[發明專利]一種CVD反應腔的加工方法

在審

• 申請號: 201810478219.0
• 申請日: 2018-05-18
• 公開（公告）號: CN108723709A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 邵佳;孫彬;康樂樂
• 申請（專利權）人: 靖江佳仁半導體科技有限公司
• 主分類號: B23P15/00
• 分類號: B23P15/00;C23C16/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種CVD反應腔的加工方法，本發明通過對鋁板材料，進行鉆工藝孔、粗加工零件、鉆側面穿絲孔、調質、回火、精飛兩平面、精加工零件的工藝后將其制備成CVD反應腔。本發明中通過將線割割出中間部分的連接室，省略了設計和制造成形刀具的工序，并且線割與加工中心銑加工相比，無切削熱，降低了零件的變形、節省了加工費用，縮短了生產周期。

技術領域

本發明涉及一種工裝加工，具體涉及一種CVD反應腔的加工方法。

背景技術

在晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，是制作各種芯片的基礎。化學氣相沉積（簡稱CVD）是將幾種含有構成薄膜材料元素的化合物或單質反應源氣體通過反應室中，在晶圓表面生成新的固態物質沉積在表面的方法。CVD由于其晶體生長條件、反應物輸送和化學反應過程及其特點的不同導致不同的CVD技術和設備結構。而CVD設備的主要差別體現在腔體和加熱器上，因此反應腔為CVD構架的關鍵零部件。

發明內容

本發明的目的在于提供一種CVD反應腔的加工方法。

本發明的技術方案是：一種CVD反應腔的加工方法，包括如下步驟：

（1）選取零件料：選取一塊方的鋁板材料，

（2）鉆工藝孔：在鉆床上打孔，做成M16螺紋孔，；再在L板的相應位置做成φ18的孔，將零件毛坯反拉于L板上；

（3）粗加工零件：在加工中心上粗加工零件的反應腔左室、反應腔右室，且在零件的四角留四個工藝凸臺，在工藝凸臺中間部位加工4個M16螺紋；并在零件頂面、側面留余量3mm；反拉上一步加工的M16螺紋，粗加工反面，側面、頂面留余量3mm；

（4）鉆側面穿絲孔：用手槍鉆在反應腔左室、反應腔右室之間的側面加工出10mm的穿絲孔；

（5）調質、回火；

（6）精飛兩平面：將零件的兩平面側壓成光面；按已加工的兩面作為基準，線割割出反應腔左室、反應腔右室之間的連接室；連接室為方形；

（7）精加工零件：在加工中心上利用L板工裝反拉零件精加工零件的背面反應腔左室、反應腔右室，且將腔體外形加工出；在臥式加工中心上精加工出零件的正面反應腔左室、反應腔右室，反應腔左室、反應腔右室四壁上的進氣孔，反應腔左室、反應腔右室外壁的密封槽，正面螺紋孔。

進一步的技術方案，步驟（7）中，加工的同心度為0.08mm；密封槽為小下大喇叭口狀，且密封區域周圍需達到Ra0.8的要求。

進一步的技術方案，步驟（6）中，線割的立柱上臂移動到能穿過反應腔左室的位置，立柱下臂移動到穿過反應腔右室的位置，在工作臺的位置上面固定工裝，調節工裝上的螺栓，使鋁板材料水平，將鉬絲穿入穿絲孔中，割出中間部分的連接室。

本發明的有益效果：

本發明通過對原有的CVD反應腔的加工方法進行改進，加工中間的方形連接室時，常用加工中心更換側銑頭加工，不僅更換時麻煩，加工時間也偏長，且加工后零件變形較大，易產生零件的不良。本發明中通過將線割割出中間部分的連接室，省略了設計和制造成形刀具的工序，并且線割與加工中心銑加工相比，無切削熱，降低了零件的變形、節省了加工費用，縮短了生產周期。

附圖說明

圖1為本發明中CVD反應腔結構示意圖俯視圖，

圖2為本發明中CVD反應腔結構示意圖主視圖，

其中，1、反應腔左室，2、反應腔右室，3、連接室， 4、進氣孔，5、密封槽。

具體實施方式

下面通過非限制性實施例，進一步闡述本發明，理解本發明。