[發明專利]位線預降壓器有效
| 申請號: | 201810486022.1 | 申請日: | 2018-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN108665931B | 公開(公告)日: | 2021-04-13 |
| 發明(設計)人: | 廖偉男;胡展源;黃志森 | 申請(專利權)人: | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/24 | 分類號: | G11C16/24 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四華 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 位線預 降壓 | ||
1.一種位線預降壓器,其特征在于,包括:
一位線放電電路,所述位線放電電路連接一靜態隨機存取存儲器的位線BL和位線BLB,以對所述位線BL和所述位線BLB進行放電;以及
一控制電路,所述控制電路連接所述位線放電電路,接收一狀態信號,輸出一控制信號至所述位線放電電路,所述控制信號包括第一電平和第二電平,其中所述第一電平的控制信號控制所述位線放電電路工作以對所述位線BL和所述位線BLB放電,所述第二電平的控制信號控制所述位線放電電路停止對所述位線BL和所述位線BLB放電;
其中,所述控制電路包括一放電時間控制電路和一控制信號產生電路,所述放電時間控制電路輸出一指示信號,用于控制對所述位線BL和所述位線BLB的放電時間,所述控制信號產生電路接收所述指示信號和所述狀態信號,并根據所述指示信號和所述狀態信號輸出所述控制信號;所述控制信號產生電路包括一第二反相器、一或非門和一第三反相器,所述第二反相器的輸入端接收所述狀態信號,所述第二反相器的輸出端接連接所述或非門的第一輸入端,所述或非門的第二輸入端連接所述放電時間控制電路,以接收所述放電時間控制電路輸出的所述指示信號,所述或非門的輸出端連接所述第三反相器的輸入端,所述第三反相器的輸出端連接所述位線放電電路以輸出所述控制信號。
2.根據權利要求1所述的位線預降壓器,其特征在于,還包括:
所述位線放電電路包括一第一開關管和一第二開關管,所述第一開關管的第一端連接所述位線BL,所述第一開關管的第二端接地,所述第一開關管的控制端接收所述控制信號;所述第二開關管的第一端連接所述位線BLB,所述第二開關管的第二端接地,所述第二開關管的控制端接收所述控制信號。
3.根據權利要求2所述的位線預降壓器,其特征在于,所述第一開關管和所述第二開關管為PMOS管,所述第一電平的控制信號為低電平,所述第二電平的控制信號為高電平。
4.根據權利要求2所述的位線預降壓器,其特征在于,所述位線放電電路還包括一第一電阻和一第二電阻,所述第一電阻與所述第一開關管串聯,所述第二電阻與所述第二開關管串聯。
5.根據權利要求2所述的位線預降壓器,其特征在于,所述位線放電電路還包括一第四開關管和一第五開關管,所述第四開關管與所述第一開關管串聯,所述第五開關管與所述第二開關管串聯。
6.根據權利要求5所述的位線預降壓器,其特征在于,所述第四開關管和所述第五開關管為NMOS管。
7.根據權利要求1所述的位線預降壓器,其特征在于,所述放電時間控制電路包括一虛擬靜態隨機存取存儲器、一虛擬位線D_BL、一第一反相器及一第三開關管,所述虛擬位線D_BL連接所述虛擬靜態隨機存取存儲器,所述第三開關管的第一端連接所述虛擬位線D_BL,所述第三開關管的第二端接地,所述第三開關管的控制端接連接所述或非門的輸出端,所述第一反相器的輸入端連接第三開關管的所述第一端,其中所述第三開關管為NMOS管。
8.根據權利要求1所述的位線預降壓器,其特征在于,所述放電時間控制電路包括一第一延遲鏈、一第二延遲鏈及一多工器,所述第一延遲鏈的輸入端接收所述狀態信號,所述第一延遲鏈的輸出端連接所述多工器的第一輸入端,所述第二延遲鏈的輸入端接收所述狀態信號,所述第二延遲鏈的輸出端連接所述多工器的第二輸入端,每一所述延遲鏈包括至少一個反相器以對所述狀態信號進行延遲,所述多工器包括一輸出端,用于輸出所述指示信號,所述多工器還包括一資料選擇線,用于選擇所述第一輸入端和所述第二輸入端的其中一輸入端的輸入信號作為所述多工器的輸出端的輸出信號。
9.根據權利要求8所述的位線預降壓器,其特征在于,所述第一延遲鏈和所述第二延遲鏈均包括偶數個反相器。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華力集成電路制造有限公司,未經上海華力集成電路制造有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810486022.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種NAND閃存芯片
- 下一篇:一種NAND閃存的編程方法和裝置





