[發明專利]氮化硅反應爐的吹掃方法在審
| 申請號： | 201810483320.5 | 申請日： | 2018-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN108660436A | 公開（公告）日： | 2018-10-16 |
| 發明（設計）人： | 徐興國;姜波;張凌越 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/44 | 分類號： | C23C16/44;C23C16/56;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 反應腔 氨氣 氮氣吹掃 抽真空 吹掃 剝落 氮化硅反應 反應爐 氮化硅顆粒 二氯二氫硅 有效地減少 多次重復 降溫過程 晶圓表面 顆粒污染 晶圓 松散 污染源 殘留 | ||
1.一種氮化硅反應爐的吹掃方法，其特征在于，用于吹掃氮化硅反應爐的反應腔，包括：
降低所述反應腔溫度；
將所述反應腔抽真空；
通入氮氣吹掃后將所述反應腔抽真空，多次重復該步驟。
2.如權利要求1所述的氮化硅反應爐吹掃方法，其特征在于，在吹掃過程中，利用所述氮化硅反應爐的溫度控制系統實時采集監控所述反應腔的溫度。
3.如權利要求1或2所述的氮化硅反應爐吹掃方法，其特征在于，用于吹掃由二氯二氫硅和氨氣淀積氮化硅的反應爐的反應腔，在吹掃過程中，所述反應腔的溫度在15-20分鐘內由600攝氏度逐步降低到400攝氏度。
4.如權利要求3所述的氮化硅反應爐吹掃方法，其特征在于，在所述反應腔的降溫過程中，在將所述反應腔抽真空之后，在通入氮氣吹掃之前，先通入氨氣以充分反應消耗所述反應腔內殘留的二氯二氫硅。
5.如權利要求4所述的氮化硅反應爐吹掃方法，其特征在于，所述氨氣及氮氣經過過濾器凈化之后再通入所述反應腔。
6.如權利要求5所述的氮化硅反應爐吹掃方法，其特征在于，定期對所述氨氣及氮氣的輸送管路抽真空。
7.如權利要求1所述的氮化硅反應爐吹掃方法，其特征在于，在抽取所述反應腔內的氣體時，對排出管路進行加熱。
8.如權利要求7所述的氮化硅反應爐吹掃方法，其特征在于，對所述排出管路做彎折加長處理。
9.如權利要求7或8所述的氮化硅反應爐吹掃方法，其特征在于，在所述排出管路的末端裝有冷卻器以冷凝收集所述反應腔排出的反應物。
10.如權利要求1至9中任意一項所述的氮化硅反應爐吹掃方法，其特征在于，所述通入氮氣吹掃后將反應腔抽真空的步驟至少重復三次。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
