[發明專利]硅鍺異質結雙極晶體管發射極的制作方法

在審

• 申請號: 201810477302.6
• 申請日: 2018-05-18
• 公開（公告）號: CN108615682A
• 公開（公告）日: 2018-10-02
• 發明（設計）人: 崔偉;楊永暉;李文;張霞;朱坤峰;黃東;錢呈;譚開洲;梁柳洪;汪璐
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第二十四研究所
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L21/027
• 代理公司: 重慶樂泰知識產權代理事務所(普通合伙) 50221
• 代理人: 劉佳

1.一種硅鍺異質結雙極晶體管發射極的制作方法，包括：

在襯底表面形成SiGe HBT晶體管基區窗口；

在襯底的表面上形成SiGe材料層；

在襯底的表面上形成SiGe HBT晶體管發射區窗口；

在硅片表面上形成SiGe HBT晶體管多晶發射極；以及

形成SiGe HBT晶體管。

2.如權利要求1所述的硅鍺異質結雙極晶體管發射極的制作方法，其特征在于：所述步驟“在襯底表面形成SiGe HBT晶體管基區窗口”包括：在有源區和場氧上淀積第一氧化硅層和第一多晶硅層；依次刻蝕第一多晶硅層和第一氧化硅層形成基區窗口。

3.如權利要求1所述的硅鍺異質結雙晶體管發射極的制作方法，其特征在于：所述步驟“在襯底的表面上形成SiGe材料層”包括：對硅片表面進行淀積前清洗，清洗完成后在硅片表面生長SiGe復合層，該SiGe復合層包括硅緩沖層、SiGe層和硅蓋帽層。

4.如權利要求3所述的硅鍺異質結雙晶體管發射極的制作方法，其特征在于：采用快速熱處理化學氣相淀積方法在硅片表面生長SiGe復合層。

5.如權利要求3所述的硅鍺異質結雙晶體管發射極的制作方法，其特征在于：所述SiGe層包括鍺濃度快速上升區、平臺區和逐步降低區。

6.如權利要求1所述的硅鍺異質結雙晶體管發射極的制作方法，其特征在于：所述步驟“在襯底的表面上形成SiGe HBT晶體管發射區窗口”包括：在SiGe復合層結構上依次淀積第二氧化硅層、第二多晶硅層及抗反射材料層；依次刻蝕抗反射材料層、第二多晶硅層和第二氧化硅層至硅蓋帽層，形成發射區窗口。

7.如權利要求1所述的硅鍺異質結雙晶體管發射極的制作方法，其特征在于：所述步驟“在硅片表面上形成SiGe HBT晶體管多晶發射極”包括：用多晶硅填充所述發射區窗口和進行雜質摻雜，形成用作發射極的第三多晶硅層；在第三多晶硅層涂抗反射涂層和光刻膠，通過干法刻蝕形成多晶發射極。

8.如權利要求1所述的硅鍺異質結雙晶體管發射極的制作方法，其特征在于：所述步驟“形成SiGe HBT晶體管”包括：完成后續加工工藝，通過接觸孔引出金屬連接線，形成金屬電極。

9.如權利要求8所述的硅鍺異質結雙晶體管發射極的制作方法，其特征在于：所述后續加工工藝包括：發射極側壁氧化層淀積、刻蝕、外基區引出極的光刻、刻蝕、層間介質的淀積、接觸孔光刻、刻蝕、金屬電極淀積、光刻、刻蝕。