[發(fā)明專利]靜電吸盤

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810478754.6
• 申請日: 2014-03-27
• 公開（公告）號: CN108470702B
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發(fā)明（設計）人: 穴田和輝;吉井雄一
• 申請（專利權）人: TOTO株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 閻文君;李雪春

本發(fā)明所涉及的靜電吸盤的特征為，具備：陶瓷電介體基板，具有放置吸附對象物的第1主面、第1主面相反側的第2主面、從第2主面設置到第1主面的穿通孔；金屬制基座板，支撐陶瓷電介體基板且具有與穿通孔連通的氣體導入路；及絕緣體塞子，具有設置于氣體導入路的陶瓷多孔體、設置在陶瓷多孔體與氣體導入路之間的比陶瓷多孔體更致密的陶瓷絕緣膜，陶瓷絕緣膜從陶瓷多孔體的表面進入陶瓷多孔體的內部。對于氣體導入路內的放電可得到高的絕緣強度，或者，對于吸附對象物可進行晶片溫度均一性高的溫度控制。

本申請是國際申請日為2014年03月27日、發(fā)明名稱為“靜電吸盤”的、中國國家申請?zhí)枮椤?01480017501.9”號的發(fā)明專利申請的分案申請。

技術領域

本發(fā)明的形態(tài)涉及一種靜電吸盤，涉及一種能夠提高陶瓷電介體基板的絕緣強度的靜電吸盤。

背景技術

在氧化鋁等的陶瓷電介體基板之間夾住電極并進行燒成而制作的陶瓷制的靜電吸盤是在內置的電極上外加靜電吸附用電力，并通過靜電力來吸附硅晶片等的基板。在這樣的靜電吸盤中，在陶瓷電介體基板的表面與吸附對象物即基板的背面之間流入氦(He)等惰性氣體，對吸附對象物即基板的溫度進行控制。

例如，在化學汽相沉積(CVD(Chemical Vapor Deposition))裝置、濺射(sputtering)裝置、離子注入裝置、蝕刻(etching)裝置等對基板進行處理的裝置中，存在處理中會帶來基板的溫度上升的裝置。在用于這樣的裝置的靜電吸盤中，在陶瓷電介體基板與吸附對象物即基板之間流入He等惰性氣體，通過使惰性氣體接觸基板來抑制基板的溫度上升。

在通過He等惰性氣體來對基板溫度進行控制的靜電吸盤中，將用于導入He等惰性氣體的孔(氣體導入路)設置于陶瓷電介體基板及支撐陶瓷電介體基板的基座板。

在此，在裝置內對基板進行處理時，在氣體導入路內有時會發(fā)生放電。在專利文獻1中公開有如下靜電吸盤，通過在氣體導入路內設置陶瓷燒結多孔體，將陶瓷燒結多孔體的構造及膜孔作為氣體流路，從而提高在氣體導入路內的絕緣性。另外，在專利文獻2中公開有如下靜電吸盤，在氣體擴散用空隙內設置有由陶瓷多孔體所構成且用于防止放電的處理氣體流路用的放電防止構件。另外，在專利文獻3中公開有如下靜電吸盤，作為像氧化鋁這樣的多孔質電介體而設置電介體插入物，從而減少電弧放電。

但是，僅僅是在氣體導入路內設置陶瓷多孔體，則無法得到充分的絕緣強度。要想提供對應于處理裝置中的各種條件的靜電吸盤，則需要進一步提高絕緣強度。

另外，由于多孔體的氣孔率較高，因此從陶瓷多孔體到陶瓷電介體基板的熱傳遞率低于從金屬制基座板到陶瓷電介體基板的熱傳導率。因而，從氣體導入路流入傳導氣體來冷卻基板時的基板溫度與不流入時的基板溫度的溫度差容易變大。即，產生如下問題，在基板的整體上，在靠近陶瓷多孔體的部分產生晶片面內溫度差較大的區(qū)域(所謂熱點或冷點)，無法進行晶片溫度均一性高的溫度控制。

專利文獻1：日本國特開2010-123712號公報

專利文獻2：日本國特開2003-338492號公報

專利文獻3：日本國特開平10-50813號公報

發(fā)明內容

本發(fā)明是基于這樣的問題的認知而進行的，所要解決的技術問題是提供一種靜電吸盤，其對于氣體導入路內的放電，能夠得到高的絕緣強度，或者，即使是在氣體導入路內設置有陶瓷多孔體的構造，對于吸附對象物也能夠進行晶片溫度均一性高的溫度控制。