[發明專利]一種Au@mSiO2 有效
| 申請號: | 201810486183.0 | 申請日: | 2018-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN108693162B | 公開(公告)日: | 2021-03-02 |
| 發明(設計)人: | 程琳;王爽;張莉萍;陳麗燕;馮守浙 | 申請(專利權)人: | 浙江理工大學 |
| 主分類號: | G01N21/65 | 分類號: | G01N21/65;B22F9/24;B22F1/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人: | 顧伯興 |
| 地址: | 310000 浙江省杭州市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 au msio base sub | ||
1.一種Au@mSiO2納米花SERS基底的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟一,將左旋多巴溶液與HAuCl4溶液混合,于恒溫冰水浴中磁攪拌反應,得Au納米花;
步驟二,將步驟一的Au納米花加入到CTAB溶液中超聲分散均勻,隨后加入乙二醇胺,并于恒溫油浴中磁攪拌反應,形成混合溶液;所述步驟二中反應溫度為50-100℃,反應時間為20-60min;
步驟三,TEOS與正己烷混合均勻后滴加到步驟二的混合溶液中,磁攪拌反應,離心洗滌,即得Au@mSiO2納米花;
所述步驟一中HAuCl4和左旋多巴的濃度比為1:1-1:6;
所述步驟一中冰水浴的溫度為2-12℃;所述步驟一中磁攪拌反應2-6h;
所述步驟二中Au納米花與乙二醇胺的質量體積比為0.1g/mL-5g/mL,CTAB溶液的濃度為0.2-1M;
其中Au納米花為表面包括交織納米片和多孔。
2.如權利要求1所述的一種Au@mSiO2納米花SERS基底的制備方法,其特征在于,所述步驟三中TEOS和環己烷的體積比為1:10-1:40,步驟三中磁攪拌反應時間為12-30h。
3.一種Au@mSiO2納米花SERS基底,其特征在于,由權利要求1-2任意一項制備方法制備而得,所述Au@mSiO2納米花SERS基底的粒徑為140nm-437nm,介孔SiO2均勻的包覆于Au納米花外圍,介孔SiO2的厚度在7-25nm。
4.如權利要求3所述的一種Au@mSiO2納米花SERS基底,其特征在于,所述Au@mSiO2納米花的尺寸為150-300nm,所述介孔SiO2的厚度在13-20nm。
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