[發明專利]半導體制造裝置及半導體器件的制造方法有效
| 申請號: | 201810472295.0 | 申請日: | 2018-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN108962784B | 公開(公告)日: | 2022-05-31 |
| 發明(設計)人: | 小橋英晴 | 申請(專利權)人: | 捷進科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 陳偉;李文嶼 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 制造 裝置 半導體器件 方法 | ||
當用二值化或與良品的圖像差分法這樣的方法來進行半導體芯片(裸芯片)的表面上的異常檢測時,不能夠發現寬度小于一個像素的裂紋。半導體制造裝置具備拍攝裸芯片的拍攝裝置、配置在將所述裸芯片和所述拍攝裝置連結的線上的照明裝置以及控制所述拍攝裝置及所述照明裝置的控制裝置。所述控制裝置用所述照明裝置照明所述裸芯片的一部分,在所述裸芯片上形成明部、暗部及明部與暗部之間的漸變部,并用所述拍攝裝置拍攝所述裸芯片。
技術領域
本公開涉及半導體制造裝置,例如能夠應用于具備識別裸芯片(Die)的攝像機的芯片接合機(Die Bonder)。
背景技術
在首先切割圓板狀的晶片來制造半導體芯片的情況下,因切割時的切削阻力等而有時在半導體芯片上產生從切斷面向內部延伸的裂紋。單片化后的半導體芯片被檢查裂紋的有無等并進行作為其產品的好壞判定(例如日本特開2008-98348號公報)。
在先技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2008-98348號公報
專利文獻2:日本特開2008-66452號公報
發明內容
發明要解決的課題
當用拍攝圖像的二值化或與良品的圖像差分法這樣的方法來進行半導體芯片(裸芯片)的表面上的異常檢測時,不能夠發現寬度小于一個像素的裂紋。
本公開的課題在于提供能夠提高裂紋的識別精度的技術。
其他課題及新的特征可以從本說明書的記述及附圖得以明確。
用于解決課題的手段
如果簡單地說明本公開中的代表性內容的概要,則如下。
即,半導體制造裝置具備拍攝裸芯片的拍攝裝置、配置在將所述裸芯片和所述拍攝裝置連結的線上的照明裝置以及控制所述拍攝裝置及所述照明裝置的控制裝置。所述控制裝置用所述照明裝置照明所述裸芯片的一部分,在所述裸芯片上形成明部、暗部及明部與暗部之間的漸變部,并用所述拍攝裝置拍攝所述裸芯片。
發明的效果
根據上述半導體制造裝置,能夠提高裂紋的識別精度。
附圖說明
圖1是示出芯片接合機的結構例的概略俯視圖。
圖2是說明在圖1中從箭頭A方向觀察時的概略結構的圖。
圖3是示出圖1的裸芯片供給部的結構的外觀立體圖。
圖4是示出圖2的裸芯片供給部的主要部分的概略剖視圖。
圖5是示出圖1的芯片接合機的控制系統的概略結構的框圖。
圖6是說明圖1的芯片接合機中的裸芯片接合(Bonding)工序的流程圖。
圖7是用于說明模仿動作的流程圖。
圖8是示出特征部分(選擇區域)的例子的圖。
圖9是示出登記圖像及類似圖像的例子的圖。
圖10是用于說明連續加工動作的流程圖。
圖11是示出有裂紋的裸芯片的圖像的圖。
圖12是示出將圖11的圖像二值化而得到的圖像的圖。
圖13是示出良品的裸芯片的圖像的圖。
圖14是示出圖11的圖像與圖13的圖像的差別的圖。
圖15是示出裂紋較粗的情況下的圖像的圖。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





