[發(fā)明專利]大面積石墨烯制備設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810479957.7 | 申請日: | 2018-05-18 |
| 公開(公告)號: | CN110498409A | 公開(公告)日: | 2019-11-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金基哲 | 申請(專利權(quán))人: | 烯馳科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | C01B32/186 | 分類號: | C01B32/186;C23C16/26;C23C16/52 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 200433 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 加熱器 加熱器驅(qū)動單元 可調(diào)節(jié) 主機(jī)部 進(jìn)氣口 大面積石墨烯 真空單元 制備設(shè)備 箱型爐 | ||
與本發(fā)明相關(guān)的大面積石墨烯制備設(shè)備包含如下部分:主機(jī)部;安裝在上述主機(jī)部的上部,一側(cè)可與進(jìn)氣口相連,另一側(cè)可與真空單元相連的箱型爐(chamber);安裝在上述爐(chamber)的上部的第1加熱器;可調(diào)節(jié)上述第1加熱器與上述爐(chamber)的相對位置的第1加熱器驅(qū)動單元;安裝在上述爐(chamber)的下部的第2加熱器;以及可調(diào)節(jié)上述第2加熱器與上述爐(chamber)的相對位置的第2加熱器驅(qū)動單元。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是關(guān)于大面積石墨烯制備設(shè)備的發(fā)明。
背景技術(shù)
石墨烯(Graphene)是僅由碳元素合成的同素體,該物質(zhì)雖然薄卻具有很高的電、熱傳導(dǎo)性,雖然硬卻具有優(yōu)異的柔韌性。為了把石墨烯應(yīng)用于各類產(chǎn)業(yè)或研究領(lǐng)域中,其關(guān)鍵是大量制造品質(zhì)優(yōu)異的石墨烯且能控制其物質(zhì)屬性的技術(shù)。
在初期合成石墨烯時,是采用top-down方式的機(jī)械式剝離法(mechanicalexfoliation)從石墨中分離并提取石墨烯。其后,合成具有一定品質(zhì)的大面積石墨烯成為研發(fā)的目標(biāo),bottom-up方式的化學(xué)合成法、CVD(Chemical Vapor Deposition)合成法、Epitaxy合成法等各類合成方法競相發(fā)布。其中,采用CVD合成法的石墨烯大面積合成方法因使石墨烯研究進(jìn)程提速而備受矚目。
比較有名的一種采用CVD合成法的石墨烯合成方法是:首先把吸附了鎳(Ni)、銅(Cu)、鉑(Pt)等之類的碳素的過渡金屬作為催化層準(zhǔn)備好,然后在1000℃以上的高溫中適量注入作為碳源的甲烷(CH4)、氫氣(H2)和氬氣(Ar)的混合氣體。在高溫中注入的混合氣體中,碳素與催化層發(fā)生反應(yīng)并快速冷卻,碳素從催化層掉落,在其表面生成石墨烯。其后,運(yùn)用蝕刻溶液把催化層或支持層分離,將其移至所需要的對象基板上。這種CVD合成法也被稱為PE-CVD(Plasma Enhanced CVD)、ICP-CVD(Inductivity Coupled Plasma CVD)、LP-CVD(Low Pressure CVD)等多種合成法。
相關(guān)先行文獻(xiàn):
韓國公開專利第2016-0104431號(2016.09.05公開);
韓國公開專利第2014-0000473號(2014.01.03公開)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于,提出一種可在研究室或者實(shí)驗(yàn)室等各類領(lǐng)域中使用、基于化學(xué)沉積(CVD)方法的大面積石墨烯制備設(shè)備。
與本發(fā)明相關(guān)的另一個目的在于,該裝置的結(jié)構(gòu)可調(diào)節(jié)加熱器的加熱溫度、區(qū)域和位置,故而由此可以便于改變對象的種類或者石墨烯的合成條件。
與本發(fā)明相關(guān)的大面積石墨烯制備設(shè)備包含如下部分:主機(jī)部;安裝在上述主機(jī)部的上部,一側(cè)可與進(jìn)氣口相連,另一側(cè)可與真空單元相連的箱型爐(chamber);安裝在上述爐(chamber)的上部的第1加熱器;可調(diào)節(jié)上述第1加熱器與上述爐(chamber)的相對位置的第1加熱器驅(qū)動單元;安裝在上述爐(chamber)的下部的第2加熱器;以及可調(diào)節(jié)上述第2加熱器與上述爐(chamber)的相對位置的第2加熱器驅(qū)動單元。
作為與本發(fā)明相關(guān)的一個例子,上述第1加熱器可能包含沿著與上述爐(chamber)平行的第1方向排列的多個第1線型加熱器;上述第2加熱器可能包含沿著與上述爐(chamber)平行的第2方向排列的多個第2線型加熱器。
作為與本發(fā)明相關(guān)的一個例子,上述第1方向與上述第2方向可能垂直。
作為與本發(fā)明相關(guān)的一個例子,上述大面積石墨烯制備設(shè)備可能還包含如下部分:用于選擇性地驅(qū)動上述多個第1線型加熱器的第1電源驅(qū)動部;以及用于選擇性地驅(qū)動上述多個第2線型加熱器的第2電源驅(qū)動部。
作為與本發(fā)明相關(guān)的一個例子,基于相互間的關(guān)系,上述第1電源驅(qū)動部和上述第2電源驅(qū)動部可以被獨(dú)立地驅(qū)動。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于烯馳科技(上海)有限公司,未經(jīng)烯馳科技(上海)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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