[發明專利]靜電吸盤

有效

• 申請號: 201810478754.6
• 申請日: 2014-03-27
• 公開（公告）號: CN108470702B
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發明（設計）人: 穴田和輝;吉井雄一
• 申請（專利權）人: TOTO株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 閻文君;李雪春

1.一種靜電吸盤，其特征為，

具備：陶瓷電介體基板，具有放置吸附對象物的第1主面、所述第1主面相反側的第2主面、從所述第2主面設置到所述第1主面的穿通孔；

金屬制基座板，支撐所述陶瓷電介體基板且具有與所述穿通孔連通的氣體導入路；

及絕緣體塞子，具有設置于所述氣體導入路的陶瓷多孔體、設置在所述陶瓷多孔體與所述氣體導入路之間的比所述陶瓷多孔體更致密的陶瓷絕緣膜，

所述陶瓷絕緣膜從所述陶瓷多孔體的表面進入所述陶瓷多孔體的內部，且所述陶瓷絕緣膜和所述陶瓷多孔體之間的邊界部呈現交織有所述陶瓷絕緣膜和所述陶瓷多孔體的波狀。

2.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征為，所述陶瓷絕緣膜的熱膨脹率分別與所述陶瓷多孔體的熱膨脹率及所述陶瓷電介體基板的熱膨脹率相同。

3.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征為，所述陶瓷絕緣膜的表面的算術平均粗糙度小于所述陶瓷多孔體的表面的算術平均粗糙度，且大于所述陶瓷電介體基板的表面的算術平均粗糙度。

4.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征為，

所述陶瓷絕緣膜的氣孔率為10％以下，

所述陶瓷多孔體的氣孔率為30％以上、60％以下。

5.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征為，

所述陶瓷絕緣膜的密度為3.0克/立方厘米以上、4.0克/立方厘米以下，

所述陶瓷多孔體的密度為1.5克/立方厘米以上、3.0克/立方厘米以下。

6.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征為，在將所述陶瓷多孔體的熱膨脹率作為基準時，所述陶瓷多孔體的熱膨脹率與所述陶瓷絕緣膜的熱膨脹率之差的比率為100％以下。

7.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征為，所述陶瓷多孔體及所述陶瓷絕緣膜各自的熱膨脹率為7.0×10^-6/℃以上、10.0×10^-6/℃以下。

8.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征為，所述陶瓷多孔體及所述陶瓷絕緣膜各自的熱傳導率為0.3W/m·K以上、10W/m·K以下。

9.根據權利要求3所述的靜電吸盤，其特征為，

所述陶瓷絕緣膜的表面的所述算術平均粗糙度為0.5微米以上、4微米以下，

所述陶瓷多孔體的表面的所述算術平均粗糙度為5微米以上、20微米以下。

10.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征為，所述陶瓷絕緣膜是設置于所述陶瓷多孔體側面的陶瓷噴鍍膜。

11.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征為，所述陶瓷多孔體的相對于外徑的長度的比率為0.6以上。

12.根據權利要求11所述的靜電吸盤，其特征為，所述陶瓷多孔體的外徑為1毫米以上。

13.根據權利要求11所述的靜電吸盤，其特征為，所述陶瓷多孔體的長度為3毫米以上。

14.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征為，在將所述穿通孔的內徑作為D、將從所述穿通孔的中心到所述陶瓷多孔體的外周為止的距離作為L時，L/D為5以上。

15.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征為，在將He氣體的壓力差作為30Torr時，從每1個所述穿通孔流出的He氣體的流量為0.5sccm以上、14sccm以下。

16.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征為，在將He氣體的壓力差作為30Torr時，從每1個所述陶瓷多孔體流出的He氣體的流量為3sccm以上、24sccm以下。