[發(fā)明專(zhuān)利]測(cè)量芯片的曲率的方法和測(cè)量芯片的曲率的裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810486422.2
• 申請(qǐng)日: 2018-05-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108931203B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 松崎榮
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社迪思科
• 主分類(lèi)號(hào): G01B11/24
• 分類(lèi)號(hào): G01B11/24;G01B7/28
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 于靖帥;喬婉

1.一種測(cè)量芯片的曲率的方法，在芯片的彎折試驗(yàn)中對(duì)芯片被破壞時(shí)的芯片的曲率進(jìn)行測(cè)量，其特征在于，該測(cè)量芯片的曲率的方法具有如下的步驟：

芯片保持步驟，將彎折前的狀態(tài)的芯片的一端側(cè)的第一區(qū)域保持在包含將上表面作為支承面的第一支承體在內(nèi)的第一保持單元的該支承面上，并且將該芯片的另一端側(cè)的第二區(qū)域保持在包含將上表面作為支承面的第二支承體在內(nèi)的第二保持單元的該支承面上；

第一移動(dòng)步驟，在實(shí)施了該芯片保持步驟之后，使該第一保持單元的第一支承體與該第二保持單元的第二支承體相對(duì)移動(dòng)，以便使芯片的該第一區(qū)域與該第二區(qū)域之間的測(cè)量區(qū)域彎曲并且該測(cè)量區(qū)域的剖面形狀成為圓弧狀，從而使該第一保持單元的支承面與該第二保持單元的支承面面對(duì)；

第二移動(dòng)步驟，在實(shí)施了該第一移動(dòng)步驟之后，在該第一保持單元的支承面與該第二保持單元的支承面面對(duì)的狀態(tài)下使該第一保持單元的第一支承體與該第二保持單元的第二支承體向相互接近的方向相對(duì)移動(dòng)；

芯片破壞檢測(cè)步驟，對(duì)在該第一移動(dòng)步驟或該第二移動(dòng)步驟的實(shí)施中芯片被破壞的情況進(jìn)行檢測(cè)；以及

曲率檢測(cè)步驟，對(duì)在該芯片破壞檢測(cè)步驟中檢測(cè)到芯片破壞時(shí)的該測(cè)量區(qū)域的曲率進(jìn)行檢測(cè)。

2.一種測(cè)量芯片的曲率的裝置，其在芯片的彎折試驗(yàn)中對(duì)芯片被破壞時(shí)的芯片的曲率進(jìn)行測(cè)量，其特征在于，該測(cè)量芯片的曲率的裝置具有：

第一保持單元和第二保持單元，該第一保持單元將彎折前的狀態(tài)的芯片的一端側(cè)的第一區(qū)域保持在作為第一支承體上表面的第一支承面上，該第二保持單元將芯片的另一端側(cè)的第二區(qū)域保持在作為第二支承體上表面的第二支承面上；

移動(dòng)單元，其使該第一保持單元的第一支承體與該第二保持單元的第二支承體相對(duì)移動(dòng)，以便使保持于該第一保持單元和該第二保持單元的芯片的該第一區(qū)域與該第二區(qū)域之間的測(cè)量區(qū)域彎曲并且該測(cè)量區(qū)域的剖面形狀成為圓弧狀，從而使該第一支承面與該第二支承面面對(duì)，接著使該第一保持單元的第一支承體與該第二保持單元的第二支承體向相互接近的方向相對(duì)移動(dòng)；

芯片破壞檢測(cè)單元，其對(duì)在由該移動(dòng)單元實(shí)現(xiàn)的該第一保持單元的第一支承體與該第二保持單元的第二支承體的相對(duì)移動(dòng)中芯片被破壞的情況進(jìn)行檢測(cè)；以及

曲率檢測(cè)單元，其對(duì)在該芯片破壞檢測(cè)單元中檢測(cè)到芯片破壞時(shí)的該測(cè)量區(qū)域的曲率進(jìn)行檢測(cè)。