[發(fā)明專利]含不對稱結束單元的集成電路和含該集成電路的系統(tǒng)芯片在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810473724.6 | 申請日: | 2018-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN109473425A | 公開(公告)日: | 2019-03-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉鐘奎;金珉修;李大成 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112 | 代理人: | 張帆;趙南 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 宏塊 集成電路 鄰近 標準單元 系統(tǒng)芯片 不對稱 芯片 | ||
1.一種集成電路,包括:
在第一方向上排列的第一宏塊和第二宏塊;以及
所述第一宏塊和所述第二宏塊之間的多個單元,所述多個單元包括:
至少一個第一結束單元,其鄰近于所述第一宏塊,所述至少一個第一結束單元在所述第一方向上具有第一寬度,
至少一個第二結束單元,其鄰近于所述第二宏塊,所述至少一個第二結束單元在所述第一方向上具有與所述第一寬度不同的第二寬度,以及
所述至少一個第一結束單元與所述至少一個第二結束單元之間的至少一個標準單元。
2.根據(jù)權利要求1所述的集成電路,其中,所述至少一個第一結束單元和所述至少一個第二結束單元中的僅一個包括抽頭,所述抽頭被構造為接收電源電壓或地電壓并將所述電源電壓或所述地電壓提供至有源區(qū)。
3.根據(jù)權利要求1所述的集成電路,其中,所述至少一個第一結束單元包括:
第一有源區(qū);
所述第一有源區(qū)上的抽頭;以及
所述抽頭上的第一觸點,所述第一觸點在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸,并且電連接至施加有電源電壓的第一電源軌或者施加有地電壓的第二電源軌。
4.根據(jù)權利要求3所述的集成電路,其中,所述至少一個第一結束單元還包括:
第二有源區(qū);以及
所述第二有源區(qū)上的虛設觸點。
5.根據(jù)權利要求3所述的集成電路,其中,所述至少一個第一結束單元還包括:
第一柵極線,其在所述第二方向上彼此平行地延伸;以及
第一阻擋層,其位于所述第一宏塊與所述第一柵極線之間,并且在所述第二方向上延伸,
其中,所述第一阻擋層在所述第一方向上的寬度大于所述第一柵極線中的每一個在所述第一方向上的寬度。
6.根據(jù)權利要求3所述的集成電路,其中,所述至少一個第一結束單元還包括:
第二觸點,其在所述第一方向上鄰近于所述第一觸點,所述第二觸點與所述第一觸點形成電容器。
7.根據(jù)權利要求3所述的集成電路,其中,所述至少一個第二結束單元包括:
第三有源區(qū);以及
所述第三有源區(qū)上的虛設觸點。
8.根據(jù)權利要求7所述的集成電路,其中,所述至少一個第二結束單元還包括:
第二柵極線,其在所述第二方向上彼此平行地延伸;以及
第二阻擋層,其位于所述第二宏塊與所述第二柵極線之間,并且在所述第二方向上延伸,
其中,所述第二阻擋層在所述第一方向上的寬度大于所述第二柵極線中的每一個在所述第一方向上的寬度。
9.根據(jù)權利要求1所述的集成電路,其中,所述第一宏塊與所述至少一個第一結束單元在所述第一方向上彼此間隔開第一間隔,所述第二宏塊與所述至少一個第二結束單元在所述第一方向上彼此間隔開第二間隔。
10.根據(jù)權利要求1所述的集成電路,其中,所述第一宏塊與所述至少一個第一結束單元在所述第一方向上鄰接,或者所述第二宏塊與所述至少一個第二結束單元在所述第一方向上鄰接。
11.根據(jù)權利要求1所述的集成電路,其中,所述至少一個第一結束單元包括在垂直于所述第一方向的第二方向上排列成一行的多個第一結束單元,并且所述至少一個第二結束單元包括在所述第二方向上排列成一行的多個第二結束單元。
12.根據(jù)權利要求1所述的集成電路,還包括:
第三宏塊,其在垂直于所述第一方向的第二方向上鄰近于所述第二宏塊,
其中,所述多個單元還包括鄰近于所述第三宏塊并且在所述第一方向上具有所述第二寬度的至少一個第三結束單元。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





