量該曲率的裝置。

根據本發明的一個方式，提供測量芯片的曲率的方法，在芯片的彎折試驗中對芯片被破壞時的芯片的曲率進行測量，其特征在于，該測量芯片的曲率的方法具有如下的步驟：芯片保持步驟，將彎折前的狀態的芯片的一端側的第一區域保持在包含將上表面作為支承面的第一支承體在內的第一保持單元的該支承面上，并且將該芯片的另一端側的第二區域保持在包含將上表面作為支承面的第二支承體在內的第二保持單元的該支承面上；第一移動步驟，在實施了該芯片保持步驟之后，使該第一保持單元的第一支承體與該第二保持單元的第二支承體相對移動，以便使芯片的該第一區域與該第二區域之間的測量區域彎曲并且該測量區域的剖面形狀成為圓弧狀，從而使該第一保持單元的支承面與該第二保持單元的支承面面對；第二移動步驟，在實施了該第一移動步驟之后，在該第一保持單元的支承面與該第二保持單元的支承面面對的狀態下使該第一保持單元的第一支承體與該第二保持單元的第二支承體向相互接近的方向相對移動；芯片破壞檢測步驟，對在該第一移動步驟或該第二移動步驟的實施中芯片被破壞的情況進行檢測；以及曲率檢測步驟，對在該芯片破壞檢測步驟中檢測到芯片破壞時的該測量區域的曲率進行檢測。