[發明專利]具有背側插入結構的半導體器件及其制造方法在審

申請號：	201810482333.0	申請日：	2015-02-13
公開（公告）號：	CN108417625A	公開（公告）日：	2018-08-17
發明（設計）人：	J·G·拉文;H-J·舒爾策;A·毛德;E·格瑞布爾	申請（專利權）人：	英飛凌科技股份有限公司
主分類號：	H01L29/739	分類號：	H01L29/739;H01L21/02;H01L21/225;H01L21/265;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/324;H01L21/683;H01L23/544;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/10;H01L29
代理公司：	北京市金杜律師事務所 11256	代理人：	王茂華
地址：	德國諾伊***	國省代碼：	德國;DE
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體層處理表面空腔掩模半導體基底層半導體器件插入結構空腔側壁空腔形成外延生長基底層凹陷插塞延伸制造
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【說明書】：

空腔形成在形成于半導體基底層的第一半導體層中。空腔從第一半導體層的處理表面延伸至基底層。凹陷的掩模襯墊形成在空腔側壁的遠離表面的部分上，或者掩模插塞形成在空腔的遠離處理表面的部分中。第二半導體層通過外延生長在處理表面上。第二半導體層跨越空腔。

本申請是申請日為2015年2月13日、國家申請號為201510079099.3、發明名稱為“具有背側插入結構的半導體器件及其制造方法”的發明專利申請的分案申請。

背景技術

半導體器件的制造包括主要在諸如硅晶片之類的半導體襯底的前側處導電和介電結構的形成和雜質區域的形成。在晶片前側上的處理之后在背側上形成介電結構和圖形化雜質區域受到嚴格的工藝約束。例如，對于背側處理可獲得的熱預算可以受限，從而導致關于可應用材料的進一步約束限制。需要提供一種簡化了在晶片背側處形成圖形化結構的制造半導體器件的方法，以及用以提供具有圖形化背側的半導體器件。

發明內容

一個實施例涉及一種制造半導體器件的方法。方法包括在形成于半導體基底層上的第一半導體層中形成空腔?？涨粡牡谝话雽w層的處理表面延伸至基底層。凹進的掩模襯墊形成在空腔的側壁的遠離處理表面的部分上，或者掩模插塞形成在遠離處理表面的空腔的一部分中。第二半導體層通過外延生長在處理表面上，其中第二半導體層跨越空腔。

根據另一實施例，半導體器件包括半導體本體，具有在前側的第一表面和在背側的平行于第一表面的第二表面、以及有源區域和邊緣終止區域。邊緣終止區域將有源區域與半導體本體的外表面分隔，其中外表面連接了第一表面和第二表面。有源區域中的元件結構主要形成為比第二表面更靠近第一表面。背側插入結構從第二表面延伸進入邊緣終端區域中的半導體本體中。

根據另一實施例，半導體器件包括半導體本體，具有在前側的第一表面和在背側的平行于第一表面的第二表面。元件結構主要形成為比第二表面更靠近第一表面。插入結構從第二表面延伸進入半導體本體中，其中插入結構包括相變材料、具有至少1E5cm/s的復合速度的復合結構、受主雜質或施主雜質。

本領域技術人員一旦閱讀了以下詳細說明書、以及一旦查看了附圖將認識到額外的特征和優點。

附圖說明

包括附圖以提供對于本發明的進一步理解，并且包含在該說明書中并且構成了其一部分。附圖示出了本發明的實施例，并且與說明書一起用于解釋本發明的原理。通過參考以下詳細說明書將使得本發明的其它一些實施例和有意優點變得更加易于理解。

圖1A是用于示出了在形成在基底層上形成的第一半導體層中空腔之后的、根據一個實施例關于對準標記的制造半導體器件的方法的半導體襯底的一部分的示意性剖視圖。

圖1B是在通過外延在第一半導體層上生長第二半導體層之后的圖1A的半導體襯底部分的示意性剖視圖。

圖1C是在移除了整個基底層之后的圖1B的半導體襯底部分的示意性剖視圖。

圖1D包括在光致抗蝕劑層曝光期間圖1C的半導體襯底部分的示意圖剖視圖。

圖1E是在形成了與背側插入結構對準的前側結構的圖1D的半導體襯底部分的示意性剖視圖。

圖1F是在移除了一部分基底層之后圖1B的半導體襯底部分的示意性剖視圖。

圖2A是用于示出在形成了輔助焊盤之后根據包括過度生長空腔的一個實施例的制造半導體器件的方法的半導體襯底的一部分的示意性剖視圖。

圖2B是在輔助焊盤之間選擇性生長第一半導體層之后的圖2A的半導體襯底部分的示意性剖視圖。