[發(fā)明專利]具有背側(cè)插入結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810482333.0
• 申請日: 2015-02-13
• 公開（公告）號: CN108417625A
• 公開（公告）日: 2018-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·G·拉文;H-J·舒爾策;A·毛德;E·格瑞布爾
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L21/02;H01L21/225;H01L21/265;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/324;H01L21/683;H01L23/544;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/10;H01L29
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體本體，包括在前側(cè)處的第一表面和在背側(cè)處的平行于所述第一表面的第二表面，以及有源區(qū)域和將所述有源區(qū)域與所述半導(dǎo)體本體的外表面分隔的邊緣終止區(qū)域，其中所述外表面連接所述第一表面和所述第二表面，并且所述有源區(qū)域中的元件結(jié)構(gòu)主要地形成為比所述第二表面更靠近所述第一表面；以及

背側(cè)插入結(jié)構(gòu)，從所述第二表面延伸進(jìn)入所述邊緣終止區(qū)域中的所述半導(dǎo)體本體中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述插入結(jié)構(gòu)圍繞所述有源區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述插入結(jié)構(gòu)是連續(xù)的、環(huán)形的溝槽，并且包括半導(dǎo)體氧化物或者包括多個(gè)分隔的空腔。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述插入結(jié)構(gòu)包括多晶硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述半導(dǎo)體器件是IGBT，并且所述插入結(jié)構(gòu)包括與所述IGBT的漂移區(qū)域的導(dǎo)電類型互補(bǔ)的導(dǎo)電類型的雜質(zhì)。